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2. 发明专利

TWI475593B 用於溫度控制的堆疊式比例閥、電漿處理裝置及方法有权
简体标题：用于温度控制的堆栈式比例阀、等离子处理设备及方法
公开(公告)号：TWI475593B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW101139108
申请日：2012-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：莫利華特R , MERRY, WALTER R.
IPC分类号： H01J37/32 , F16K51/02
CPC分类号： H01J37/32522 , Y10T137/86541 , Y10T137/86622 , Y10T137/86863

3. 发明专利

TW201322304A 具有堆疊式比例閥之溫度控制审中-公开
简体标题：具有堆栈式比例阀之温度控制
公开(公告)号：TW201322304A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101139108
申请日：2012-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：莫利華特R , MERRY, WALTER R.
IPC分类号： H01J37/32 , F16K51/02
CPC分类号： H01J37/32522 , Y10T137/86541 , Y10T137/86622 , Y10T137/86863
摘要：本發明揭示一種堆疊式比例閥，該堆疊式比例閥具有：主體，該主體具有至少兩組埠，該至少兩組埠沿著主體之縱向長度安置在不同位置處，每一組埠包括至少三個埠，該至少三個埠位於不同角度位置處以耦接至流體導管；轉子，該轉子安置在閥體中，該轉子具有沿著縱向長度堆疊之至少兩個段，每一段包含與該等組埠中之一組埠縱向對準之三個流體通道；及驅動軸，該驅動軸固定至轉子，驅動軸在角度位置上旋轉轉子，以將該等組埠中之每一組埠中之埠對根據轉子的角度位置同時流體地耦接在一起。在實施例中，諸如電漿蝕刻腔室之電漿處理腔室之元件藉由堆疊式比例閥流體地耦接至熱的及冷的冷卻器兩者之貯槽。
简体摘要：本发明揭示一种堆栈式比例阀，该堆栈式比例阀具有：主体，该主体具有至少两组端口，该至少两组端口沿着主体之纵向长度安置在不同位置处，每一组端口包括至少三个端口，该至少三个端口位于不同角度位置处以耦接至流体导管；转子，该转子安置在阀体中，该转子具有沿着纵向长度堆栈之至少两个段，每一段包含与该等组端口中之一组端口纵向对准之三个流体信道；及驱动轴，该驱动轴固定至转子，驱动轴在角度位置上旋转转子，以将该等组端口中之每一组端口中之端口对根据转子的角度位置同时流体地耦接在一起。在实施例中，诸如等离子蚀刻腔室之等离子处理腔室之组件借由堆栈式比例阀流体地耦接至热的及冷的冷却器两者之贮槽。

4. 发明专利

TWI345875B 使用可變阻抗分析描述匹配網路特性之方法 MATCHING NETWORK CHARACTERIZATION USING VARIABLE IMPEDANCE ANALYSIS 失效
简体标题：使用可变阻抗分析描述匹配网络特性之方法 MATCHING NETWORK CHARACTERIZATION USING VARIABLE IMPEDANCE ANALYSIS
公开(公告)号：TWI345875B
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：TW096133290
申请日：2007-09-06
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：薛儂史蒂芬C , 霍夫曼丹尼爾J , 蘭史蒂芬 , 莫利華特R , 迪內夫吉可
IPC分类号： H03H , H01L
CPC分类号： H03H7/38 , H03H11/28
摘要：本發明提供一種使用可變阻抗分析計算匹配網路的等效串聯電阻的方法及使用該方法分析的匹配網路。在一實施例中，一種計算匹配網路的等效串聯電阻的方法包括：將匹配網路連接到負載；測量在負載阻抗的範圍內的匹配網路的輸出；以及基於所測量的輸出和負載電阻之間的關係而計算匹配網路的等效串聯電阻。該負載可以為替代負載或可以為在處理腔室中形成的電漿。
简体摘要：本发明提供一种使用可变阻抗分析计算匹配网络的等效串联电阻的方法及使用该方法分析的匹配网络。在一实施例中，一种计算匹配网络的等效串联电阻的方法包括：将匹配网络连接到负载；测量在负载阻抗的范围内的匹配网络的输出；以及基于所测量的输出和负载电阻之间的关系而计算匹配网络的等效串联电阻。该负载可以为替代负载或可以为在处理腔室中形成的等离子。

5. 发明专利

TW201215248A 使用脈衝式熱傳流體流動的電漿處理設備中的溫度控制 TEMPERATURE CONTROL IN PLASMA PROCESSING APPARATUS USING PULSED HEAT TRANSFER FLUID FLOW 审中-公开
简体标题：使用脉冲式热传流体流动的等离子处理设备中的温度控制 TEMPERATURE CONTROL IN PLASMA PROCESSING APPARATUS USING PULSED HEAT TRANSFER FLUID FLOW
公开(公告)号：TW201215248A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100120026
申请日：2011-06-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：塔法梭利哈米德 , 周逍平 , 奈菲爾雪尼C , 布卻柏格道格拉斯A , 席門瑞費南多M , 梅斯貝德L , 崇堤納 , 馬哈丹瓦瑞思瓦明契單 , 帕堤爾央夏維倪B , 尼古言杜依D , 莫利華特R
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/2001 , H05H1/34
摘要：茲描述透過脈衝式施加加熱功率和脈衝式施加冷卻功率來控制電漿處理腔室溫度的方法和系統。在一實施例中,溫度控制係至少部分依據前饋控制訊號,前饋控制訊號源自輸入處理腔室的電漿功率。在進一步的實施例中,部分利用耦接二儲液槽的鈍化連通管,以維持熱與冷儲液槽各自的液位,儲液槽耦接溫度控制部件。在另一實施例中,隨取決於加熱/冷卻工作循環値和比例循環脈寬,打開數位式熱傳流體流量控制閥,且比例循環具有提供良好溫度控制性能的持續時間。
简体摘要：兹描述透过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子处理腔室温度的方法和系统。在一实施例中,温度控制系至少部分依据前馈控制信号,前馈控制信号源自输入处理腔室的等离子功率。在进一步的实施例中,部分利用耦接二储液槽的钝化连通管,以维持热与冷储液槽各自的液位,储液槽耦接温度控制部件。在另一实施例中,随取决于加热/冷却工作循环値和比例循环脉宽,打开数码式热传流体流量控制阀,且比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。

6. 发明专利

TWI365497B 用以移除晶圓背側聚合物與晶圓前側光阻的製程 PROCESS FOR WAFER BACKSIDE POLYMER REMOVAL AND WAFER FRONT SIDE PHOTORESIST REMOVAL 失效
简体标题：用以移除晶圆背侧聚合物与晶圆前侧光阻的制程 PROCESS FOR WAFER BACKSIDE POLYMER REMOVAL AND WAFER FRONT SIDE PHOTORESIST REMOVAL
公开(公告)号：TWI365497B
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW097117039
申请日：2008-05-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：柯林肯尼S , 塙廣二 , 蓋葉安德魯恩 , 羅夫沙西德 , 芭拉克利斯納阿傑 , 托多羅瓦倫汀N , 卡提克拉馬斯瓦米 , 紗麗訥絲馬丁傑夫瑞 , 尤瑟夫以馬德 , 莫利華特R , 瑞英 , 萊斯麥可R
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B7/00 , B08B7/0035 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/0209 , H01L21/67069 , H01L21/67115 , H01L21/68764
摘要：本發明提供了一種用於自工件背側移除聚合物和/或自工件前側移除光阻的製程。對於背側聚合物之移除，晶圓位於頂壁(ceiling)附近，並且位於具有貫穿腔室側壁的側面出口之定域或遠端電漿源的上方，並且藉由旋轉工件之同時亦使電漿副產物從側面出口流動到晶圓背側來移除背側聚合物。對於前側光阻之移除，晶圓位於遠離頂壁和定域電漿源的側面出口之下方，並且藉由旋轉工件之同時亦使電漿副產物從側面出口流動到晶圓前側來移除前側光阻。
简体摘要：本发明提供了一种用于自工件背侧移除聚合物和/或自工件前侧移除光阻的制程。对于背侧聚合物之移除，晶圆位于顶壁(ceiling)附近，并且位于具有贯穿腔室侧壁的侧面出口之定域或远程等离子源的上方，并且借由旋转工件之同时亦使等离子副产物从侧面出口流动到晶圆背侧来移除背侧聚合物。对于前侧光阻之移除，晶圆位于远离顶壁和定域等离子源的侧面出口之下方，并且借由旋转工件之同时亦使等离子副产物从侧面出口流动到晶圆前侧来移除前侧光阻。

7. 发明专利

TW200943411A 用於自晶圓背側及邊緣移除聚合物的方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING POLYMER FROM THE WAFER BACKSIDE AND EDGE 审中-公开
简体标题：用于自晶圆背侧及边缘移除聚合物的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING POLYMER FROM THE WAFER BACKSIDE AND EDGE
公开(公告)号：TW200943411A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097147714
申请日：2008-12-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：尤瑟夫以馬德 , 喜納安克 , 芭拉克利斯納阿傑 , 馮南茜 , 瑞英 , 紗麗訥絲馬丁傑夫瑞 , 莫利華特R , 羅夫沙西德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/02087 , H01L21/0209
摘要：使用穿過反應器側壁且具有與晶圓邊緣相匹配之曲率的拱形側邊氣體注入噴嘴，並且為噴嘴提供來自遠端電漿源的電漿副產物，以從固持於反應器內支撐台座上的晶圓之背側移除掉聚合物。
简体摘要：使用穿过反应器侧壁且具有与晶圆边缘相匹配之曲率的拱形侧边气体注入喷嘴，并且为喷嘴提供来自远程等离子源的等离子副产物，以从固持于反应器内支撑台座上的晶圆之背侧移除掉聚合物。

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