专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI650442B 溫度控制的基板支撐組件有权
简体标题：温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TWI650442B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104103592
申请日：2015-02-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI , 郭智強 , GUO, ZHIQIANG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C14/50 , C23C16/54 , H01L21/67

2. 发明专利

TW201537672A 具有用於改善溫度分布之外部流量調整的靜電吸座审中-公开
简体标题：具有用于改善温度分布之外部流量调整的静电吸座
公开(公告)号：TW201537672A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103146117
申请日：2014-12-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布薛馬修J , BUSCHE, MATTHEW J. , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 波亞二世威德 , BOYD, JR., WENDELL , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05K7/20218
摘要：說明一種靜電吸座，具有用於改善溫度分布之外部流量調整。在一個例子中，設備具有介電圓盤以靜電力抓取矽晶圓。冷卻板係緊固並熱耦合至陶瓷圓盤。供應氣室接收來自外部源的冷卻劑，且複數個冷卻劑腔室係熱耦合至冷卻板，並接收來自供應氣室的冷卻劑。返回氣室係耦接至冷卻區域，以從冷卻區域排出冷卻劑，且複數個流量控制閥係設於供應氣室和冷卻區域之各者間，以控制從供應氣室到冷卻區域的冷卻劑流速。
简体摘要：说明一种静电吸座，具有用于改善温度分布之外部流量调整。在一个例子中，设备具有介电圆盘以静电力抓取硅晶圆。冷却板系紧固并热耦合至陶瓷圆盘。供应气室接收来自外部源的冷却剂，且复数个冷却剂腔室系热耦合至冷却板，并接收来自供应气室的冷却剂。返回气室系耦接至冷却区域，以从冷却区域排出冷却剂，且复数个流量控制阀系设于供应气室和冷却区域之各者间，以控制从供应气室到冷却区域的冷却剂流速。

3. 发明专利

TW201534754A 像素化溫度控制的基板支撐組件审中-公开
简体标题：像素化温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TW201534754A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104103592
申请日：2015-02-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI , 郭智強 , GUO, ZHIQIANG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C14/50 , C23C16/54 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831
摘要：本文所述之實施方式提供像素化基板支撐組件，該組件賦能靜電夾盤與加熱組件之間熱傳遞之側向及方位角調諧。像素化基板支撐組件包括上表面及下表面；安置於像素化基板支撐件中之一或更多個主要電阻式加熱器；及複數個像素加熱器，該等像素加熱器與主要電阻式加熱器同行並且安置於基板支撐件中。像素加熱器數量是大於主要電阻式加熱器數量之數量級，並且像素加熱器相對於彼此及相對於主要電阻式加熱器皆為獨立可控的。
简体摘要：本文所述之实施方式提供像素化基板支撑组件，该组件赋能静电夹盘与加热组件之间热传递之侧向及方位角调谐。像素化基板支撑组件包括上表面及下表面；安置于像素化基板支撑件中之一或更多个主要电阻式加热器；及复数个像素加热器，该等像素加热器与主要电阻式加热器同行并且安置于基板支撑件中。像素加热器数量是大于主要电阻式加热器数量之数量级，并且像素加热器相对于彼此及相对于主要电阻式加热器皆为独立可控的。

4. 发明专利

TWI695906B 溫度控制的基板支撐組件有权
简体标题：温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TWI695906B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107147096
申请日：2015-02-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE,VIJAY D. , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV,KONSTANTIN , 小野真德 , ONO,MASANORI , 郭智強 , GUO,ZHIQIANG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C14/50 , C23C16/54 , H01L21/67

5. 发明专利

TW201947702A 具有閉環夾持力控制的即時監測审中-公开
简体标题：具有闭环夹持力控制的实时监测
公开(公告)号：TW201947702A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108116655
申请日：2019-05-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：波亞二世威德格恩 , BOYD, JR., WENDELL GLENN , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 布薛馬修詹姆士 , BUSCHE, MATTHEW JAMES , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI , 薩奇山恩 , THACH, SENH
IPC分类号： H01L21/687
摘要：本文揭示的實施例包括一種用於最小化工件上的夾持力的方法，該工件設置在電漿處理腔室內的靜電吸盤上。該方法首先將工件放在處理腔室中的靜電吸盤上。在該處理腔室內轟擊電漿。監測該工件上的偏轉力。以最小值施加夾持電壓。以最小壓力施加背面氣體壓力。調整該夾持電壓及/或該背面氣體壓力，使得該偏轉力小於閾值。而且，同時地斜升該夾持電壓和該背面氣體壓力。
简体摘要：本文揭示的实施例包括一种用于最小化工件上的夹持力的方法，该工件设置在等离子处理腔室内的静电吸盘上。该方法首先将工件放在处理腔室中的静电吸盘上。在该处理腔室内轰击等离子。监测该工件上的偏转力。以最小值施加夹持电压。以最小压力施加背面气体压力。调整该夹持电压及/或该背面气体压力，使得该偏转力小于阈值。而且，同时地斜升该夹持电压和该背面气体压力。

6. 发明专利

TW201528425A 具有用於改善溫度分布的內部流量調整的靜電吸座审中-公开
简体标题：具有用于改善温度分布的内部流量调整的静电吸座
公开(公告)号：TW201528425A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103145528
申请日：2014-12-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 布薛馬修J , BUSCHE, MATTHEW J. , 包伊德二世溫德爾 , BOYD JR., WENDELL , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/67109 , Y10T137/0318
摘要：說明一種靜電吸座，具有用於改善溫度分布之外部流量調整。在一個例子中，設備具有介電圓盤以靜電力抓取矽晶圓。冷卻板係緊固並熱耦合至陶瓷圓盤。供應氣室接收來自外部源的冷卻劑，且複數個冷卻劑腔室係熱耦合至冷卻板，並接收來自供應氣室的冷卻劑。返回氣室係耦接至冷卻區域，以從冷卻區域排出冷卻劑。複數個可調整流孔係設於供應氣室和冷卻區域之各者間，以控制從供應氣室到冷卻區域的冷卻劑流速。
简体摘要：说明一种静电吸座，具有用于改善温度分布之外部流量调整。在一个例子中，设备具有介电圆盘以静电力抓取硅晶圆。冷却板系紧固并热耦合至陶瓷圆盘。供应气室接收来自外部源的冷却剂，且复数个冷却剂腔室系热耦合至冷却板，并接收来自供应气室的冷却剂。返回气室系耦接至冷却区域，以从冷却区域排出冷却剂。复数个可调整流孔系设于供应气室和冷却区域之各者间，以控制从供应气室到冷却区域的冷却剂流速。

7. 发明专利

TW201518538A 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件审中-公开
简体标题：像素化冷却温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TW201518538A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103136673
申请日：2014-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 博尹德溫德爾二世 , BOYDE, WENDELL, JR. , 布薛馬修詹姆士 , BUSCHE, MATTHEW JAMES , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN , 小野真德 , ONO, MASANORI , 薩奇山恩 , THACH, SENH
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/458 , H01L21/67 , C23C14/56
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：茲描述的實作提供了像素化基板支撐組件，該像素化基板支撐組件致使橫向及方位兩者的靜電夾具與冷卻基座之間之熱傳送的調諧，該冷卻基座包括該基板支撐組件，此舉順次允許了在該基板支撐組件上處理的基板之橫向及方位兩者的調諧。具有像素化基板支撐組件的處理腔室及利用像素化基板支撐組件以用於處理基板的方法亦被提供。
简体摘要：兹描述的实作提供了像素化基板支撑组件，该像素化基板支撑组件致使横向及方位两者的静电夹具与冷却基座之间之热发送的调谐，该冷却基座包括该基板支撑组件，此举顺次允许了在该基板支撑组件上处理的基板之横向及方位两者的调谐。具有像素化基板支撑组件的处理腔室及利用像素化基板支撑组件以用于处理基板的方法亦被提供。

8. 发明专利

TW201920759A 溫度控制的基板支撐組件审中-公开
简体标题：温度控制的基板支撑组件
公开(公告)号：TW201920759A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107147096
申请日：2015-02-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕克維傑D , PARKHE,VIJAY D. , 馬可拉契夫康斯坦汀 , MAKHRATCHEV,KONSTANTIN , 小野真德 , ONO,MASANORI , 郭智強 , GUO,ZHIQIANG
IPC分类号： C23C16/46 , C23C14/50 , C23C16/54 , H01L21/67
摘要：本文所述之實施方式提供像素化基板支撐組件，該組件賦能靜電夾盤與加熱組件之間熱傳遞之側向及方位角調諧。像素化基板支撐組件包括上表面及下表面；安置於像素化基板支撐件中之一或更多個主要電阻式加熱器；及複數個像素加熱器，該等像素加熱器與主要電阻式加熱器同行並且安置於基板支撐件中。像素加熱器數量是大於主要電阻式加熱器數量之數量級，並且像素加熱器相對於彼此及相對於主要電阻式加熱器皆為獨立可控的。
简体摘要：本文所述之实施方式提供像素化基板支撑组件，该组件赋能静电夹盘与加热组件之间热传递之侧向及方位角调谐。像素化基板支撑组件包括上表面及下表面；安置于像素化基板支撑件中之一或更多个主要电阻式加热器；及复数个像素加热器，该等像素加热器与主要电阻式加热器同行并且安置于基板支撑件中。像素加热器数量是大于主要电阻式加热器数量之数量级，并且像素加热器相对于彼此及相对于主要电阻式加热器皆为独立可控的。

9. 发明专利

TW445302B 利用電子束的真空蒸鍍裝置有权
简体标题：利用电子束的真空蒸镀设备
公开(公告)号：TW445302B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW088103007
申请日：1999-02-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：小野真德
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/30 , H01J37/3178
摘要：本發明係提供一種可提供一良好階梯覆蓋之利用電子束的真空蒸鍍裝置。此外，本發明係提供一種可在一大口徑或大面積之基板上進行均一地長膜的電子束蒸鍍裝置。
其係將一電子束源所放射出的電子束導入於一真空反應室中，並使其照射於一面積至少與一應長膜之基板相同，且與該基板相向而設的長膜物質靶。設置於該靶之背後的旋轉磁鐵係可於該靶的表面附近產生一磁場，而使電子束擴散，進而使電子束全面地照射於該靶上。藉由自該靶的全體表面均勻地釋放出物質，即可於基板上形成一均勻的膜。
简体摘要：本发明系提供一种可提供一良好阶梯覆盖之利用电子束的真空蒸镀设备。此外，本发明系提供一种可在一大口径或大面积之基板上进行均一地长膜的电子束蒸镀设备。其系将一电子束源所放射出的电子束导入于一真空反应室中，并使其照射于一面积至少与一应长膜之基板相同，且与该基板相向而设的长膜物质靶。设置于该靶之背后的旋转磁铁系可于该靶的表面附近产生一磁场，而使电子束扩散，进而使电子束全面地照射于该靶上。借由自该靶的全体表面均匀地释放出物质，即可于基板上形成一均匀的膜。

10. 发明专利

TW439168B 用以維持一工件於一工件支撐架上之設備及其製造方法失效
简体标题：用以维持一工件于一工件支撑架上之设备及其制造方法
公开(公告)号：TW439168B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW088119975
申请日：1999-11-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：小野真德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02N13/00 , H01L21/6831 , Y10T279/23
摘要：用以維持一工件於一工件支撐架上之設備及其製造方法該設備包含一黏著層，一絕緣層其是由一具有一第一電阻係數之基材所製成的，一電極層，一混合/黏著層及一工件支撐層其是由一基材及一摻雜物所製成,該摻雜物具有一第二電阻係數，其中該工件支撐層的電阻係數係低於第一電阻係數。該等多電阻係數層為靜電夾頭建立一詹森拉貝克(Johnson-Rahbek)效應，同時不會對夾頭的強度及使用壽命造成不良的影響。該方法包括的步驟為設置一黏著層，設置一絕緣層，設置一電極層，設置一混合/黏著層，設置一工件支撐層，將該等層硬化並在工件支撐層上形成多個溝槽。
简体摘要：用以维持一工件于一工件支撑架上之设备及其制造方法该设备包含一黏着层，一绝缘层其是由一具有一第一电阻系数之基材所制成的，一电极层，一混合/黏着层及一工件支撑层其是由一基材及一掺杂物所制成,该掺杂物具有一第二电阻系数，其中该工件支撑层的电阻系数系低于第一电阻系数。该等多电阻系数层为静电夹头创建一詹森拉贝克(Johnson-Rahbek)效应，同时不会对夹头的强度及使用寿命造成不良的影响。该方法包括的步骤为设置一黏着层，设置一绝缘层，设置一电极层，设置一混合/黏着层，设置一工件支撑层，将该等层硬化并在工件支撑层上形成多个沟槽。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式