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    • 3. 发明专利
    • 固體攝像裝置及其製造方法與照像機
    • 固体摄像设备及其制造方法与照像机
    • TWI362108B
    • 2012-04-11
    • TW096142893
    • 2007-11-13
    • 新力股份有限公司
    • 東宮祥哲田谷圭司味沢治彥井上裕士岩下哲大加藤英明
    • H01LH04N
    • 本發明係提供一種即使設置光波導,亦可以較簡單之步驟製造之固體攝像裝置及其製造方法與照像機。該固體攝像裝置之構成為:在半導體基板(10)之成為受光面之像素區域RPX形成按各像素區分之光電二極體PD、和對產生及儲存於光電二極體之信號電荷或與信號電荷相對應之電壓進行讀取之信號讀取部,且覆蓋光電二極體地在半導體基板上形成絕緣膜(15~17、20~22、25~27、30、31、33),在光電二極體之上方部分於絕緣膜中形成凹部H,在電極墊區域RPAD於絕緣膜之上層形成電極墊32,又,覆蓋凹部之內壁地在電極墊更上層形成高折射率之鈍化膜36,在鈍化膜之上層填入凹部地形成高折射率之填入層37。
    • 本发明系提供一种即使设置光波导,亦可以较简单之步骤制造之固体摄像设备及其制造方法与照像机。该固体摄像设备之构成为:在半导体基板(10)之成为受光面之像素区域RPX形成按各像素区分之光电二极管PD、和对产生及存储于光电二极管之信号电荷或与信号电荷相对应之电压进行读取之信号读取部,且覆盖光电二极管地在半导体基板上形成绝缘膜(15~17、20~22、25~27、30、31、33),在光电二极管之上方部分于绝缘膜中形成凹部H,在电极垫区域RPAD于绝缘膜之上层形成电极垫32,又,覆盖凹部之内壁地在电极垫更上层形成高折射率之钝化膜36,在钝化膜之上层填入凹部地形成高折射率之填入层37。