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1. 发明专利

TWI701722B 形成具有垂直互連單元的低輪廓扇出封裝的半導體裝置及方法有权
简体标题：形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI701722B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW102141021
申请日：2013-11-12
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C. , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 崔源璟 , CHOI, WON KYOUNG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L25/04

2. 发明专利

TW201838131A 半導體裝置和在埋藏晶圓級晶片尺寸封裝中沿半導體晶粒之側邊和表面邊緣沉積囊封劑的方法审中-公开
简体标题：半导体设备和在埋藏晶圆级芯片尺寸封装中沿半导体晶粒之侧边和表面边缘沉积囊封剂的方法
公开(公告)号：TW201838131A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107122625
申请日：2013-07-16
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 華茲海茲彼得 , WIRTZ, HEINZ-PETER , 尹勝煜 , YOON, SEUNG WOOK , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/28
摘要：一種半導體裝置係具有一包含複數個半導體晶粒的半導體晶圓。一絕緣層係形成在該半導體晶圓之上。該絕緣層的一部分係藉由雷射直接剝蝕(LDA)來加以移除，以露出該半導體晶粒的一主動表面的一部分。一第一導電層係形成在該半導體晶粒的該主動表面上的一接觸墊之上。該半導體晶圓係被單粒化以分開該半導體晶粒。該半導體晶粒係被設置在一載體之上，其中該半導體晶粒的該主動表面係從該載體加以偏置。一種囊封劑係沉積在該半導體晶粒及載體之上，以覆蓋該半導體晶粒的一側邊以及該主動表面的該露出的部分。一互連結構係形成在該第一導電層之上。或者是，一模製底膠填充(MUF)材料係沉積在該半導體晶粒的一側邊以及該主動表面的該露出的部分之上。
简体摘要：一种半导体设备系具有一包含复数个半导体晶粒的半导体晶圆。一绝缘层系形成在该半导体晶圆之上。该绝缘层的一部分系借由激光直接剥蚀(LDA)来加以移除，以露出该半导体晶粒的一主动表面的一部分。一第一导电层系形成在该半导体晶粒的该主动表面上的一接触垫之上。该半导体晶圆系被单粒化以分开该半导体晶粒。该半导体晶粒系被设置在一载体之上，其中该半导体晶粒的该主动表面系从该载体加以偏置。一种囊封剂系沉积在该半导体晶粒及载体之上，以覆盖该半导体晶粒的一侧边以及该主动表面的该露出的部分。一互链接构系形成在该第一导电层之上。或者是，一模制底胶填充(MUF)材料系沉积在该半导体晶粒的一侧边以及该主动表面的该露出的部分之上。

3. 发明专利

TWI689075B 半導體裝置和在埋藏晶圓級晶片尺寸封裝中沿半導體晶粒之側邊和表面邊緣沉積囊封劑的方法有权
简体标题：半导体设备和在埋藏晶圆级芯片尺寸封装中沿半导体晶粒之侧边和表面边缘沉积囊封剂的方法
公开(公告)号：TWI689075B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107122625
申请日：2013-07-16
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 華茲海茲彼得 , WIRTZ, HEINZ-PETER , 尹勝煜 , YOON, SEUNG WOOK , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/28

4. 发明专利

TWI689054B 使用標準化載體以形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置及方法有权
简体标题：使用标准化载体以形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI689054B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107106172
申请日：2013-11-04
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56

5. 发明专利

TW201903918A 半導體裝置和在重組晶圓中控制翹曲之方法审中-公开
简体标题：半导体设备和在重组晶圆中控制翘曲之方法
公开(公告)号：TW201903918A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107134961
申请日：2014-07-18
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：王建銘 , HENG,KIAN MENG , 高英華 , GOH,HIN HWA , 卡普拉斯瓊斯阿爾文 , CAPARAS,JOSE ALVIN , 陳康 , CHEN,KANG , 鄒勝源 , CHOW,SENG GUAN , 林耀劍 , LIN,YAOJIAN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/34
摘要：一種半導體裝置具有基板，帶有設置在所述基板上方的硬化層。所述基板的形狀為圓形或矩形。複數個半導體晶粒被設置在所述基板的一部分上方，同時留下所述基板的不含所述半導體晶粒的一開放區域。所述基板的不含所述半導體晶粒的所述開放區域包括中央區域或在所述半導體晶粒之間的間隙位置。所述半導體晶粒被設置於圍繞所述基板的周圍。囊封體沉積在所述半導體晶粒和所述基板上方。將所述基板移除，並且互連結構形成在所述半導體晶粒上方。藉由留下所述基板的不含所述半導體晶粒的所述預定區域，在所述半導體晶粒的熱膨脹係數和除去所述基板後重組的晶圓上的囊封體的熱膨脹係數之間的任何不匹配的翹曲效果降低。
简体摘要：一种半导体设备具有基板，带有设置在所述基板上方的硬化层。所述基板的形状为圆形或矩形。复数个半导体晶粒被设置在所述基板的一部分上方，同时留下所述基板的不含所述半导体晶粒的一开放区域。所述基板的不含所述半导体晶粒的所述开放区域包括中央区域或在所述半导体晶粒之间的间隙位置。所述半导体晶粒被设置于围绕所述基板的周围。囊封体沉积在所述半导体晶粒和所述基板上方。将所述基板移除，并且互链接构形成在所述半导体晶粒上方。借由留下所述基板的不含所述半导体晶粒的所述预定区域，在所述半导体晶粒的热膨胀系数和除去所述基板后重组的晶圆上的囊封体的热膨胀系数之间的任何不匹配的翘曲效果降低。

6. 发明专利

TW201820553A 使用標準化載體以形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：使用标准化载体以形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201820553A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107106172
申请日：2013-11-04
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
摘要：本發明提供一種半導體裝置，該半導體裝置包含一標準化載體。一半導體晶圓包含複數個半導體晶粒以及一基底半導體材料。該半導體晶圓會被單體化裁切貫穿該基底半導體材料的一第一部分，以便分離該些半導體晶粒。該些半導體晶粒被設置在該標準化載體上方。該標準化載體的大小和半導體晶粒的大小無關。一囊封體會被沉積於該標準化載體上方以及半導體晶粒周圍。一互連結構會被形成於半導體晶粒上方，同時讓該囊封體不會有該互連結構。該半導體裝置會被單體化裁切貫穿該囊封體。囊封體會殘留設置在該半導體晶粒的一側邊上。或者，該半導體裝置會被單體化裁切貫穿該基底半導體的一第二部分並且貫穿該囊封體，以便從半導體晶粒的該側邊處移除該基底半導體的該第二部分和囊封體。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，该半导体设备包含一标准化载体。一半导体晶圆包含复数个半导体晶粒以及一基底半导体材料。该半导体晶圆会被单体化裁切贯穿该基底半导体材料的一第一部分，以便分离该些半导体晶粒。该些半导体晶粒被设置在该标准化载体上方。该标准化载体的大小和半导体晶粒的大小无关。一囊封体会被沉积于该标准化载体上方以及半导体晶粒周围。一互链接构会被形成于半导体晶粒上方，同时让该囊封体不会有该互链接构。该半导体设备会被单体化裁切贯穿该囊封体。囊封体会残留设置在该半导体晶粒的一侧边上。或者，该半导体设备会被单体化裁切贯穿该基底半导体的一第二部分并且贯穿该囊封体，以便从半导体晶粒的该侧边处移除该基底半导体的该第二部分和囊封体。

7. 发明专利

TWI685903B 半導體裝置及形成微機電系統封裝的方法有权
简体标题：半导体设备及形成微机电系统封装的方法
公开(公告)号：TWI685903B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW104107899
申请日：2015-03-12
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 崔源璟 , CHOI, WON KYOUNG , 陳康 , CHEN, KANG , 米卡勒夫伊芳 , MICALLEF, IVAN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/538

8. 发明专利

TWI667759B 形成用於覆晶半導體晶粒的墊佈局的半導體裝置及方法有权
简体标题：形成用于覆晶半导体晶粒的垫布局的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI667759B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW105101199
申请日：2011-01-24
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：潘斯拉簡德拉D , PENDSE, RAJENDRA D.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60

9. 发明专利

TWI689017B 半導體裝置和在重組晶圓中控制翹曲之方法有权
简体标题：半导体设备和在重组晶圆中控制翘曲之方法
公开(公告)号：TWI689017B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107134961
申请日：2014-07-18
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：王建銘 , HENG,KIAN MENG , 高英華 , GOH,HIN HWA , 卡普拉斯瓊斯阿爾文 , CAPARAS,JOSE ALVIN , 陳康 , CHEN,KANG , 鄒勝源 , CHOW,SENG GUAN , 林耀劍 , LIN,YAOJIAN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/34

10. 发明专利

TWI680540B 形成低輪廓的嵌入式晶圓級球柵陣列模製的雷射封裝之半導體裝置及方法有权
简体标题：形成低轮廓的嵌入式晶圆级球栅数组模制的激光封装之半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI680540B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW106135932
申请日：2013-02-26
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：尹承昱 , YOON, SEUNG WOOK , 卡普拉斯瓊斯A , CAPARAS, JOSE A. , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/28

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