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1. 发明专利

TWI701722B 形成具有垂直互連單元的低輪廓扇出封裝的半導體裝置及方法有权
简体标题：形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI701722B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW102141021
申请日：2013-11-12
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C. , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 崔源璟 , CHOI, WON KYOUNG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L25/04

2. 发明专利

TWI689054B 使用標準化載體以形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置及方法有权
简体标题：使用标准化载体以形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI689054B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107106172
申请日：2013-11-04
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56

3. 发明专利

TW201820553A 使用標準化載體以形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：使用标准化载体以形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201820553A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107106172
申请日：2013-11-04
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
摘要：本發明提供一種半導體裝置，該半導體裝置包含一標準化載體。一半導體晶圓包含複數個半導體晶粒以及一基底半導體材料。該半導體晶圓會被單體化裁切貫穿該基底半導體材料的一第一部分，以便分離該些半導體晶粒。該些半導體晶粒被設置在該標準化載體上方。該標準化載體的大小和半導體晶粒的大小無關。一囊封體會被沉積於該標準化載體上方以及半導體晶粒周圍。一互連結構會被形成於半導體晶粒上方，同時讓該囊封體不會有該互連結構。該半導體裝置會被單體化裁切貫穿該囊封體。囊封體會殘留設置在該半導體晶粒的一側邊上。或者，該半導體裝置會被單體化裁切貫穿該基底半導體的一第二部分並且貫穿該囊封體，以便從半導體晶粒的該側邊處移除該基底半導體的該第二部分和囊封體。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，该半导体设备包含一标准化载体。一半导体晶圆包含复数个半导体晶粒以及一基底半导体材料。该半导体晶圆会被单体化裁切贯穿该基底半导体材料的一第一部分，以便分离该些半导体晶粒。该些半导体晶粒被设置在该标准化载体上方。该标准化载体的大小和半导体晶粒的大小无关。一囊封体会被沉积于该标准化载体上方以及半导体晶粒周围。一互链接构会被形成于半导体晶粒上方，同时让该囊封体不会有该互链接构。该半导体设备会被单体化裁切贯穿该囊封体。囊封体会残留设置在该半导体晶粒的一侧边上。或者，该半导体设备会被单体化裁切贯穿该基底半导体的一第二部分并且贯穿该囊封体，以便从半导体晶粒的该侧边处移除该基底半导体的该第二部分和囊封体。

4. 发明专利

TWI620282B 使用標準化載體以形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置及方法有权
简体标题：使用标准化载体以形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI620282B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW102139930
申请日：2013-11-04
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/03

5. 发明专利

TW201423851A 形成具有垂直互連單元的低輪廓扇出封裝的半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201423851A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102141021
申请日：2013-11-12
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C. , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 崔源璟 , CHOI, WON KYOUNG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L25/04
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/568 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L2224/03 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置，其包含一半導體晶粒。一第一互連結構被設置在該半導體晶粒的一周邊區域上方。一半導體構件被設置在該半導體晶粒上方。該半導體構件包含一第二互連結構。該半導體構件係被設置在該半導體晶粒上方，以便對齊該第二互連結構和該第一互連結構。該第一互連結構包含複數個互連單元，該複數個互連單元被設置圍繞該半導體晶粒的第一與第二相鄰側邊，以便形成圍繞該半導體晶粒之該些互連單元的L形邊界。一第三互連結構被形成在該半導體晶粒上方，垂直於該第一互連結構。一絕緣層會被形成在該半導體晶粒和第一互連結構上方。複數個通孔會被形成貫穿該絕緣層並且被形成在該第一互連結構之中，該第二互連結構則被設置在該些通孔裡面。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，其包含一半导体晶粒。一第一互链接构被设置在该半导体晶粒的一周边区域上方。一半导体构件被设置在该半导体晶粒上方。该半导体构件包含一第二互链接构。该半导体构件系被设置在该半导体晶粒上方，以便对齐该第二互链接构和该第一互链接构。该第一互链接构包含复数个互连单元，该复数个互连单元被设置围绕该半导体晶粒的第一与第二相邻侧边，以便形成围绕该半导体晶粒之该些互连单元的L形边界。一第三互链接构被形成在该半导体晶粒上方，垂直于该第一互链接构。一绝缘层会被形成在该半导体晶粒和第一互链接构上方。复数个通孔会被形成贯穿该绝缘层并且被形成在该第一互链接构之中，该第二互链接构则被设置在该些通孔里面。

7. 发明专利

TWI651783B 形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置和方法有权
简体标题：形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备和方法
公开(公告)号：TWI651783B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW103136264
申请日：2014-10-21
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C. , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/768

8. 发明专利

TWI575565B 於晶圓級封裝之上使用紫外線固化導電油墨形成再佈線層的半導體裝置及方法有权
简体标题：于晶圆级封装之上使用紫外线固化导电油墨形成再布线层的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI575565B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102122675
申请日：2013-06-26
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：沈一權 , SHIM, IL KWON , 具俊謨 , KOO, JUN MO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/28 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L23/5328 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

9. 发明专利

TWI570820B 半導體元件和在晶粒及互連結構之間形成應力減輕層之方法有权
简体标题：半导体组件和在晶粒及互链接构之间形成应力减轻层之方法
公开(公告)号：TWI570820B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW099115255
申请日：2010-05-13
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：沈一權 , SHIM, IL KWON , 鄒勝原 , CHOW, SENG GUAN , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/52
CPC分类号： H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/20 , H01L2225/1035 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012

10. 发明专利

TWI518806B 具有凸件之積體電路封裝件系統有权
简体标题：具有凸件之集成电路封装件系统
公开(公告)号：TWI518806B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW097118850
申请日：2008-05-22
申请人：星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC LTD.
发明人：沈一權 , SHIM, IL KWON , 巴薩蘭傑弗里D , PUNZALAN, JEFFREY D. , 貝斯亨利帝斯卡羅 , BATHAN, HENRY DESCALZO
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49548 , H01L21/568 , H01L23/49503 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/48247 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

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