专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201820523A 靜電吸座及用以吸附基板之方法审中-公开
简体标题：静电吸座及用以吸附基板之方法
公开(公告)号：TW201820523A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106126982
申请日：2017-08-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 拉奧沙蕾莎 , RAO, SHREESHA Y.
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00
摘要：此處所述係一種靜電吸座及一種使用其之方法。於一例子中，一種靜電吸座係提供而包括數個獨立可置換之靜電吸座組件，遍佈一吸座主體固定成一陣列。靜電吸座組件定義一基板支撐表面，用以支撐一大面積基板。此些靜電吸座組件之至少一第一靜電吸座組件獨立於此些靜電吸座組件之一第二靜電吸座組件之一操作為可操作。於再另一例子中，一種用以吸附一基板之方法係提供。
简体摘要：此处所述系一种静电吸座及一种使用其之方法。于一例子中，一种静电吸座系提供而包括数个独立可置换之静电吸座组件，遍布一吸座主体固定成一数组。静电吸座组件定义一基板支撑表面，用以支撑一大面积基板。此些静电吸座组件之至少一第一静电吸座组件独立于此些静电吸座组件之一第二静电吸座组件之一操作为可操作。于再另一例子中，一种用以吸附一基板之方法系提供。

2. 发明专利

TW201805475A 全域逆流熱交換基板支撐件审中-公开
简体标题：全域逆流热交换基板支撑件
公开(公告)号：TW201805475A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106113074
申请日：2017-04-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC
发明人：懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/458 , F28D15/00 , F28F9/02 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/505 , F28D15/00 , F28F9/026 , F28F2250/10 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/3321
摘要：在此所描述的實施例大致上是有關於一種基板支撐組件中的溫度控制系統。在一實施例中，揭露一種基板支撐組件。基板支撐組件包括支撐板組件。支撐板組件包括一第一流體供應歧管、一第二流體供應歧管、一第一流體回流歧管、一第二流體回流歧管、複數個第一流體通道、複數個第二流體通道以及一流體供應導管。該些第一流體通道從第一流體供應歧管延伸至第一流體回流歧管。該些第二流體通道從第二流體供應歧管延伸至第二流體回流歧管。該些流體通道以一交替方式延伸橫跨支撐板組件的上表面。流體供應導管係配置成用以將一流體供應至流體供應歧管。
简体摘要：在此所描述的实施例大致上是有关于一种基板支撑组件中的温度控制系统。在一实施例中，揭露一种基板支撑组件。基板支撑组件包括支撑板组件。支撑板组件包括一第一流体供应歧管、一第二流体供应歧管、一第一流体回流歧管、一第二流体回流歧管、复数个第一流体信道、复数个第二流体信道以及一流体供应导管。该些第一流体信道从第一流体供应歧管延伸至第一流体回流歧管。该些第二流体信道从第二流体供应歧管延伸至第二流体回流歧管。该些流体信道以一交替方式延伸横跨支撑板组件的上表面。流体供应导管系配置成用以将一流体供应至流体供应歧管。

3. 发明专利

TWI576458B 用於控制基板上之沉積的設備有权
简体标题：用于控制基板上之沉积的设备
公开(公告)号：TWI576458B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW102109741
申请日：2013-03-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王群華 , WANG, QUNHUA , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 古田學 , FURUTA, GAKU , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO
IPC分类号： C23C16/04
CPC分类号： C23C14/042 , C23C16/042

4. 发明专利

TWI553146B 使用微波電漿之薄膜沉積有权
简体标题：使用微波等离子之薄膜沉积
公开(公告)号：TWI553146B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100147511
申请日：2011-12-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：元泰景 , WON, TAE KYUNG , 諾密達海琳達 , NOMINANDA, HELINDA , 卓尚美 , CHO, SEON-MEE , 崔秀英 , CHOI, SOO YOUNG , 朴炳碩 , PARK, BEAM SOO , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45578 , C23C16/511 , C23C16/545 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244

5. 发明专利

TW201542861A 允許低壓汰換工具之原子層沉積處理腔室及具有其之處理系統审中-公开
简体标题：允许低压汰换工具之原子层沉积处理腔室及具有其之处理系统
公开(公告)号：TW201542861A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104101825
申请日：2015-01-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：栗田真一 , KURITA, SHINICHI , 庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 海斯戴德 , HAAS, DIETER
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54 , H01L51/50
CPC分类号： C23C16/45548 , C23C16/042 , C23C16/4402 , C23C16/54 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J37/32853 , H01J37/32899 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68742 , H01L51/0011 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L51/56
摘要：本揭露書是有關於一種用於元件製造之一原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)處理腔室之方法及設備，以及其汰換一氣體配送板與遮罩之方法。ALD處理腔室具有一狹縫閥，其允許一氣體配送板與遮罩之移除與汰換。ALD處理腔室也可具有多個致動器及一基板支撐組件，致動器可操作來使氣體配送板移動至一製程位置，以及從一製程位置移動出來，基板支撐組件可操作來使遮罩移動至一製程位置，以及從一製程位置移動出來。
简体摘要：本揭露书是有关于一种用于组件制造之一原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)处理腔室之方法及设备，以及其汰换一气体配送板与遮罩之方法。ALD处理腔室具有一狭缝阀，其允许一气体配送板与遮罩之移除与汰换。ALD处理腔室也可具有多个致动器及一基板支撑组件，致动器可操作来使气体配送板移动至一制程位置，以及从一制程位置移动出来，基板支撑组件可操作来使遮罩移动至一制程位置，以及从一制程位置移动出来。

6. 发明专利

TW201539617A 允許低壓汰渙工具之薄膜封裝處理系統及製程套組审中-公开
简体标题：允许低压汰涣工具之薄膜封装处理系统及制程套组
公开(公告)号：TW201539617A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104101824
申请日：2015-01-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：栗田真一 , KURITA, SHINICHI , 庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 海斯戴德 , HAAS, DIETER
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： C23C16/45548 , C23C16/042 , C23C16/4402 , C23C16/54 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J37/32853 , H01J37/32899 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/68742 , H01L51/0011 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L51/56
摘要：本揭露書是有關於用於一薄膜封裝(Thin Film Encapsulation,TFE)之方法及設備。提供一種用於TFE之製程套組。製程套組係包括一窗口、一平行於窗口之遮罩及一框之一組件。製程套組更包括用以將製程氣體流進窗口與遮罩間之空間的一入口通道、用以將廢氣從窗口與遮罩間之空間排出的一出口通道，以及用以防止製程氣體與廢氣流動至不期望之位置的密封件。提供一種執行TFE的方法，包括將一基板放置在上述製程套組之遮罩下方、使製程氣體流入製程套組內，以及藉由一能量源之方法將一些製程氣體在一處理腔室內激活成反應物種。
简体摘要：本揭露书是有关于用于一薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)之方法及设备。提供一种用于TFE之制程套组。制程套组系包括一窗口、一平行于窗口之遮罩及一框之一组件。制程套组更包括用以将制程气体流进窗口与遮罩间之空间的一入口信道、用以将废气从窗口与遮罩间之空间排出的一出口信道，以及用以防止制程气体与废气流动至不期望之位置的密封件。提供一种运行TFE的方法，包括将一基板放置在上述制程套组之遮罩下方、使制程气体流入制程套组内，以及借由一能量源之方法将一些制程气体在一处理腔室内激活成反应物种。

7. 发明专利

TW201535575A 基板載體及應用其之處理系統與傳輸基板之方法审中-公开
简体标题：基板载体及应用其之处理系统与传输基板之方法
公开(公告)号：TW201535575A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103132563
申请日：2014-09-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王作乾 , WANG, ZUOQIAN , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/042 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45578 , C23C16/4587 , C23C16/463 , C23C16/545 , F26B3/00 , F27B1/08 , H01L21/67109 , H01L21/6732 , H01L21/67706 , H01L21/67712 , H01L21/67718 , H01L21/67742 , H05B3/03
摘要：一種適用於使用在一處理系統中的基板載體包括一電極組及一支撐底座。電極組配置以產生一靜電吸力，用以固定一基板於基板載體。支撐底座具有一加熱/冷卻槽形成於其中。電極組及支撐底座係形成一單一主體，配置以傳輸於處理系統中。一快卸連接器係耦接於主體且配置以在主體係與一熱調節媒介之一源解除耦接時，限制熱調節媒介於加熱/冷卻槽中。
简体摘要：一种适用于使用在一处理系统中的基板载体包括一电极组及一支撑底座。电极组配置以产生一静电吸力，用以固定一基板于基板载体。支撑底座具有一加热/冷却槽形成于其中。电极组及支撑底座系形成一单一主体，配置以传输于处理系统中。一快卸连接器系耦接于主体且配置以在主体系与一热调节媒介之一源解除耦接时，限制热调节媒介于加热/冷却槽中。

8. 实用新型

TWM492529U 使用具有加熱器的基板支撐台的基板支撐組件有权
简体标题：使用具有加热器的基板支撑台的基板支撑组件
公开(公告)号：TWM492529U
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW103202922
申请日：2014-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：古田學 , FURUTA, GAKU , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG
IPC分类号： H01L21/683

9. 发明专利

TW201343959A 線性電漿輔助化學氣相沈積設備审中-公开
简体标题：线性等离子辅助化学气相沉积设备
公开(公告)号：TW201343959A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102105486
申请日：2013-02-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 蘇倫珊卡爾 , SORENSEN, CARL A. , 促翁格道格拉斯 , TRUONG, DOUGLAS , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54
摘要：本發明一般係有關於一種線性電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)設備。此設備係設計來同時處理兩個基板，使得基板共用電漿源及氣體源。此設備具有數個微波源，中央地設置於設備之腔體內。此些基板設置於微波源之相對側，且氣體源設置於微波源與基板之間。共用之微波源及氣體源允許數個基板同時進行處理且減少每個基板的處理成本。
简体摘要：本发明一般系有关于一种线性等离子辅助化学气相沉积(PECVD)设备。此设备系设计来同时处理两个基板，使得基板共享等离子源及气体源。此设备具有数个微波源，中央地设置于设备之腔体内。此些基板设置于微波源之相对侧，且气体源设置于微波源与基板之间。共享之微波源及气体源允许数个基板同时进行处理且减少每个基板的处理成本。

10. 发明专利

TWI664308B 基板載體及應用其之處理系統與傳輸基板之方法有权
简体标题：基板载体及应用其之处理系统与传输基板之方法
公开(公告)号：TWI664308B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103132562
申请日：2014-09-22
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王作乾 , WANG, ZUOQIAN , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/00 , C23C14/00 , H01L21/67 , H01L21/677

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式