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1. 发明专利

TWI512872B 具均勻的流動及電漿分佈之腔室有权
简体标题：具均匀的流动及等离子分布之腔室
公开(公告)号：TWI512872B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099138698
申请日：2010-11-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID , 威沃斯麥克D , WILLWERTH, MICHAEL D. , 依倫史汀艾立士 , ERENSTEIN, ALEX , 劉金寶 , LIU, JINGBAO
IPC分类号： H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/32816 , H01J37/32844

2. 发明专利

TW201528330A 藉由冷卻劑流量控制及加熱器任務週期控制之組件溫度控制审中-公开
简体标题：借由冷却剂流量控制及加热器任务周期控制之组件温度控制
公开(公告)号：TW201528330A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW104106858
申请日：2011-05-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬哈丹瓦瑞思瓦明契單 , MAHADESWARASWAMY, CHETAN , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 廖布萊恩 , LIAO, BRYAN , 修吉瑟吉歐 , SHOJI, SERGIO , 尼古言杜依D , NGUYEN, DUY D. , 挪貝克許哈密 , NOORBAKHSH, HAMID , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID
IPC分类号： H01J37/32 , G05B23/00
CPC分类号： G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248
摘要：茲描述在電漿處理腔室中控制溫度的方法和系統，以供大範圍設定溫度及減少能量消耗之用。冷卻液迴路與熱源間的溫度控制由控制演算法協調，該控制演算法由電漿處理模組控制器施行。該控制演算法可響應指示實際溫度低於設定溫度的反饋訊號，而完全停止冷卻液流入溫度控制之組件。該控制演算法更可於製程配方執行期間，至少部分依據前饋控制訊號，該前饋控制訊號係源自輸入該處理腔室的電漿功率或電漿功率變化。
简体摘要：兹描述在等离子处理腔室中控制温度的方法和系统，以供大范围设置温度及减少能量消耗之用。冷却液回路与热源间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子处理模块控制器施行。该控制算法可响应指示实际温度低于设置温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度控制之组件。该控制算法更可于制程配方运行期间，至少部分依据前馈控制信号，该前馈控制信号系源自输入该处理腔室的等离子功率或等离子功率变化。

3. 发明专利

TW201608661A 用於化學蝕刻介電質材料的腔室設備审中-公开
简体标题：用于化学蚀刻介电质材料的腔室设备
公开(公告)号：TW201608661A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104120527
申请日：2015-06-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳天發 , TAN, TIEN FAK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID , 湯亞歷山大 , TAM, ALEXANDER , 陳紹方 , CHEN, SHAOFENG
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32522 , H01J37/32715
摘要：本案的實施方式一般提供一種用於處理腔室的改善基座加熱器。所述基座加熱器包括控溫板和基板接收板，所述控溫板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述控溫板包括內部區域、外部區域和設置在所述內部區域和所述外部區域之間的連續熱扼流器，所述內部區域包括第一組加熱元件，所述外部區域包括第二組加熱元件，所述外部區域圍繞所述內部區域，以及所述基板接收板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控溫板的所述第一表面。所述連續熱扼流器使得能夠在所述內部區域和所述外部區域之間產生和操縱非常小的溫度梯度，從而允許在所述基板的表面上實現中央快速蝕刻輪廓或者邊緣快速蝕刻輪廓。
简体摘要：本案的实施方式一般提供一种用于处理腔室的改善基座加热器。所述基座加热器包括控温板和基板接收板，所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述控温板包括内部区域、外部区域和设置在所述内部区域和所述外部区域之间的连续热扼流器，所述内部区域包括第一组加热组件，所述外部区域包括第二组加热组件，所述外部区域围绕所述内部区域，以及所述基板接收板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控温板的所述第一表面。所述连续热扼流器使得能够在所述内部区域和所述外部区域之间产生和操纵非常小的温度梯度，从而允许在所述基板的表面上实现中央快速蚀刻轮廓或者边缘快速蚀刻轮廓。

4. 发明专利

TWI517761B 屏蔽性蓋加熱器組件有权
简体标题：屏蔽性盖加热器组件
公开(公告)号：TWI517761B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW098109260
申请日：2009-03-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：威爾沃夫麥可D , WILLWERTH, MICHAEL D. , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID , 托多羅瓦倫汀N , TODOROW, VALENTIN N. , 尤史帝芬 , YUEN, STEPHEN
IPC分类号： H05H1/02 , H05K9/00
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/22 , C23C16/44 , H01F21/12 , H01J37/32321 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H05B6/02 , H05B6/108

5. 发明专利

TWI452649B 電漿反應器腔室中具有晶圓邊緣氣體注入之陰極襯墊失效
简体标题：等离子反应器腔室中具有晶圆边缘气体注入之阴极衬垫
公开(公告)号：TWI452649B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW097134230
申请日：2008-09-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡茲丹 , KATZ, DAN , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID , 威爾沃夫麥可D , WILLWERTH, MICHAEL D. , 托多羅瓦倫汀N , TODOROW, VALENTIN N. , 彼得森亞歷桑德M , PATERSON, ALEXANDER M.
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L2924/19042

6. 发明专利

TWI615883B 用於藉由冷卻劑流量控制及加熱器任務週期控制之組件溫度控制的方法及電腦可讀取媒體有权
简体标题：用于借由冷却剂流量控制及加热器任务周期控制之组件温度控制的方法及电脑可读取媒体
公开(公告)号：TWI615883B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105137549
申请日：2011-05-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬哈丹瓦瑞思瓦明契單 , MAHADESWARASWAMY,CHETAN , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY,KARTIK , 廖布萊恩 , LIAO,BRYAN , 修吉瑟吉歐 , SHOJI,SERGIO , 尼古言杜依D , NGUYEN,DUY D. , 挪貝克許哈密 , NOORBAKHSH,HAMID , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI,DAVID
IPC分类号： H01J37/32 , G05B23/00
CPC分类号： G05D23/19 , G05B15/02 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67248

7. 发明专利

TW201142972A 具均勻的流動及電漿分佈之腔室 CHAMBER WITH UNIFORM FLOW AND PLASMA DISTRIBUTION 审中-公开
简体标题：具均匀的流动及等离子分布之腔室 CHAMBER WITH UNIFORM FLOW AND PLASMA DISTRIBUTION
公开(公告)号：TW201142972A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099138698
申请日：2010-11-10
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帕拉葛西維里大衛 , 威沃斯麥克D , 依倫史汀艾立士 , 劉金寶
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/32816 , H01J37/32844
摘要：本發明之具體實施例提供一種遞迴襯墊系統,其有助於在接近基材表面處提供更均勻的氣體流,其中基材設置在用以處理基材之設備(例如,製程腔室)內。於某些具體實施例中,遞迴襯墊系統可包括:外側襯墊,具有外側部份經配置以作為製程腔室之壁的襯裡、底部份,自外側部份向內延伸,以及唇部,自底部份向上延伸,以界定井部;以及內側襯墊,具有下部份經配置以至少部分設置於井部中,以與外側襯墊一起於其間界定一遞迴流路徑。
简体摘要：本发明之具体实施例提供一种递归衬垫系统,其有助于在接近基材表面处提供更均匀的气体流,其中基材设置在用以处理基材之设备(例如,制程腔室)内。于某些具体实施例中,递归衬垫系统可包括:外侧衬垫,具有外侧部份经配置以作为制程腔室之壁的衬里、底部份,自外侧部份向内延伸,以及唇部,自底部份向上延伸,以界定井部;以及内侧衬垫,具有下部份经配置以至少部分设置于井部中,以与外侧衬垫一起于其间界定一递归流路径。

8. 发明专利

TW201130084A 具有減少的電弧作用之靜電夾盤 ELECTROSTATIC CHUCK WITH REDUCED ARCING 审中-公开
简体标题：具有减少的电弧作用之静电夹盘 ELECTROSTATIC CHUCK WITH REDUCED ARCING
公开(公告)号：TW201130084A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099139813
申请日：2010-11-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：威沃斯麥克D , 帕拉葛西維里大衛 , 布希博格二世道格拉斯A , 千范麥可G
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , Y10T279/23
摘要：在此提供靜電夾盤的實施例。在一些實施例中，靜電夾盤可包括：一主體，其具有一具凹口的上周邊邊緣，該邊緣是由一第一表面與一階梯狀第二表面所界定，該第一表面垂直於一主體側壁，該階梯狀第二表面配置在該第一表面及一主體上表面之間，該主體尚具有複數個孔洞，該等孔洞配置在沿該第一表面穿過主體處；複數個緊固件，該等緊固件配置成穿過該複數個孔洞，以將該主體耦接配置在該主體下方的一基座；一介電構件，該介電構件配置在該主體上表面之上以靜電式固持一基材；一絕緣環，其在該具凹口的上周邊邊緣內繞該主體配置，並且具有一階梯狀內側壁，該階梯狀內側壁接合該階梯狀第二表面以界定該二表面之間的一非線性界面；以及一邊緣環，其配置在該絕緣環之上，該非線性界面限制該邊緣環與該緊固件之間的電弧作用。
简体摘要：在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，静电夹盘可包括：一主体，其具有一具凹口的上周边边缘，该边缘是由一第一表面与一阶梯状第二表面所界定，该第一表面垂直于一主体侧壁，该阶梯状第二表面配置在该第一表面及一主体上表面之间，该主体尚具有复数个孔洞，该等孔洞配置在沿该第一表面穿过主体处；复数个紧固件，该等紧固件配置成穿过该复数个孔洞，以将该主体耦接配置在该主体下方的一基座；一介电构件，该介电构件配置在该主体上表面之上以静电式固持一基材；一绝缘环，其在该具凹口的上周边边缘内绕该主体配置，并且具有一阶梯状内侧壁，该阶梯状内侧壁接合该阶梯状第二表面以界定该二表面之间的一非线性界面；以及一边缘环，其配置在该绝缘环之上，该非线性界面限制该边缘环与该紧固件之间的电弧作用。

9. 发明专利

TW201004487A 屏蔽性蓋加熱器組件 SHIELDED LID HEATER ASSEMBLY 审中-公开
简体标题：屏蔽性盖加热器组件 SHIELDED LID HEATER ASSEMBLY
公开(公告)号：TW201004487A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098109260
申请日：2009-03-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：威爾沃夫麥可D , 帕拉葛西維里大衛 , 托多羅瓦倫汀N , 尤史帝芬
IPC分类号： H05H , H05K
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/22 , C23C16/44 , H01F21/12 , H01J37/32321 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H05B6/02 , H05B6/108
摘要：本發明提供一適於與電漿處理室一同使用的屏蔽性蓋加熱器、一具有屏蔽性蓋加熱器之電漿處理室，及一電漿處理的方法。本發明之方法及設備係增進在一電漿處理室中電漿位置的位置控制，且可用於蝕刻、沉積、佈植、及熱處理系統，以及其他期望控制電漿位置的應用。在一實施例中，係提供一種屏蔽性蓋加熱器，其包含將一加熱器元件夾設在其間的鋁底座及RF屏蔽。
简体摘要：本发明提供一适于与等离子处理室一同使用的屏蔽性盖加热器、一具有屏蔽性盖加热器之等离子处理室，及一等离子处理的方法。本发明之方法及设备系增进在一等离子处理室中等离子位置的位置控制，且可用于蚀刻、沉积、布植、及热处理系统，以及其他期望控制等离子位置的应用。在一实施例中，系提供一种屏蔽性盖加热器，其包含将一加热器组件夹设在其间的铝底座及RF屏蔽。

10. 发明专利

TWI666714B 用於化學蝕刻介電質材料的腔室設備有权
简体标题：用于化学蚀刻介电质材料的腔室设备
公开(公告)号：TWI666714B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104120527
申请日：2015-06-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳天發 , TAN, TIEN FAK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T. , 帕拉葛西維里大衛 , PALAGASHVILI, DAVID , 湯亞歷山大 , TAM, ALEXANDER , 陳紹方 , CHEN, SHAOFENG
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311

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