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1. 发明专利

TWI690927B 非揮發性記憶體裝置和程式化其之方法有权
简体标题：非挥发性内存设备和进程化其之方法
公开(公告)号：TWI690927B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105112402
申请日：2016-04-21
申请人：南韓商愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN , 金正勳 , KIM, JEONG HOON
IPC分类号： G11C16/12 , G11C16/02

2. 发明专利

TW201729352A 單一多晶矽非揮發性記憶體單元、其之陣列和操作其之方法审中-公开
简体标题：单一多晶硅非挥发性内存单元、其之数组和操作其之方法
公开(公告)号：TW201729352A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105128418
申请日：2016-09-02
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：金正勳 , KIM, JEONG HOON
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11558 , H01L27/11524 , H01L29/7883
摘要：一種單一多晶矽非揮發性記憶體(NVM)單元包括設置為彼此面對的第一和第二主動區以及與第一和第二主動區間隔開的第三和第四主動區。汲極區、接面區和源極區設置在第四主動區中。浮接閘極設置在第一和第二主動區上並設置為延伸到第三和第四主動區上。讀取/選擇閘極設置為跨越汲極區與接面區之間的第四主動區。第一主動區耦接到第一陣列控制閘極線，並且第二主動區耦接到第二陣列控制閘極線。源極區、接面區和浮接閘極組成浮接閘極電晶體。汲極區、接面區和讀取/選擇閘極組成讀取/選擇電晶體。
简体摘要：一种单一多晶硅非挥发性内存(NVM)单元包括设置为彼此面对的第一和第二主动区以及与第一和第二主动区间隔开的第三和第四主动区。汲极区、接面区和源极区设置在第四主动区中。浮接闸极设置在第一和第二主动区上并设置为延伸到第三和第四主动区上。读取/选择闸极设置为跨越汲极区与接面区之间的第四主动区。第一主动区耦接到第一数组控制闸极线，并且第二主动区耦接到第二数组控制闸极线。源极区、接面区和浮接闸极组成浮接闸极晶体管。汲极区、接面区和读取/选择闸极组成读取/选择晶体管。

3. 发明专利

TW201711045A 非揮發性記憶體裝置和程式化其之方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备和进程化其之方法
公开(公告)号：TW201711045A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105112402
申请日：2016-04-21
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：宋賢旻 , SONG, HYUN MIN , 金正勳 , KIM, JEONG HOON
IPC分类号： G11C16/12 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0408 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/3481
摘要：一種非揮發性記憶體裝置包括記憶體單元和開關單元。記憶體單元包括具有浮接閘極的單元晶體管和連接至浮接閘極的耦合電容器。開關單元耦接在耦合電容器與偏壓端之間，以及在用於程式化記憶體單元的程式化操作期間基於流過記憶體單元的單元電流與參考電流之間的比較結果而接通或斷開。
简体摘要：一种非挥发性内存设备包括内存单元和开关单元。内存单元包括具有浮接闸极的单元晶体管和连接至浮接闸极的耦合电容器。开关单元耦接在耦合电容器与偏压端之间，以及在用于进程化内存单元的进程化操作期间基于流过内存单元的单元电流与参考电流之间的比较结果而接通或断开。

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