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    • 1. 发明专利
    • 發光裝置及螢光體
    • 发光设备及萤光体
    • TW201833302A
    • 2018-09-16
    • TW107103420
    • 2018-01-31
    • 日商三菱化學股份有限公司MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
    • 洪炳哲HONG, BYUNGCHUL池宮桂IKEMIYA, KATSURA小野塚亜裕子ONOZUKA, AYUKO
    • C09K11/77H01L33/50
    • 本發明之課題係提供一種在Si檢測器之高感度的波長區域發光的新穎紅外發光螢光體,及包含在紫外光或可見光的波長區域發光的半導體發光元件與該紅外發光螢光體的紅外發光裝置。本發明之該發光裝置,係包含發出紫外光或可見光的半導體發光元件與吸收從該半導體發光元件發出之紫外光或可見光紅外光域發光之螢光體的發光裝置,其特徵為:在該紅外光域發光的螢光體,其在紅外光域中的發光峰值波長位於波長700至1000nm之間;該發光峰值之波形的半值寬小於60nm,而可藉該發光裝置解決上述課題。
    • 本发明之课题系提供一种在Si检测器之高感度的波长区域发光的新颖红外发光萤光体,及包含在紫外光或可见光的波长区域发光的半导体发光组件与该红外发光萤光体的红外发光设备。本发明之该发光设备,系包含发出紫外光或可见光的半导体发光组件与吸收从该半导体发光组件发出之紫外光或可见光红外光域发光之萤光体的发光设备,其特征为:在该红外光域发光的萤光体,其在红外光域中的发光峰值波长位于波长700至1000nm之间;该发光峰值之波形的半值宽小于60nm,而可藉该发光设备解决上述课题。