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1. 发明专利

TW201106473A 固態影像拾取裝置，製造固態影像拾取裝置之方法，及電子裝置 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS 审中-公开
简体标题：固态影像十取设备，制造固态影像十取设备之方法，及电子设备 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS
公开(公告)号：TW201106473A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099112380
申请日：2010-04-20
申请人：新力股份有限公司
发明人：大塚洋一 , 小川和明 , 名取太知 , 山本篤志 , 越野安教 , 上家瞳 , 東宮祥哲 , 堂福忠幸 , 堀伊奈 , 勝谷隆之 , 狹山征博 , 下地誠也 , 田中良和
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H04N5/335 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14685
摘要：本文中揭示一種固態影像拾取裝置,其包括:一固態影像拾取元件,其可操作以根據所接收之光量來產生一電荷;一透鏡,其安置於該固態影像拾取元件之一像素之上側上;一保護膜,其覆蓋該透鏡之上側且其一表面係經平坦化;及一表面膜,其形成於該保護膜之該表面處且其親水性比該保護膜之內側高。
简体摘要：本文中揭示一种固态影像十取设备,其包括:一固态影像十取组件,其可操作以根据所接收之光量来产生一电荷;一透镜,其安置于该固态影像十取组件之一像素之上侧上;一保护膜,其覆盖该透镜之上侧且其一表面系经平坦化;及一表面膜,其形成于该保护膜之该表面处且其亲水性比该保护膜之内侧高。

2. 发明专利

TWI406404B 固態成像器件，其製造方法及成像裝置有权
简体标题：固态成像器件，其制造方法及成像设备
公开(公告)号：TWI406404B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098120699
申请日：2009-06-19
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：中田征志 , NAKATA, MASASHI , 味澤治彥 , AJISAWA, HARUHIKO , 吉田直嗣 , YOSHIDA, NAOTSUGU , 中野泰弘 , NAKANO, YASUHIRO , 古川順一 , FURUKAWA, JUNICHI , 東宮祥哲 , TOUMIYA, YOSHINORI , 藤曲潤一郎 , FUJIMAGARI, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685 , H01L27/14687

3. 发明专利

TWI362108B 固體攝像裝置及其製造方法與照像機有权
简体标题：固体摄像设备及其制造方法与照像机
公开(公告)号：TWI362108B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096142893
申请日：2007-11-13
申请人：新力股份有限公司
发明人：東宮祥哲 , 田谷圭司 , 味沢治彥 , 井上裕士 , 岩下哲大 , 加藤英明
IPC分类号： H01L , H04N
摘要：本發明係提供一種即使設置光波導，亦可以較簡單之步驟製造之固體攝像裝置及其製造方法與照像機。該固體攝像裝置之構成為：在半導體基板(10)之成為受光面之像素區域RPX形成按各像素區分之光電二極體PD、和對產生及儲存於光電二極體之信號電荷或與信號電荷相對應之電壓進行讀取之信號讀取部，且覆蓋光電二極體地在半導體基板上形成絕緣膜(15~17、20~22、25~27、30、31、33)，在光電二極體之上方部分於絕緣膜中形成凹部H，在電極墊區域RPAD於絕緣膜之上層形成電極墊32，又，覆蓋凹部之內壁地在電極墊更上層形成高折射率之鈍化膜36，在鈍化膜之上層填入凹部地形成高折射率之填入層37。
简体摘要：本发明系提供一种即使设置光波导，亦可以较简单之步骤制造之固体摄像设备及其制造方法与照像机。该固体摄像设备之构成为：在半导体基板(10)之成为受光面之像素区域RPX形成按各像素区分之光电二极管PD、和对产生及存储于光电二极管之信号电荷或与信号电荷相对应之电压进行读取之信号读取部，且覆盖光电二极管地在半导体基板上形成绝缘膜(15~17、20~22、25~27、30、31、33)，在光电二极管之上方部分于绝缘膜中形成凹部H，在电极垫区域RPAD于绝缘膜之上层形成电极垫32，又，覆盖凹部之内壁地在电极垫更上层形成高折射率之钝化膜36，在钝化膜之上层填入凹部地形成高折射率之填入层37。

4. 发明专利

TWI414063B 製造固態成像器件之方法及固態成像器件失效
简体标题：制造固态成像器件之方法及固态成像器件
公开(公告)号：TWI414063B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW099115851
申请日：2010-05-18
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：東宮祥哲 , TOUMIYA, YOSHINORI , 堀伊奈 , HORI, INA , 堂福忠幸 , DOFUKU, TADAYUKI , 上家瞳 , KAMIYA, HITOMI , 山本篤志 , YAMAMOTO, ATSUSHI , 名取太知 , NATORI, TAICHI
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/148

5. 发明专利

TW201126704A 固態攝像元件，其製造方法及使用該元件之電子裝置 SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：固态摄像组件，其制造方法及使用该组件之电子设备 SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME
公开(公告)号：TW201126704A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099116717
申请日：2010-05-25
申请人：新力股份有限公司
发明人：東宮祥哲 , 田淵清隆 , 志賀康幸 , 杉浦巖 , 宮下直幸 , 岩崎正則 , 國分勝則 , 山崎知洋
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L21/02263 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L31/02327
摘要：本發明揭示一種固態攝像元件,其包含:一半導體基板;形成於該半導體基板上且其中配置各具有一光電轉換部分之複數個像素之一像素部分;形成於該半導體基板上以便覆蓋該光電轉換部分之一絕緣層;形成於該絕緣層中且形成於該光電轉換部分上面之一洞部分;經形成以便覆蓋該洞部分之一底表面及一側表面之一氮化矽層;及形成於該氮化矽層上之一埋入層;其中形成該氮化矽層因而含有藉由利用原子層沈積方法形成之氮化矽。
简体摘要：本发明揭示一种固态摄像组件,其包含:一半导体基板;形成于该半导体基板上且其中配置各具有一光电转换部分之复数个像素之一像素部分;形成于该半导体基板上以便覆盖该光电转换部分之一绝缘层;形成于该绝缘层中且形成于该光电转换部分上面之一洞部分;经形成以便覆盖该洞部分之一底表面及一侧表面之一氮化硅层;及形成于该氮化硅层上之一埋入层;其中形成该氮化硅层因而含有借由利用原子层沉积方法形成之氮化硅。

6. 发明专利

TW201108405A 製造固態成像器件之方法及固態成像器件 METHOD OF MANUFACTURING SOLID STATE IMAGING DEVICE, AND SOLID STATE IMAGING DEVICE 失效
简体标题：制造固态成像器件之方法及固态成像器件 METHOD OF MANUFACTURING SOLID STATE IMAGING DEVICE, AND SOLID STATE IMAGING DEVICE
公开(公告)号：TW201108405A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099115851
申请日：2010-05-18
申请人：新力股份有限公司
发明人：東宮祥哲 , 堀伊奈 , 堂福忠幸 , 上家瞳 , 山本篤志 , 名取太知
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/148
摘要：本發明揭示一種製造一固態成像器件的方法,其包含以下步驟:於一半導體基板之一光接收區域中形成一光接收部分;於該半導體基板之一墊區域中形成一墊部分;於該光接收部分及該墊部分上方形成一微透鏡材料層;為該微透鏡材料層提供對應於該光接收部分的一微透鏡;於該微透鏡材料層上形成一低反射材料層;蝕刻該墊部分上方之該微透鏡材料層及該低反射材料層以形成一開口;及藉由一常溫氧自由基處理而對該低反射材料層之一表面及該開口之一內側部分賦予親水性。
简体摘要：本发明揭示一种制造一固态成像器件的方法,其包含以下步骤:于一半导体基板之一光接收区域中形成一光接收部分;于该半导体基板之一垫区域中形成一垫部分;于该光接收部分及该垫部分上方形成一微透镜材料层;为该微透镜材料层提供对应于该光接收部分的一微透镜;于该微透镜材料层上形成一低反射材料层;蚀刻该垫部分上方之该微透镜材料层及该低反射材料层以形成一开口;及借由一常温氧自由基处理而对该低反射材料层之一表面及该开口之一内侧部分赋予亲水性。

7. 发明专利

TWI401792B 固體攝像裝置及電子機器有权
简体标题：固体摄像设备及电子机器
公开(公告)号：TWI401792B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW098113232
申请日：2009-04-21
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：東宮祥哲 , TOUMIYA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685

8. 发明专利

TW201007935A 固體攝像裝置及電子機器审中-公开
简体标题：固体摄像设备及电子机器
公开(公告)号：TW201007935A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098113232
申请日：2009-04-21
申请人：新力股份有限公司
发明人：東宮祥哲
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685
摘要：本發明之目的在於提供一種可進一步改善暗電流及白點缺陷等之特性，並可提高感度及減低混色之固體攝像裝置與攝像機。本發明採用下列構成：形成有光電二極體PD，其係在半導體基板(10)積體形成有複數畫素之受光面中被形成於各畫素；形成有絕緣膜(15,16,17,20,21,22,25,26,27,30,31)，其係覆蓋光電二極體而形成於半導體基板上；形成有布線(19,24,29)，其係被埋入於絕緣膜而形成；形成有包含碳化矽之蝕刻阻擋膜ST，其係至少覆蓋光電二極體之形成區域而離開布線中之最下層之布線而形成於接近於半導體基板之側；形成有凹部H，其係在光電二極體之上方部分，以達到蝕刻阻擋膜之方式被形成於絕緣膜；形成有光波導路(36,37)，其係具有比埋入於凹部而形成之絕緣膜更高之折射率。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可进一步改善暗电流及白点缺陷等之特性，并可提高感度及减低混色之固体摄像设备与摄像机。本发明采用下列构成：形成有光电二极管PD，其系在半导体基板(10)积体形成有复数像素之受光面中被形成于各像素；形成有绝缘膜(15,16,17,20,21,22,25,26,27,30,31)，其系覆盖光电二极管而形成于半导体基板上；形成有布线(19,24,29)，其系被埋入于绝缘膜而形成；形成有包含碳化硅之蚀刻阻挡膜ST，其系至少覆盖光电二极管之形成区域而离开布线中之最下层之布线而形成于接近于半导体基板之侧；形成有凹部H，其系在光电二极管之上方部分，以达到蚀刻阻挡膜之方式被形成于绝缘膜；形成有光波导路(36,37)，其系具有比埋入于凹部而形成之绝缘膜更高之折射率。

9. 发明专利

TW201003908A 固態成像器件，其製造方法及成像裝置 SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND IMAGING APPARATUS 审中-公开
简体标题：固态成像器件，其制造方法及成像设备 SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND IMAGING APPARATUS
公开(公告)号：TW201003908A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098120699
申请日：2009-06-19
申请人：新力股份有限公司
发明人：中田征志 , 味澤治彥 , 吉田直嗣 , 中野泰弘 , 古川順一 , 東宮祥哲 , 藤曲潤一郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要：本發明揭示一種固態成像器件，其包括一半導體基板，其具有一像素區，該像素區包括一光電轉換部分；一佈線部分，其包括一導體線路且佈置於該半導體基板上，其間具有一絕緣膜；一金屬墊，其連接至該導體線路；一墊塗布絕緣膜，其塗布該金屬墊；及一波導材料層。該佈線部分及該墊塗布絕緣膜在該光電轉換部分之上各具有一開口位於其中，及該等開口彼此綿延以界定一波導開口，其具有一敞開側及一閉合側。該波導材料層係佈置在該波導開口中及該墊塗布絕緣膜上，其間具有一鈍化層。該墊塗布絕緣膜具有一厚度為50至250nm，及具有一面界定該開口。該面係傾斜的，以便使其朝該開口之敞開側偏離。
简体摘要：本发明揭示一种固态成像器件，其包括一半导体基板，其具有一像素区，该像素区包括一光电转换部分；一布线部分，其包括一导体线路且布置于该半导体基板上，其间具有一绝缘膜；一金属垫，其连接至该导体线路；一垫涂布绝缘膜，其涂布该金属垫；及一波导材料层。该布线部分及该垫涂布绝缘膜在该光电转换部分之上各具有一开口位于其中，及该等开口彼此绵延以界定一波导开口，其具有一敞开侧及一闭合侧。该波导材料层系布置在该波导开口中及该垫涂布绝缘膜上，其间具有一钝化层。该垫涂布绝缘膜具有一厚度为50至250nm，及具有一面界定该开口。该面系倾斜的，以便使其朝该开口之敞开侧偏离。

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