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1. 发明专利

TW201719850A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201719850A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104139100
申请日：2015-11-25
申请人：新唐科技股份有限公司 , NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：鄒安莉 , TSOU, AL LI , 曾瑋豪 , TSENG, WEI HAO
IPC分类号： H01L23/60 , H01L21/8222
摘要：本揭露提供一種半導體裝置，包括：基板；第二導電型磊晶層，設於基板上；第一導電型磊晶層，設於第二導電型磊晶層上；第二導電型埋藏層，設於第二導電型磊晶層中；第一隔離溝槽、第二隔離溝槽及第三隔離溝槽，其中第一隔離溝槽與第二隔離溝槽之間的區域為第一隔離區，第二隔離溝槽與第三隔離溝槽之間的區域為第二隔離區；第一導電型第一重摻雜區，設於第一隔離區中的第二導電型磊晶層中；以及第二導電型第一重摻雜區，設於第二隔離區中的第一導電型磊晶層中。本揭露亦提供此半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备，包括：基板；第二导电型磊晶层，设于基板上；第一导电型磊晶层，设于第二导电型磊晶层上；第二导电型埋藏层，设于第二导电型磊晶层中；第一隔离沟槽、第二隔离沟槽及第三隔离沟槽，其中第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间的区域为第一隔离区，第二隔离沟槽与第三隔离沟槽之间的区域为第二隔离区；第一导电型第一重掺杂区，设于第一隔离区中的第二导电型磊晶层中；以及第二导电型第一重掺杂区，设于第二隔离区中的第一导电型磊晶层中。本揭露亦提供此半导体设备之制造方法。

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