专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201823527A 單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW201823527A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127581
申请日：2017-08-15
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 濱田建 , HAMADA, KEN , 下一平 , SHIMOZAKI, IPPEI , 清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU
IPC分类号： C30B15/26
摘要：在依據丘克拉斯基法的單結晶的製造方法中，能夠正確測定融液的液面位置。在從坩堝11內的融液拉引單結晶15的單結晶拉引程序中，檢出用設置於反應室19的外側的攝影機18從斜上方拍攝反應室19內的爐內構造物17及融液13的液面13a時的攝影影像中顯現的爐內構造物17的實像及融液的液面映照的爐內構造物17的鏡像各自的邊緣形狀，基於攝影機的設置角度θc及焦點距離f，將爐內構造物17的實像及鏡像各自的邊緣形狀投影轉換在基準平面上，從對於基準平面上的爐內構造物17的實像及鏡像各自的邊緣形狀進行形狀匹配時的匹配率最大的基準形狀的形狀，算出爐內構造物17的實像及鏡像各自的代表尺寸。
简体摘要：在依据丘克拉布斯基法的单结晶的制造方法中，能够正确测定融液的液面位置。在从坩埚11内的融液拉引单结晶15的单结晶拉引进程中，检出用设置于反应室19的外侧的摄影机18从斜上方拍摄反应室19内的炉内构造物17及融液13的液面13a时的摄影影像中显现的炉内构造物17的实像及融液的液面映照的炉内构造物17的镜像各自的边缘形状，基于摄影机的设置角度θc及焦点距离f，将炉内构造物17的实像及镜像各自的边缘形状投影转换在基准平面上，从对于基准平面上的炉内构造物17的实像及镜像各自的边缘形状进行形状匹配时的匹配率最大的基准形状的形状，算出炉内构造物17的实像及镜像各自的代表尺寸。

2. 发明专利

TWI651441B 單結晶之製造方法有权
简体标题：单结晶之制造方法
公开(公告)号：TWI651441B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106127581
申请日：2017-08-15
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 濱田建 , HAMADA, KEN , 下一平 , SHIMOZAKI, IPPEI , 清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU
IPC分类号： C30B15/26

3. 发明专利

TW202004165A 石英坩堝的透過率測定方法及裝置审中-公开
简体标题：石英坩埚的透过率测定方法及设备
公开(公告)号：TW202004165A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117069
申请日：2019-05-17
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 福井正徳 , FUKUI, MASANORI
IPC分类号： G01N21/59 , C30B15/10
摘要：本發明的課題係在於提供可正確測定石英坩堝的透過率的測定方法及測定裝置。本發明的解決手段係從配置在石英坩堝的一方的牆面1Wa側的光源5，向石英坩堝的既定測定點照射平行光，在石英坩堝的另一方的牆面1Wb側，以另一方的牆面1Wb上的平行光的出射點P為中心的同心圓C0上的複數位置配置檢測器6，以複數位置測定石英坩堝的穿透光的受光等級，基於上述複數位置所測定的穿透光的複數受光等級，求得在既定測定點的石英坩堝的透過率
简体摘要：本发明的课题系在于提供可正确测定石英坩埚的透过率的测定方法及测定设备。本发明的解决手段系从配置在石英坩埚的一方的墙面1Wa侧的光源5，向石英坩埚的既定测定点照射平行光，在石英坩埚的另一方的墙面1Wb侧，以另一方的墙面1Wb上的平行光的出射点P为中心的同心圆C0上的复数码置配置检测器6，以复数码置测定石英坩埚的穿透光的受光等级，基于上述复数码置所测定的穿透光的复数受光等级，求得在既定测定点的石英坩埚的透过率

4. 发明专利

TW202026256A 石英坩堝內周面的評估方法及石英坩堝內周面的評估裝置审中-公开
简体标题：石英坩埚内周面的评估方法及石英坩埚内周面的评估设备
公开(公告)号：TW202026256A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108120854
申请日：2019-06-17
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 内田俊彦 , UCHIDA, TOSHIHIKO
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/12 , C30B15/26 , C30B29/06 , G06T5/50 , G06T1/00 , G06T7/10 , G06T7/55 , G06K9/38 , G06F17/50
摘要：〔課題〕提供可簡便且短時間地評估石英坩堝內周面的評估方法。〔解決手段〕根據本發明的石英坩堝內周面的評估方法包含進行矽單結晶錠之拉升所進行之石英坩堝之該內周面的攝影以取得該內周面之攝影影像的第1程序、對該攝影影像實施影像處理以取得劃分方英石與玻璃之間之邊界的邊緣影像的第2程序、擷取出該邊緣影像中該邊界所包圍之封閉區域的第3程序、對上述所擷取出之該封閉區域中該邊界之座標資訊進行基於方英石之環形形狀之運算而求出運算值的第4程序、基於該運算值來判定該邊界所包圍之封閉區域是該方英石及該玻璃其中何者的第5程序、及合成其中重疊經判定為該方英石之封閉區域的全體影像的第6程序。
简体摘要：〔课题〕提供可简便且短时间地评估石英坩埚内周面的评估方法。〔解决手段〕根据本发明的石英坩埚内周面的评估方法包含进行硅单结晶锭之拉升所进行之石英坩埚之该内周面的摄影以取得该内周面之摄影影像的第1进程、对该摄影影像实施影像处理以取得划分方英石与玻璃之间之边界的边缘影像的第2进程、截取出该边缘影像中该边界所包围之封闭区域的第3进程、对上述所截取出之该封闭区域中该边界之座标信息进行基于方英石之环形形状之运算而求出运算值的第4进程、基于该运算值来判定该边界所包围之封闭区域是该方英石及该玻璃其中何者的第5进程、及合成其中重叠经判定为该方英石之封闭区域的全体影像的第6进程。

5. 发明专利

TWI640765B 結晶缺陷之評估方法、矽晶圓之製造方法以及結晶缺陷之評估裝置有权
简体标题：结晶缺陷之评估方法、硅晶圆之制造方法以及结晶缺陷之评估设备
公开(公告)号：TWI640765B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106114618
申请日：2017-05-03
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASHUNOBU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 北村貴文 , KITAMURA, TAKAFUMI , 北山喬之 , KITAYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： G01N21/88 , C30B15/00

6. 发明专利

TW201823526A 單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW201823526A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127445
申请日：2017-08-14
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 濱田建 , HAMADA, KEN , 下一平 , SHIMOZAKI, IPPEI , 清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
摘要：正確測定拍攝反應室內的攝影機之設置角度。本發明包括：攝影機設置角度測定程序(S21)，事先測定設置於反應室外側之攝影機的設置角度；及結晶拉引程序(S22)，從設置於上述反應室內的坩堝內的融液拉引單結晶。攝影機設置角度測定程序，用攝影機，從斜上方拍攝反應室內，基於攝影機的推定設置角度及焦點距離，將攝影機的攝影影像投影轉換到基準平面上，對於顯現在投影轉換後的攝影影像中的爐內構造物的邊緣形狀和爐內構造物的基準形狀，進行形狀匹配，並且，將攝影機的推定設置角度作為可變參數使其變化，同時執行形狀匹配時，將匹配率最大的攝影機的推定設置角度設定為攝影機的實際的設置角度(θc)。結晶拉引程序(S22)中，基於攝影機的實際的設置角度，將攝影機的攝影影像投影轉換。
简体摘要：正确测定拍摄反应室内的摄影机之设置角度。本发明包括：摄影机设置角度测定进程(S21)，事先测定设置于反应室外侧之摄影机的设置角度；及结晶拉引进程(S22)，从设置于上述反应室内的坩埚内的融液拉引单结晶。摄影机设置角度测定进程，用摄影机，从斜上方拍摄反应室内，基于摄影机的推定设置角度及焦点距离，将摄影机的摄影影像投影转换到基准平面上，对于显现在投影转换后的摄影影像中的炉内构造物的边缘形状和炉内构造物的基准形状，进行形状匹配，并且，将摄影机的推定设置角度作为可变参数使其变化，同时运行形状匹配时，将匹配率最大的摄影机的推定设置角度设置为摄影机的实际的设置角度(θc)。结晶拉引进程(S22)中，基于摄影机的实际的设置角度，将摄影机的摄影影像投影转换。

7. 发明专利

TW201807403A 結晶缺陷之評估方法、矽晶圓之製造方法以及結晶缺陷之評估裝置审中-公开
简体标题：结晶缺陷之评估方法、硅晶圆之制造方法以及结晶缺陷之评估设备
公开(公告)号：TW201807403A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114618
申请日：2017-05-03
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASHUNOBU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 北村貴文 , KITAMURA, TAKAFUMI , 北山喬之 , KITAYAMA, NOBUYUKI
IPC分类号： G01N21/88 , C30B15/00
摘要：以提供可以抑制測定者間的評估結果的差異之結晶缺陷之評估方法、矽晶圓之製造方法以及結晶缺陷之評估裝置為目的，其解決手段的特徵在於：對於矽晶圓，施以使此矽晶圓中的結晶缺陷顯現的處理(步驟S1)；接下來，拍攝此矽晶圓的表面而取得影像後(步驟S2)，對於上述影像，依序施以微分處理及二元化處理(步驟S3)，基於施以上述二元化處理後的影像，評估矽晶圓中的結晶缺陷(步驟S4)。
简体摘要：以提供可以抑制测定者间的评估结果的差异之结晶缺陷之评估方法、硅晶圆之制造方法以及结晶缺陷之评估设备为目的，其解决手段的特征在于：对于硅晶圆，施以使此硅晶圆中的结晶缺陷显现的处理(步骤S1)；接下来，拍摄此硅晶圆的表面而取得影像后(步骤S2)，对于上述影像，依序施以微分处理及二元化处理(步骤S3)，基于施以上述二元化处理后的影像，评估硅晶圆中的结晶缺陷(步骤S4)。

8. 发明专利

TW201702438A 原料融液液面與種結晶下端之間隔測定方法、種結晶之預熱方法以及單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：原料融液液面与种结晶下端之间隔测定方法、种结晶之预热方法以及单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW201702438A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105105600
申请日：2016-02-25
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI , 中野清貴 , NAKANO, KIYOTAKA , 斉藤正夫 , SAITOU, MASAO
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種方法，在種結晶接觸原料融液液面之前，可以正確測定原料融液液面與種結晶的間隔。間隔測定方法，是使種結晶的下端接觸坩堝內的原料融液而在上述種結晶的下端培育單結晶之前，測定上述原料融液的液面與配置於上述原料融液的上方之種結晶的下端之間隔的方法，其特徵在於：藉由光學性手法，獲得實像下端點的位置資訊與鏡像點的位置資訊，上述實像下端點是在上述種結晶的下端之特定的點，上述鏡像點是在映於上述液面的上述種結晶的鏡像之對應於上述實像下端點之點；以上述實像下端點的位置與上述鏡像點的位置為一致的點設為上述原料融液的液面與上述種結晶的下端的間隔為0，求出上述原料融液的液面與上述種結晶的下端的間隔。
简体摘要：本发明提供一种方法，在种结晶接触原料融液液面之前，可以正确测定原料融液液面与种结晶的间隔。间隔测定方法，是使种结晶的下端接触坩埚内的原料融液而在上述种结晶的下端培育单结晶之前，测定上述原料融液的液面与配置于上述原料融液的上方之种结晶的下端之间隔的方法，其特征在于：借由光学性手法，获得实像下端点的位置信息与镜像点的位置信息，上述实像下端点是在上述种结晶的下端之特定的点，上述镜像点是在映于上述液面的上述种结晶的镜像之对应于上述实像下端点之点；以上述实像下端点的位置与上述镜像点的位置为一致的点设为上述原料融液的液面与上述种结晶的下端的间隔为0，求出上述原料融液的液面与上述种结晶的下端的间隔。

9. 发明专利

TWI596242B 原料融液液面與種結晶下端之間隔測定方法、種結晶之預熱方法以及單結晶之製造方法有权
简体标题：原料融液液面与种结晶下端之间隔测定方法、种结晶之预热方法以及单结晶之制造方法
公开(公告)号：TWI596242B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105105600
申请日：2016-02-25
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI , 中野清貴 , NAKANO, KIYOTAKA , 斉藤正夫 , SAITOU, MASAO
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式