基本信息:
- 专利标题： 半導體發光裝置之製造方法
- 专利标题（英）：Method of manufacturing semiconductor luminescent device
- 专利标题（中）：半导体发光设备之制造方法
- 申请号：TW104124389 申请日：2015-07-28
- 公开(公告)号：TWI666793B 公开(公告)日：2019-07-21
- 发明人： 吉川岳 , YOSHIKAWA, GAKU , 高島正之 , TAKASHIMA, MASAYUKI
- 申请人： 日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
- 专利权人： 日商住友化學股份有限公司,SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
- 当前专利权人： 日商住友化學股份有限公司,SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2014-152879 20140728
- 主分类号： H01L33/56
- IPC分类号： H01L33/56 ; C08G77/06 ; C08L83/06 ; H01L23/29 ; H01L23/31
公开/授权文献:
- TW201618338A 半導體發光裝置之製造方法 公开/授权日：2016-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L33/52 | ..封装 |
| ------------H01L33/56 | ...材料，例如环氧树脂或硅树脂 |