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1. 发明专利

TW201809336A 用以減少應力之鈷合金审中-公开
简体标题：用以减少应力之钴合金
公开(公告)号：TW201809336A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106127507
申请日：2017-08-14
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：陳世輝 , CHEN, PHILIP S.H. , 漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C. , 包姆湯瑪斯 H , BAUM, THOMAS H.
IPC分类号： C23C16/18 , C07F15/06
CPC分类号： C23C16/16 , B32B15/04 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , B32B2457/14 , C07F15/06 , C22C19/07 , C23C16/0281 , C23C16/18 , C23C16/30 , H01L21/76876 , H01L21/76879
摘要：本發明闡述一種經沈積鈷組合物，其包含鈷及一或多種合金組分，該一或多種合金組分與鈷有效組合以與相應元素鈷相比在基板上暴露於可變溫度及/或脫層力條件時增強與該基板之黏著，其中該一或多種合金組分係選自由硼、磷、錫、銻、銦及金組成之群。該經沈積鈷組合物可用於半導體裝置及裝置前體結構、平板顯示器及太陽電池板之金屬化，且在該半導體、平板顯示器或太陽電池板產品之製造中在金屬化基板經歷熱循環及/或化學機械平面化操作時提供高度黏著性金屬化。
简体摘要：本发明阐述一种经沉积钴组合物，其包含钴及一或多种合金组分，该一或多种合金组分与钴有效组合以与相应元素钴相比在基板上暴露于可变温度及/或脱层力条件时增强与该基板之黏着，其中该一或多种合金组分系选自由硼、磷、锡、锑、铟及金组成之群。该经沉积钴组合物可用于半导体设备及设备前体结构、平板显示器及太阳电池板之金属化，且在该半导体、平板显示器或太阳电池板产品之制造中在金属化基板经历热循环及/或化学机械平面化操作时提供高度黏着性金属化。

2. 发明专利

TW202026302A 使用釕前驅物之電漿增強原子層沉積(PEALD)方法审中-公开
简体标题：使用钌前驱物之等离子增强原子层沉积(PEALD)方法
公开(公告)号：TW202026302A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108141571
申请日：2019-11-15
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：陳世輝 , CHEN, PHILIP S.H. , 漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C. , 邦姆湯瑪士 H , BAUM, THOMAS H. , 康杜艾瑞克 , CONDO, ERIC
IPC分类号： C07F15/00 , C23C16/18 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要：本發明描述電漿增強原子層沉積(PEALD)方法，其使用具有式RARBRu(0)之釕前驅物以及以大於200 W施加之還原電漿，其中RA為含芳基配位體，且RB為含二烯基配位體。在PEALD中使用該等RARBRu(0)釕前驅物並採用諸如氨氣電漿之+200 W還原電漿可提供極好的Ru之沉積速率，具有較低碳及較小電阻率，且提供極緻密的Ru膜。該方法可用以在積體電路及其他微電子器件上形成具有高保形性之良好成形的Ru膜。
简体摘要：本发明描述等离子增强原子层沉积(PEALD)方法，其使用具有式RARBRu(0)之钌前驱物以及以大于200 W施加之还原等离子，其中RA为含芳基配位体，且RB为含二烯基配位体。在PEALD中使用该等RARBRu(0)钌前驱物并采用诸如氨气等离子之+200 W还原等离子可提供极好的Ru之沉积速率，具有较低碳及较小电阻率，且提供极致密的Ru膜。该方法可用以在集成电路及其他微电子器件上形成具有高保形性之良好成形的Ru膜。

3. 发明专利

TW202003230A 用於增強基材製品及設備之性質與表現的塗層审中-公开
简体标题：用于增强基材制品及设备之性质与表现的涂层
公开(公告)号：TW202003230A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108132575
申请日：2016-02-15
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C. , 彼得斯大衛 W , PETERS, DAVID W. , 李衛民 , LI, WEIMIN , 庫克理查 A , COOKE, RICHARD A. , 華德菲德卡羅 , WALDFRIED, CARLO , 關達尼列許 , GUNDA, NILESH , 林艾寬 , LIN, I-KUAN
IPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , C23C16/40 , C23C28/04 , C23C16/04 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C16/448
摘要：茲描述應用到各種基材製品、結構、材料和裝備的塗層。在不同應用中，基材包括易形成金屬氧化物、氮化物、氟化物或氯化物於上的金屬表面，其中使用時，金屬表面配置以接觸氣體、固體或液體而與之反應形成反應產物，以致對基材製品、結構、材料或裝備有害。金屬表面塗覆保護塗層，以防止塗覆表面與反應氣體反應，及/或改善基材製品或裝備的電性、化性、熱或結構性質。亦描述各種塗覆金屬表面及選擇採用塗佈材料的方法。
简体摘要：兹描述应用到各种基材制品、结构、材料和装备的涂层。在不同应用中，基材包括易形成金属氧化物、氮化物、氟化物或氯化物于上的金属表面，其中使用时，金属表面配置以接触气体、固体或液体而与之反应形成反应产物，以致对基材制品、结构、材料或装备有害。金属表面涂覆保护涂层，以防止涂覆表面与反应气体反应，及/或改善基材制品或装备的电性、化性、热或结构性质。亦描述各种涂覆金属表面及选择采用涂布材料的方法。

4. 发明专利

TW201810428A 二氧化鉿及二氧化鋯之氣相蝕刻审中-公开
简体标题：二氧化铪及二氧化锆之气相蚀刻
公开(公告)号：TW201810428A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118430
申请日：2017-06-03
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C.
IPC分类号： H01L21/311 , C01G25/02 , C01G27/02
CPC分类号： H01L21/31122
摘要：本發明係關於一種針對包括二氧化鉿(HfO2)及二氧化鋯(ZrO2)中之至少一者的氧化物材料在無該氧化物材料之電漿曝露之情況下的氣相蝕刻所述的方法。該方法涉及使該氧化物材料與包括氯化磷及氯化鎢中之至少一者的蝕刻介質接觸，在條件下產生可移除的流體反應產物以及移除該可移除的流體反應產物。可藉由使用壓力擺動、溫度擺動及/或調變氯化鉿或氯化鋯在反應中之分壓來可控地實施該蝕刻製程，例如，以達成在諸如3D NAND、亞20 nm DRAM及finFET的半導體裝置製造中的精確蝕刻移除。
简体摘要：本发明系关于一种针对包括二氧化铪(HfO2)及二氧化锆(ZrO2)中之至少一者的氧化物材料在无该氧化物材料之等离子曝露之情况下的气相蚀刻所述的方法。该方法涉及使该氧化物材料与包括氯化磷及氯化钨中之至少一者的蚀刻介质接触，在条件下产生可移除的流体反应产物以及移除该可移除的流体反应产物。可借由使用压力摆动、温度摆动及/或调制氯化铪或氯化锆在反应中之分压来可控地实施该蚀刻制程，例如，以达成在诸如3D NAND、亚20 nm DRAM及finFET的半导体设备制造中的精确蚀刻移除。

5. 发明专利

TW202026453A 使用釕前驅物及還原氣體之化學氣相沉積方法审中-公开
简体标题：使用钌前驱物及还原气体之化学气相沉积方法
公开(公告)号：TW202026453A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108140567
申请日：2019-11-08
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：陳世輝 , CHEN, PHILIP S.H. , 漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C. , 邦姆湯瑪士 H , BAUM, THOMAS H.
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/205
摘要：本發明描述化學氣相沉積(CVD)方法，其使用式R1R2Ru(0)之釕前驅物及還原氣體，其中R1為含芳基之配位體，且R2為含二烯基之配位體。CVD可在使用釕前驅物及還原氣體之初始沉積期之後包括氧氣。該方法可在導電材料上提供選擇性Ru沉積，同時使不導電或不太導電之材料上之沉積降到最低。此外，後續使用氧氣可顯著改良沉積速率，同時使基板材料之氧化損傷降到最低或消除。該方法可用於在積體電路及其他微電子器件上形成含Ru之層。
简体摘要：本发明描述化学气相沉积(CVD)方法，其使用式R1R2Ru(0)之钌前驱物及还原气体，其中R1为含芳基之配位体，且R2为含二烯基之配位体。CVD可在使用钌前驱物及还原气体之初始沉积期之后包括氧气。该方法可在导电材料上提供选择性Ru沉积，同时使不导电或不太导电之材料上之沉积降到最低。此外，后续使用氧气可显着改良沉积速率，同时使基板材料之氧化损伤降到最低或消除。该方法可用于在集成电路及其他微电子器件上形成含Ru之层。

6. 发明专利

TW202022155A 沉積鎢薄膜或鉬薄膜之方法审中-公开
简体标题：沉积钨薄膜或钼薄膜之方法
公开(公告)号：TW202022155A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108136508
申请日：2019-10-09
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：懷特羅柏茲二世 , WRIGHT, ROBERT JR. , 邦姆湯瑪士 H , BAUM, THOMAS H. , 漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C. , 納吉彥尚恩杜克 , NGUYEN, SHAWN DUC , 王瀚 , WANG, HAN , 陳世輝 , CHEN, PHILIP S.H.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/18
摘要：本文描述用於沉積金屬薄膜或層至基板上之氣相沉積方法，其中該金屬係鉬或鎢；該等方法涉及包含金屬及一或多種含碳配體之有機金屬前驅物化合物，並包括沉積由該前驅物之該金屬形成之金屬層至基板上，隨後將氧化劑引入至該形成之金屬層。
简体摘要：本文描述用于沉积金属薄膜或层至基板上之气相沉积方法，其中该金属系钼或钨；该等方法涉及包含金属及一或多种含碳配体之有机金属前驱物化合物，并包括沉积由该前驱物之该金属形成之金属层至基板上，随后将氧化剂引入至该形成之金属层。

7. 发明专利

TWI666703B 二氧化鉿及二氧化鋯之氣相蝕刻有权
简体标题：二氧化铪及二氧化锆之气相蚀刻
公开(公告)号：TWI666703B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW106118430
申请日：2017-06-03
申请人：美商恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C.
IPC分类号： H01L21/311 , C01G25/02 , C01G27/02

8. 发明专利

TW201733669A 吸附劑與流體供應包裝及包含其之裝置审中-公开
简体标题：吸附剂与流体供应包装及包含其之设备
公开(公告)号：TW201733669A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105136053
申请日：2016-11-04
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：度波依斯勞倫斯 H , DUBOIS, LAWRENCE H. , 卡盧斯爾斯 J 當那 , CARRUTHERS, J. DONALD , 佩卓斯加梅麗莎 A , PETRUSKA, MELISSA A. , 史特姆愛德華 A , STURM, EDWARD A. , 威爾森夏恩 M , WILSON, SHAUN M. , 洛卡特史蒂芬 M , LURCOTT, STEVEN M. , 漢迪克斯布萊恩 C , HENDRIX, BRYAN C. , 史維尼約瑟夫 D , SWEENEY, JOSEPH D. , 伍德詹斯基麥克 J , WODJENSKI, MICHAEL J. , 帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 唐瀛 , TANG, YING , 迪斯彼喬瑟夫 R , DESPRES, JOSEPH R. , 瑪洛馬修湯瑪士 , MARLOW, MATTHEW THOMAS , 史坎納爾克里斯多福 , SCANNELL, CHRISTOPHER , 艾爾瑟丹尼爾 , ELZER, DANIEL , 摩斯卡維塔 , MURTHI, KAVITA
IPC分类号： B01J20/10 , B01J20/22 , F17C1/00
CPC分类号： B01J20/20 , B01J20/103 , B01J20/16 , B01J20/226 , F17C1/00
摘要：本發明描述不同類型及形式之吸附劑，如有用地用於氣體供應包裝中，氣體供應包裝包括固持此吸附劑以將吸附氣體儲存於其上之一氣體儲存及施配容器，及固定於該容器以在其施配條件下從該氣體供應包裝排放該吸附氣體之一氣體施配總成。同樣描述對應氣體供應包裝，及處理該吸附劑，及製造該等氣體供應包裝之各種方法。
简体摘要：本发明描述不同类型及形式之吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，气体供应包装包括固持此吸附剂以将吸附气体存储于其上之一气体存储及施配容器，及固定于该容器以在其施配条件下从该气体供应包装排放该吸附气体之一气体施配总成。同样描述对应气体供应包装，及处理该吸附剂，及制造该等气体供应包装之各种方法。

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