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    • 7. 发明专利
    • 用於可流動式CVD的雙遠端電漿源的集成
    • 用于可流动式CVD的双远程等离子源的集成
    • TW201833378A
    • 2018-09-16
    • TW106141333
    • 2017-11-28
    • 美商應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 馬瑩MA, YING瑞吉 戴米恩RAJ, DAEMIAN賓森二世 傑DPINSON II, JAY D.李 東擎LI, DONGQING梁璟梅LIANG, JINGMEI張軼珍ZHANG, YIZHEN
    • C23C16/455C23C16/458
    • 本文中描述的實現方式總體涉及一種用於形成可流動膜的設備。在一個實現方式中,設備是包括第一RPS和第二RPS的處理腔室,第一RPS被耦接到處理腔室的蓋,第二RPS被耦接到處理腔室的側壁。第一RPS用於將沉積自由基傳遞到處理腔室中的處理區域中,並且第二RPS用於將清潔自由基傳遞到處理區域中。處理腔室還包括自由基傳遞環,所述自由基傳遞環設置在噴頭與基板支撐件之間,用於將清潔自由基從第二RPS傳遞到處理區域中。具有用於沉積和清潔的單獨RPS以及使用單獨傳遞通道將自由基從所述RPS引入到處理區域中使RPS上的交叉污染和迴圈變化最小化,從而導致改進的沉積速率漂移和顆粒效能。
    • 本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中,设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室,第一RPS被耦接到处理腔室的盖,第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中,并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环,所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间,用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递信道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化,从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。