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1. 发明专利

TWI479670B 成膜裝置、成膜裝置之維護方法有权
简体标题：成膜设备、成膜设备之维护方法
公开(公告)号：TWI479670B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100122312
申请日：2011-06-24
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：林卓郎 , HAYASHI, TAKURO , 曾我部浩二 , SOGABE, KOUJI , 松本浩一 , MATSUMOTO, KOICHI , 橋本征典 , HASHIMOTO, MASANORI , 中村久三 , NAKAMURA, KYUZO , 萩原宗源 , HAGIWARA, MUNEMOTO , 內田寬人 , UCHIDA, HIROTO , 森勝彥 , MORI, KATSUHIKO , 清水康男 , SHIMIZU, YASUO , 坂元盛昭 , SAKAMOTO, MORIAKI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L21/205
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521

2. 发明专利

TW201021149A 基板管理方法审中-公开
公开(公告)号：TW201021149A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098133960
申请日：2009-10-07
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：石田正彥 , 森本直樹 , 曾我部浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/67253
摘要： [課題]對於會在靜電吸盤處而導致應處理之基板的破損之基板狀態,作確實的掌握。[解決手段]靜電吸盤,係具備有:吸盤本體(1),係具有電極(3a、3b);和吸盤平板(2),係身為介電質,且具備有能夠與基板的外週緣部作面接觸之肋部(2a)、以及在被肋部(2a)所包圍之內部空間(2b)中而存在有特定之間隔地被立起設置之複數個的支持部(2c);和氣體導入手段,係將特定之氣體導入至內部空間中,且該靜電吸盤,係藉由吸盤平板來將基板作吸著,且能夠將特定之氣體供給至前述內部空間內並形成氣體氛圍,當在該靜電吸盤處而將基板作保持的情況時,係經由交流電源而流動通過吸盤平板之靜電電容的交流電流,並對於該電流値作監視,並且,經由氣體導入手段來流動前述氣體,並對該氣體流量作監視,而由電流値以及氣體流量中之至少其中一方的變化量,來進行基板狀態之管理,而成為不會導致基板之破損。
简体摘要： [课题]对于会在静电吸盘处而导致应处理之基板的破损之基板状态,作确实的掌握。[解决手段]静电吸盘,系具备有:吸盘本体(1),系具有电极(3a、3b);和吸盘平板(2),系身为介电质,且具备有能够与基板的外周缘部作面接触之肋部(2a)、以及在被肋部(2a)所包围之内部空间(2b)中而存在有特定之间隔地被立起设置之复数个的支持部(2c);和气体导入手段,系将特定之气体导入至内部空间中,且该静电吸盘,系借由吸盘平板来将基板作吸着,且能够将特定之气体供给至前述内部空间内并形成气体氛围,当在该静电吸盘处而将基板作保持的情况时,系经由交流电源而流动通过吸盘平板之静电电容的交流电流,并对于该电流値作监视,并且,经由气体导入手段来流动前述气体,并对该气体流量作监视,而由电流値以及气体流量中之至少其中一方的变化量,来进行基板状态之管理,而成为不会导致基板之破损。

3. 发明专利

TW201214741A 成膜裝置、成膜裝置之維護方法 FILM FORMATION APPARATUS AND MAINTENANCE METHOD OF THE SAME 审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜设备之维护方法 FILM FORMATION APPARATUS AND MAINTENANCE METHOD OF THE SAME
公开(公告)号：TW201214741A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100122312
申请日：2011-06-24
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：林卓郎 , 曾我部浩二 , 松本浩一 , 橋本征典 , 中村久三 , 萩原宗源 , 內田寬人 , 森勝彥 , 清水康男 , 坂元盛昭
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明之成膜裝置於成膜室之兩側之側面下部，分別於各2處而總計4處設置有點火部。當向可燃性之副產物點火時對點火部通電。於成膜室之側面形成有用以測定成膜室內之壓力之第一檢測部。於成膜室之側面下部形成有第二檢測部。於成膜室之上部形成有測定成膜室內之空間溫度之第三檢測部。
简体摘要：本发明之成膜设备于成膜室之两侧之侧面下部，分别于各2处而总计4处设置有点火部。当向可燃性之副产物点火时对点火部通电。于成膜室之侧面形成有用以测定成膜室内之压力之第一检测部。于成膜室之侧面下部形成有第二检测部。于成膜室之上部形成有测定成膜室内之空间温度之第三检测部。

4. 发明专利

TW201032943A 靜電吸盤用之吸盤平板的製造方法审中-公开
简体标题：静电吸盘用之吸盘平板的制造方法
公开(公告)号：TW201032943A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098144477
申请日：2009-12-23
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：難波隆宏 , 森本直樹 , 曾我部浩二 , 石田正彥
IPC分类号： B23Q , B65G , H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/68757
摘要：提供一種：從使用開始之初始起，便難以產生身為應處理基板之晶圓（W）的脫離不良之情況，且生產性為良好的靜電吸盤用之吸盤平板之製造方法。該吸盤平板之製造方法，係為將具備有電極（3a、3b）之吸盤本體（1）的表面作覆蓋之由介電質所成的靜電吸盤（ES）用之吸盤平板（2）的製造方法，並包含有：將原料粉末壓縮成形為特定之形狀，而後進行燒結並得到燒結體之工程；和對於燒結體中之與應吸著的基板相抵接之表面，藉由研磨加工而形成為特定之表面粗度以及平坦度之工程；和施加僅將伴隨著研磨加工而在表面上所產生之即將脫粒的粒子作選擇性除去的噴砂處理之工程。
简体摘要：提供一种：从使用开始之初始起，便难以产生身为应处理基板之晶圆（W）的脱离不良之情况，且生产性为良好的静电吸盘用之吸盘平板之制造方法。该吸盘平板之制造方法，系为将具备有电极（3a、3b）之吸盘本体（1）的表面作覆盖之由介电质所成的静电吸盘（ES）用之吸盘平板（2）的制造方法，并包含有：将原料粉末压缩成形为特定之形状，而后进行烧结并得到烧结体之工程；和对于烧结体中之与应吸着的基板相抵接之表面，借由研磨加工而形成为特定之表面粗度以及平坦度之工程；和施加仅将伴随着研磨加工而在表面上所产生之即将脱粒的粒子作选择性除去的喷砂处理之工程。

5. 发明专利

TWI505395B 基板管理方法有权
公开(公告)号：TWI505395B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW098133960
申请日：2009-10-07
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：石田正彥 , ISHIDA, MASAHIKO , 森本直樹 , MORIMOTO, NAOKI , 曾我部浩二 , SOKABE, KOUJI
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/67253

6. 发明专利

TWI455791B 靜電吸盤用之吸盤平板的製造方法有权
简体标题：静电吸盘用之吸盘平板的制造方法
公开(公告)号：TWI455791B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW098144477
申请日：2009-12-23
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：難波隆宏 , NANBA, TAKAHIRO , 森本直樹 , MORIMOTO, NAOKI , 曾我部浩二 , SOGABE, KOUJI , 石田正彥 , ISHIDA, MASAHIKO
IPC分类号： B23Q3/15 , B65G47/92 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/68757

7. 发明专利

TWI431681B 洗淨方法及真空處理裝置有权
简体标题：洗净方法及真空处理设备
公开(公告)号：TWI431681B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW096116871
申请日：2007-05-11
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：曾我部浩二 , SAGABE, KOUJI , 森本直樹 , MORIMOTO, NAOKI , 石田正彥 , ISHIDA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/306 , B08B6/00 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4405 , H01J37/32862 , Y10T279/23

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