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1. 发明专利

TWI572735B 利用原子層沉積形成ＴｉＳｉＮ薄層之方法有权
简体标题：利用原子层沉积形成ＴｉＳｉＮ薄层之方法
公开(公告)号：TWI572735B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102112318
申请日：2013-04-08
申请人：愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：朴雄 , PARK, WOONG , 張瀛晉 , JANG, YOUNG JIN , 金基烈 , KIM, GI YOUL , 盧布萊恩 , LU, BRIAN , 蕭格雷格 , SIU, GREG , 席爾瓦休果 , SILVA, HUGO , 拉馬納坦沙珊根 , RAMANATHAN, SASANGAN
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： H01L21/76841 , C23C16/0209 , C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76843

2. 发明专利

TW201350607A 利用原子層沉積形成ＴｉＳｉＮ薄層之方法审中-公开
简体标题：利用原子层沉积形成ＴｉＳｉＮ薄层之方法
公开(公告)号：TW201350607A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112318
申请日：2013-04-08
申请人：愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：朴雄 , PARK, WOONG , 張瀛晉 , JANG, YOUNG JIN , 金基烈 , KIM, GI YOUL , 盧布萊恩 , LU, BRIAN , 蕭格雷格 , SIU, GREG , 席爾瓦休果 , SILVA, HUGO , 拉馬納坦沙珊根 , RAMANATHAN, SASANGAN
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： H01L21/76841 , C23C16/0209 , C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/28568 , H01L21/76843
摘要：本發明揭示一種根據ALD於基板上形成TiSiN薄膜之方法，其包括：預熱基板，同時在將基板安置於腔室中後，將含Ar或N2之惰性氣體供給至腔室中之第一個過程；於基板上形成TiN膜之第二個過程，其係藉由將在供給含Ti氣體及隨後供給惰性氣體後，清除過量供給之含Ti氣體之過程，及在供給含N氣體及隨後供給惰性氣體後，清除殘留產物之過程重複至少一次；形成SiN膜之第三個過程，其係藉由將在於TiN膜上供給含Si氣體及隨後供給惰性氣體後，清除過量供給之含Si氣體之過程，及在供給含N氣體及隨後供給惰性氣體後，清除殘留產物之過程重複至少一次；及形成具有期望厚度之TiSiN膜之第四個過程，其係藉由將第二及第三個過程重複至少一次，用於形成TiSiN薄膜之氣體的分壓範圍為含Ti氣體：9×10-3托耳(Torr)或以下，含Si氣體：1×10-3~3×10-1托耳及含N氣體：7×10-3~6×10-1托耳，及氣體之壓力範圍為500毫托耳~5托耳及所形成TiSiN薄膜之Si含量為20原子%或以下。
简体摘要：本发明揭示一种根据ALD于基板上形成TiSiN薄膜之方法，其包括：预热基板，同时在将基板安置于腔室中后，将含Ar或N2之惰性气体供给至腔室中之第一个过程；于基板上形成TiN膜之第二个过程，其系借由将在供给含Ti气体及随后供给惰性气体后，清除过量供给之含Ti气体之过程，及在供给含N气体及随后供给惰性气体后，清除残留产物之过程重复至少一次；形成SiN膜之第三个过程，其系借由将在于TiN膜上供给含Si气体及随后供给惰性气体后，清除过量供给之含Si气体之过程，及在供给含N气体及随后供给惰性气体后，清除残留产物之过程重复至少一次；及形成具有期望厚度之TiSiN膜之第四个过程，其系借由将第二及第三个过程重复至少一次，用于形成TiSiN薄膜之气体的分压范围为含Ti气体：9×10-3托耳(Torr)或以下，含Si气体：1×10-3~3×10-1托耳及含N气体：7×10-3~6×10-1托耳，及气体之压力范围为500毫托耳~5托耳及所形成TiSiN薄膜之Si含量为20原子%或以下。

3. 发明专利

TW201823508A 控制ＣＶＤ或ＡＬＤ反應器中之氣流或其中生長之層的均勻性的裝置及方法审中-公开
简体标题：控制ＣＶＤ或ＡＬＤ反应器中之气流或其中生长之层的均匀性的设备及方法
公开(公告)号：TW201823508A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106138992
申请日：2017-11-10
申请人：德商愛思強歐洲公司 , AIXTRON SE
发明人：金基烈 , KIM, GI YOUL , 林正倫 , LIN, MARK CHEN LUN , 蕭格雷格里 , SIU, GREGORY , 朴基澈 , PARK, KI CHUL , 莫恩喬納森大衛 , MOHN, JONATHAN DAVID , 盧卡斯威廉 , LUCAS JR, H. WILLIAM
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
摘要：本發明提供一種用於判定一反應器外殼中之一晶座之位置的量測裝置。該量測裝置包括：一中心元件，其可在一預界定部位處緊固於該晶座上；及複數個感測臂，其自該中心元件突出超過該晶座之一外部周邊。該等感測臂分別包括可與一接觸分區以觸碰方式接觸之一感測區段。該接觸分區係藉由該反應器外殼或配置於該反應器外殼中之一組件的一內部周邊形成。使用該量測裝置，一CVD反應器之一晶座相對於該反應器外殼或配置於該反應器外殼中之一組件的該位置得以判定。
简体摘要：本发明提供一种用于判定一反应器外壳中之一晶座之位置的量测设备。该量测设备包括：一中心组件，其可在一预界定部位处紧固于该晶座上；及复数个传感臂，其自该中心组件突出超过该晶座之一外部周边。该等传感臂分别包括可与一接触分区以触碰方式接触之一传感区段。该接触分区系借由该反应器外壳或配置于该反应器外壳中之一组件的一内部周边形成。使用该量测设备，一CVD反应器之一晶座相对于该反应器外壳或配置于该反应器外壳中之一组件的该位置得以判定。

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