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1. 发明专利

TWI665293B 聚矽氧系密封材料組成物及半導體發光裝置有权
简体标题：聚硅氧系密封材料组成物及半导体发光设备
公开(公告)号：TWI665293B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104124390
申请日：2015-07-28
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI , 増井建太朗 , MASUI, KENTARO
IPC分类号： C09K3/10 , C08L83/04 , H01L33/56 , C08G77/06 , C08G77/44

2. 发明专利

TWI639654B ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半矽氧烷系封裝材料組成物及其用之金屬烷氧化物之使用有权
简体标题：ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半硅氧烷系封装材料组成物及其用之金属烷氧化物之使用
公开(公告)号：TWI639654B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW104102550
申请日：2015-01-26
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/057 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L33/56

3. 发明专利

TWI622605B ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半矽氧烷系封裝材料組成物及其用之磷酸系觸媒之使用有权
简体标题：ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半硅氧烷系封装材料组成物及其用之磷酸系触媒之使用
公开(公告)号：TWI622605B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW104102551
申请日：2015-01-26
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： C08G77/08 , B01J27/16

4. 发明专利

TWI666793B 半導體發光裝置之製造方法有权
简体标题：半导体发光设备之制造方法
公开(公告)号：TWI666793B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104124389
申请日：2015-07-28
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L33/56 , C08G77/06 , C08L83/06 , H01L23/29 , H01L23/31

5. 发明专利

TWI653294B ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半矽氧烷系封裝材料組成物及其用之溶劑之使用有权
简体标题：ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半硅氧烷系封装材料组成物及其用之溶剂之使用
公开(公告)号：TWI653294B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104102548
申请日：2015-01-26
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： C08L83/04 , H01L33/56

6. 发明专利

TW202007712A 聚醯亞胺系樹脂粉體及聚醯亞胺系樹脂粉體之製造方法审中-公开
简体标题：聚酰亚胺系树脂粉体及聚酰亚胺系树脂粉体之制造方法
公开(公告)号：TW202007712A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108125062
申请日：2019-07-16
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD.
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 宮本皓史 , MIYAMOTO, KOJI , 岩井陽典 , IWAI, YOSUKE
IPC分类号： C08G73/10 , G02B1/04 , G02B5/30
摘要：本發明提供一種具有高重量平均分子量，粉體之操作性良好，對溶劑之溶解性高之聚醯亞胺系樹脂之粉體及該粉體之製造方法。一種比表面積為10 m2/g以下且重量平均分子量為100,000以上之非晶性聚醯亞胺系樹脂粉體。
简体摘要：本发明提供一种具有高重量平均分子量，粉体之操作性良好，对溶剂之溶解性高之聚酰亚胺系树脂之粉体及该粉体之制造方法。一种比表面积为10 m2/g以下且重量平均分子量为100,000以上之非晶性聚酰亚胺系树脂粉体。

7. 发明专利

TW202030230A 聚醯亞胺系樹脂及其製造方法审中-公开
简体标题：聚酰亚胺系树脂及其制造方法
公开(公告)号：TW202030230A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108147151
申请日：2019-12-23
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西山奈津美 , NISHIYAMA, NATSUMI , 五島和幸 , GOSHIMA, KAZUYUKI , 宮本皓史 , MIYAMOTO, KOJI , 吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU
IPC分类号： C08G73/10
摘要：本發明提供一種能夠形成耐撓曲性優異之膜之聚醯亞胺系樹脂及其製造方法。本發明之聚醯亞胺系樹脂係重量平均分子量為150,000以上，重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比即分子量分佈(Mw/Mn)為3.0以下。又，聚醯亞胺系樹脂可藉由如下製造方法獲得，該製造方法包括：製程(I)，其係包括使二胺化合物與具有3個以上之羰基之羧酸化合物進行反應之步驟(A)的獲得中間物(K)者；及製程(II)，其使中間物(K)分解；且製程(II)包含滿足式(1) dv/dt＜0 (1) 之部分。
简体摘要：本发明提供一种能够形成耐挠曲性优异之膜之聚酰亚胺系树脂及其制造方法。本发明之聚酰亚胺系树脂系重量平均分子量为150,000以上，重量平均分子量(Mw)与数量平均分子量(Mn)之比即分子量分布(Mw/Mn)为3.0以下。又，聚酰亚胺系树脂可借由如下制造方法获得，该制造方法包括：制程(I)，其系包括使二胺化合物与具有3个以上之羰基之羧酸化合物进行反应之步骤(A)的获得中间物(K)者；及制程(II)，其使中间物(K)分解；且制程(II)包含满足式(1) dv/dt＜0 (1) 之部分。

8. 发明专利

TW201540750A ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半矽氧烷系封裝材料組成物及其用之磷酸系觸媒之使用审中-公开
简体标题：ＵＶ－ＬＥＤ用聚倍半硅氧烷系封装材料组成物及其用之磷酸系触媒之使用
公开(公告)号：TW201540750A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104102551
申请日：2015-01-26
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： C08G77/08 , B01J27/16
CPC分类号： C08G77/18 , C08G77/045 , C08G77/08 , C08G77/16 , C08G2190/00 , C08K5/52 , C08K5/521 , C08K2003/321 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/56 , H01L2933/005
摘要：本發明係一種磷酸系觸媒之使用，其係作為硬化物之260nm之光的透過率為65%以上之UV-LED用聚倍半矽氧烷系封裝材料的硬化促進劑；及一種UV-LED用聚倍半矽氧烷系封裝材料組成物，其係含有聚倍半矽氧烷系封裝材料與磷酸系觸媒。
简体摘要：本发明系一种磷酸系触媒之使用，其系作为硬化物之260nm之光的透过率为65%以上之UV-LED用聚倍半硅氧烷系封装材料的硬化促进剂；及一种UV-LED用聚倍半硅氧烷系封装材料组成物，其系含有聚倍半硅氧烷系封装材料与磷酸系触媒。

9. 发明专利

TWI636593B 半導體發光裝置之製造方法有权
简体标题：半导体发光设备之制造方法
公开(公告)号：TWI636593B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW104102547
申请日：2015-01-26
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/56

10. 发明专利

TW201618338A 半導體發光裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光设备之制造方法
公开(公告)号：TW201618338A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104124389
申请日：2015-07-28
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L33/56 , C08G77/06 , C08L83/06 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L33/56 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01L33/502 , H01L2933/005
摘要：一種半導體發光裝置之製造方法，其包含：將聚矽氧樹脂組成物塗佈於半導體發光元件之表面之步驟，與藉由使該塗佈之聚矽氧樹脂組成物熱硬化而形成覆蓋前述半導體發光元件之表面之密封部之步驟；前述聚矽氧樹脂組成物相對於該聚矽氧樹脂組成物之固體成分之總質量包含60質量%以上之聚矽氧樹脂，該聚矽氧樹脂之構成成分之矽原子僅為實質上鍵結3個氧原子之矽原子；將熱硬化前之該聚矽氧樹脂之1000~1050cm-1下之源自Si-O-Si鍵之紅外線吸收光譜之波峰位置設為a cm-1，將熱硬化後之該聚矽氧樹脂組成物之950~1050cm-1下之源自Si-O-Si鍵之紅外線吸收光譜之波峰位置設為b cm-1時，該熱硬化係在滿足5
简体摘要：一种半导体发光设备之制造方法，其包含：将聚硅氧树脂组成物涂布于半导体发光组件之表面之步骤，与借由使该涂布之聚硅氧树脂组成物热硬化而形成覆盖前述半导体发光组件之表面之密封部之步骤；前述聚硅氧树脂组成物相对于该聚硅氧树脂组成物之固体成分之总质量包含60质量%以上之聚硅氧树脂，该聚硅氧树脂之构成成分之硅原子仅为实质上键结3个氧原子之硅原子；将热硬化前之该聚硅氧树脂之1000~1050cm-1下之源自Si-O-Si键之红外线吸收光谱之波峰位置设为a cm-1，将热硬化后之该聚硅氧树脂组成物之950~1050cm-1下之源自Si-O-Si键之红外线吸收光谱之波峰位置设为b cm-1时，该热硬化系在满足5

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