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1. 发明专利

TWI700388B 用於可流動式CVD的雙遠端電漿源的集成有权
简体标题：用于可流动式CVD的双远程等离子源的集成
公开(公告)号：TWI700388B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106141333
申请日：2017-11-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 張軼珍 , ZHANG, YIZHEN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458

2. 发明专利

TWI511198B 包括低ｋ值之介電質的微電子結構及控制該結構內碳分布之方法有权
简体标题：包括低ｋ值之介电质的微电子结构及控制该结构内碳分布之方法
公开(公告)号：TWI511198B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100105662
申请日：2011-02-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：謝波 , XIE, BO , 狄摩斯亞歷山卓T , DEMOS, ALEXANDROS T. , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 吳修 , NGO, SURE , 任康樹 , YIM, KANG SUB
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/32
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/30 , C23C16/45523 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76835

3. 发明专利

TW201535567A 用於減少落下粒子缺陷之底部泵與淨化及底部臭氧清潔硬體审中-公开
简体标题：用于减少落下粒子缺陷之底部泵与净化及底部臭氧清洁硬件
公开(公告)号：TW201535567A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104102860
申请日：2015-01-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：甘古德阿布希吉 , KANGUDE, ABHIJIT , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/4408
摘要：本文所述的實施例一般係關於防止半導體處理腔室內的污染物沉積以及從半導體處理腔室移除污染物。底部淨化與泵送分別可防止基座加熱器之下的污染物沉積或從基座之下排出污染物。底部淨化可防止污染物沉積於基座之下，並且提供來自處理腔室的排氣係實質上定位成共平面於要處理的基板。底部泵送可從處理腔室移除基座之下存在的污染物。具體地，本文所述的實施例係關於經由基座波紋管及/或等化埠口之淨化與泵送。
简体摘要：本文所述的实施例一般系关于防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别可防止基座加热器之下的污染物沉积或从基座之下排出污染物。底部净化可防止污染物沉积于基座之下，并且提供来自处理腔室的排气系实质上定位成共平面于要处理的基板。底部泵送可从处理腔室移除基座之下存在的污染物。具体地，本文所述的实施例系关于经由基座波纹管及/或等化端口口之净化与泵送。

4. 发明专利

TW201843340A 用於可流動式CVD的擴散器設計审中-公开
简体标题：用于可流动式CVD的扩散器设计
公开(公告)号：TW201843340A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107104918
申请日：2018-02-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 奇科卡諾夫葛瑞格 , CHICHKANOFF, GREG
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/505
摘要：本文所述的實施方式大體上關於用於形成可流動膜的設備。在一個實施方式中，設備為擴散器，該擴散器包括具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面的主體、形成在該第一表面中的複數個圓頂結構、形成在該第二表面中的中心歧管及經耦接在該中心歧管及該複數個圓頂結構中之相應一者之間的複數個管狀導管，該複數個管狀導管的至少一部分相對於該第一表面的平面對角地定位。
简体摘要：本文所述的实施方式大体上关于用于形成可流动膜的设备。在一个实施方式中，设备为扩散器，该扩散器包括具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面的主体、形成在该第一表面中的复数个圆顶结构、形成在该第二表面中的中心歧管及经耦接在该中心歧管及该复数个圆顶结构中之相应一者之间的复数个管状导管，该复数个管状导管的至少一部分相对于该第一表面的平面对角地定位。

5. 发明专利

TWI638417B 用於減少落下粒子缺陷之底部泵與淨化及底部臭氧清潔硬體有权
简体标题：用于减少落下粒子缺陷之底部泵与净化及底部臭氧清洁硬件
公开(公告)号：TWI638417B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW104102860
申请日：2015-01-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：甘古德阿布希吉 , KANGUDE, ABHIJIT , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN
IPC分类号： H01L21/67

6. 发明专利

TW201836441A 遠端電漿流動性CVD腔室的方法及設備审中-公开
简体标题：远程等离子流动性CVD腔室的方法及设备
公开(公告)号：TW201836441A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105519
申请日：2018-02-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 波克瑞爾安凱特 , POKHREL, ANKIT , 奇科卡諾夫葛瑞格 , CHICHKANOFF, GREG , 張軼珍 , ZHANG, YIZHEN , 梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：本案揭露的實施例一般係關於電漿處理系統。電漿處理系統包括處理腔室、腔室陳化系統和遠端電漿清洗系統。處理腔室具有界定處理區域和電漿場的腔室主體。腔室陳化系統耦接到處理腔室。腔室陳化系統經配置而陳化處理區域和電漿場。遠端電漿清洗系統與處理腔室通信。遠端電漿清洗系統經配置清洗處理區域和電漿場。
简体摘要：本案揭露的实施例一般系关于等离子处理系统。等离子处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子清洗系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子场。远程等离子清洗系统与处理腔室通信。远程等离子清洗系统经配置清洗处理区域和等离子场。

7. 发明专利

TW201833378A 用於可流動式CVD的雙遠端電漿源的集成审中-公开
简体标题：用于可流动式CVD的双远程等离子源的集成
公开(公告)号：TW201833378A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141333
申请日：2017-11-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 張軼珍 , ZHANG, YIZHEN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要：本文中描述的實現方式總體涉及一種用於形成可流動膜的設備。在一個實現方式中，設備是包括第一RPS和第二RPS的處理腔室，第一RPS被耦接到處理腔室的蓋，第二RPS被耦接到處理腔室的側壁。第一RPS用於將沉積自由基傳遞到處理腔室中的處理區域中，並且第二RPS用於將清潔自由基傳遞到處理區域中。處理腔室還包括自由基傳遞環，所述自由基傳遞環設置在噴頭與基板支撐件之間，用於將清潔自由基從第二RPS傳遞到處理區域中。具有用於沉積和清潔的單獨RPS以及使用單獨傳遞通道將自由基從所述RPS引入到處理區域中使RPS上的交叉污染和迴圈變化最小化，從而導致改進的沉積速率漂移和顆粒效能。
简体摘要：本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室，第一RPS被耦接到处理腔室的盖，第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中，并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间，用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递信道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化，从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。

8. 发明专利

TW201446346A 腔室元件的濕式清潔法审中-公开
简体标题：腔室组件的湿式清洁法
公开(公告)号：TW201446346A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103105344
申请日：2014-02-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 圖瑞斯基伊納 , TUREVSKY, INNA
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12
CPC分类号： C11D11/007 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D11/0041 , H01L21/67028
摘要：本發明實施例大體上提供清潔紫外線(UV)處理腔室元件的方法。在一實施例中，清潔UV處理腔室元件的方法包括將元件上形成有SiCO殘餘物的腔室元件浸泡在清潔溶液中約1分鐘至10分鐘。該清潔溶液包含約5重量%至60重量%的NH4F及約0.5重量%至10重量%的HF。該方法亦包括拋光該腔室元件。在另一實施例中，清潔由石英製成之處理腔室元件的方法包括將元件上形成有SiCO殘餘物的腔室元件浸泡在含有約36重量%之NH4F及約5重量%之HF的清潔溶液中約3分鐘。該方法亦包括對該清潔溶液施加超音波功率，及機械性地拋光該腔室元件。
简体摘要：本发明实施例大体上提供清洁紫外线(UV)处理腔室组件的方法。在一实施例中，清洁UV处理腔室组件的方法包括将组件上形成有SiCO残余物的腔室组件浸泡在清洁溶液中约1分钟至10分钟。该清洁溶液包含约5重量%至60重量%的NH4F及约0.5重量%至10重量%的HF。该方法亦包括抛光该腔室组件。在另一实施例中，清洁由石英制成之处理腔室组件的方法包括将组件上形成有SiCO残余物的腔室组件浸泡在含有约36重量%之NH4F及约5重量%之HF的清洁溶液中约3分钟。该方法亦包括对该清洁溶液施加超音波功率，及机械性地抛光该腔室组件。

9. 发明专利

TW201413042A 用於清洗紫外線腔室的方法與硬體审中-公开
简体标题：用于清洗紫外线腔室的方法与硬件
公开(公告)号：TW201413042A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102129861
申请日：2013-08-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 狄摩斯亞歷山卓T , DEMOS, ALEXANDER T. , 陳勁文 , CHAN, KELVIN , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 漢翠森史考特A , HENDRICKSON, SCOTT A. , 甘古德阿布希吉 , KANGUDE, ABHIJIT , 圖瑞斯基伊納 , TUREVSKY, INNA , 查哈布拉瑪亨德拉 , CHHABRA, MAHENDRA , 諾瓦克湯瑪斯 , NOWAK, THOMAS , 姚大平 , YAO, DAPING , 謝波 , XIE, BO , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0021 , B08B7/0057 , C11D11/0041 , C23C16/45565 , C23C16/482
摘要：本發明係關於一種用於紫外線腔室之清洗方法，該方法涉及提供第一清洗氣體、第二清洗氣體及淨化氣體至該腔室中之一或更多個開口。第一清洗氣體可為諸如臭氧之含氧氣體以移除碳殘留物。第二清洗氣體可為NF3及O2之遠端電漿以移除矽殘留物。該紫外線腔室可具有兩個紫外線透明噴頭，該等噴頭連同腔室蓋中之紫外線窗一起在該紫外線窗之附近界定氣體容積，及位於該氣體容積之下的分佈容積。當清洗氣體中之一或更多種流至分佈容積中時，淨化氣體可流經氣體容積，以防止清洗氣體撞擊在紫外線透明窗上。
简体摘要：本发明系关于一种用于紫外线腔室之清洗方法，该方法涉及提供第一清洗气体、第二清洗气体及净化气体至该腔室中之一或更多个开口。第一清洗气体可为诸如臭氧之含氧气体以移除碳残留物。第二清洗气体可为NF3及O2之远程等离子以移除硅残留物。该紫外线腔室可具有两个紫外线透明喷头，该等喷头连同腔室盖中之紫外线窗一起在该紫外线窗之附近界定气体容积，及位于该气体容积之下的分布容积。当清洗气体中之一或更多种流至分布容积中时，净化气体可流经气体容积，以防止清洗气体撞击在紫外线透明窗上。

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