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    • 7. 发明专利
    • 用於在半導體應用中使用超臨界流體的方法和設備
    • 用于在半导体应用中使用超临界流体的方法和设备
    • TW201843785A
    • 2018-12-16
    • TW107111552
    • 2018-04-02
    • 美商應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 德爾馬斯 琴DELMAS, JEAN維哈佛貝可 史帝文VERHAVERBEKE, STEVEN
    • H01L23/42H01L23/46H01L21/67
    • 提供了一種用於處理基板的方法和設備。二氧化碳液體的進料流在壓力下自進料供應器被供應至純化容器。在該純化容器中的該二氧化碳液體在單級蒸餾製程中被蒸餾以形成純化的二氧化碳氣體。該處理方法包含以下步驟:藉由與來自製冷系統的製冷劑進行熱交換來冷凝在該冷凝器中的該純化的二氧化碳氣體以形成純化的二氧化碳液體。該純化的二氧化碳液體被加熱至高於臨界點的目標溫度以使得該純化的二氧化碳液體變為超臨界二氧化碳流體。該處理方法包含以下步驟:使用該超臨界二氧化碳流體以清潔被設置在處理腔室中的基板。
    • 提供了一种用于处理基板的方法和设备。二氧化碳液体的进料流在压力下自进料供应器被供应至纯化容器。在该纯化容器中的该二氧化碳液体在单级蒸馏制程中被蒸馏以形成纯化的二氧化碳气体。该处理方法包含以下步骤:借由与来自制冷系统的制冷剂进行热交换来冷凝在该冷凝器中的该纯化的二氧化碳气体以形成纯化的二氧化碳液体。该纯化的二氧化碳液体被加热至高于临界点的目标温度以使得该纯化的二氧化碳液体变为超临界二氧化碳流体。该处理方法包含以下步骤:使用该超临界二氧化碳流体以清洁被设置在处理腔室中的基板。