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1. 发明专利

TWI362800B 半導體雷射強迫波長線性調頻 FORCED WAVELENGTH CHIRPING IN SEMICONDUCTOR LASERS 失效
简体标题：半导体激光强迫波长线性调频 FORCED WAVELENGTH CHIRPING IN SEMICONDUCTOR LASERS
公开(公告)号：TWI362800B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW097102356
申请日：2008-01-21
申请人：康寧公司
发明人：馬提海胡
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/06251 , H04N9/3129
摘要：本發明提供控制半導體雷射的方法，藉著在相當高的頻率調變驅動電流，以變寬半導體雷射平均時間的光譜。一般而言，驅動電流調變的頻率高到足以誘發增益電流訊號中編碼數據週期內的波長線性調頻。根據這裡說明的方法也提供雷射控制器和投射系統的運作方法。
简体摘要：本发明提供控制半导体激光的方法，借着在相当高的频率调制驱动电流，以变宽半导体激光平均时间的光谱。一般而言，驱动电流调制的频率高到足以诱发增益电流信号中编码数据周期内的波长线性调频。根据这里说明的方法也提供激光控制器和投射系统的运作方法。

2. 发明专利

TWI364891B 具有內部數位加熱器電極及在底下電流限制層之雷射源 LASER SOURCE WITH INTERDIGITAL HEATER ELECTRODES AND UNDERLYING CURRENT CONFINEMENT LAYER 失效
简体标题：具有内部数码加热器电极及在底下电流限制层之激光源 LASER SOURCE WITH INTERDIGITAL HEATER ELECTRODES AND UNDERLYING CURRENT CONFINEMENT LAYER
公开(公告)号：TWI364891B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW097137645
申请日：2008-09-28
申请人：康寧公司
发明人：馬提海胡 , 查慶安
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/0425 , H01S5/0612 , H01S5/0687
摘要：本發明提供的半導體雷射光源，其中雷射二極體的波長選擇區域包括P+型態電流侷限層，及在電流侷限層上形成的第一和第二組數位間加熱器電極。第一和第二組數位間加熱器電極的各個電極數位沿著雷射二極體的主動波導層界定的光傳播方向連續地交替。相對於雷射二極體陰極和相對於第二組數位間加熱器電極，第一組數位間加熱器電極是正偏壓或負偏壓，使得相對偏壓不是小於P-N連接點的正偏開啟電壓，就是絕對值是小於P-N連接點的反向破壞電壓。
简体摘要：本发明提供的半导体激光光源，其中激光二极管的波长选择区域包括P+型态电流局限层，及在电流局限层上形成的第一和第二组数码间加热器电极。第一和第二组数码间加热器电极的各个电极数码沿着激光二极管的主动波导层界定的光传播方向连续地交替。相对于激光二极管阴极和相对于第二组数码间加热器电极，第一组数码间加热器电极是正偏压或负偏压，使得相对偏压不是小于P-N连接点的正偏打开电压，就是绝对值是小于P-N连接点的反向破坏电压。

3. 发明专利

TWI341138B 半導體雷射波長選擇，相位及增益區域中波長之控制 WAVELENGTH CONTROL IN WAVELENGTH SELECTIVE, PHASE, AND GAIN REGIONS OF SEMICONDUCTOR LASERS 失效
简体标题：半导体激光波长选择，相位及增益区域中波长之控制 WAVELENGTH CONTROL IN WAVELENGTH SELECTIVE, PHASE, AND GAIN REGIONS OF SEMICONDUCTOR LASERS
公开(公告)号：TWI341138B
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：TW096138606
申请日：2007-10-15
申请人：康寧公司
发明人：唯卡巴太 , 皆克葛立 , 馬提海胡 , 大衛奧古尼渣羅伯 , 丹尼歐漢尼凱特
IPC分类号： H04N , H01S
摘要：本發明的特定實施例大致上是關於半導體雷射和雷射掃瞄系統，更具體的說是關於控制半導體雷射的方案。根據本發明的一個實施例，雷射經過配置作為編碼資料的光學發射。其中至少有一個光學發射的參數是注入半導體雷射增益區段之驅動電流IGAIN，和一個或多個其他驅動電流I/VPHASE,I/VDBR的函數。利用擾亂訊號I/VPTRB來擾亂這些其他驅動電流I/VPHASE和I/VDBR中的至少一個，如此來改變半導體雷射中的模態選擇，使得在目標發射週期間，半導體雷射中有多個不同的發射模態被選擇。以這種方式我們可以瓦解雷射之波長或強度分佈中的圖案化變動以掩飾在雷射的輸出中很容易被發現的圖案化瑕疵。
简体摘要：本发明的特定实施例大致上是关于半导体激光和激光扫瞄系统，更具体的说是关于控制半导体激光的方案。根据本发明的一个实施例，激光经过配置作为编码数据的光学发射。其中至少有一个光学发射的参数是注入半导体激光增益区段之驱动电流IGAIN，和一个或多个其他驱动电流I/VPHASE,I/VDBR的函数。利用扰乱信号I/VPTRB来扰乱这些其他驱动电流I/VPHASE和I/VDBR中的至少一个，如此来改变半导体激光中的模态选择，使得在目标发射周期间，半导体激光中有多个不同的发射模态被选择。以这种方式我们可以瓦解激光之波长或强度分布中的图案化变动以掩饰在激光的输出中很容易被发现的图案化瑕疵。

4. 发明专利

TWI370597B 半導體雷射之熱補償 THERMAL COMPENSATION IN SEMICONDUCTOR LASERS 失效
简体标题：半导体激光之热补偿 THERMAL COMPENSATION IN SEMICONDUCTOR LASERS
公开(公告)号：TWI370597B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW096135864
申请日：2007-09-26
申请人：康寧公司
发明人：馬提海胡 , 丹尼歐漢里凱特 , 查慶安
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/06804 , H01S5/0612 , H01S5/06256
摘要：本發明大致上是關於半導體雷射，特別是關於測量及控制半導體雷射溫度的方案，以及穩定半導體雷射波長的方案。根據本發明的一個實施例，提供了一個方法來驅動半導體雷射內的溫度控制機制。根據此方法，會產生代表半導體雷射作業溫度和周圍溫度的訊號，並且依據此周圍溫度訊號建立出目標雷射作業溫度。然後此半導體雷射的溫度控制機制會被驅動以增加作業溫度訊號和目標雷射作業溫度之間的相關程度。另外還提出了其他的實施例以及請求申請專利範圍。
简体摘要：本发明大致上是关于半导体激光，特别是关于测量及控制半导体激光温度的方案，以及稳定半导体激光波长的方案。根据本发明的一个实施例，提供了一个方法来驱动半导体激光内的温度控制机制。根据此方法，会产生代表半导体激光作业温度和周围温度的信号，并且依据此周围温度信号创建出目标激光作业温度。然后此半导体激光的温度控制机制会被驱动以增加作业温度信号和目标激光作业温度之间的相关程度。另外还提出了其他的实施例以及请求申请专利范围。

5. 发明专利

TW200943652A 雷射光源功率變化最小化 MINIMIZING POWER VARIATIONS IN LASER SOURCES 审中-公开
简体标题：激光光源功率变化最小化 MINIMIZING POWER VARIATIONS IN LASER SOURCES
公开(公告)号：TW200943652A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097151313
申请日：2008-12-29
申请人：康寧公司
发明人：馬提海胡 , 大衛奧古尼渣羅伯 , 得雷根匹苦拉 , 丹尼歐漢尼凱特
IPC分类号： H01S , H04N
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/0604 , H01S5/06251 , H01S5/0687 , H04N9/3129 , H04N9/3155
摘要：本發明一般係關於半導體雷射以及雷射投射系統。依據本發明一項實施例,投射雷射影像使用半導體雷射之輸出光束而產生。增益電流控制訊號由增益電流反饋迴路產生以控制半導體雷射之增益區段。半導體雷射的波長變動藉由在半導體雷射之驅動電流中併入波長復原操作以及啟始波長復原操作為增益電流控制訊號或光強度錯誤訊號之函數而窄化。本發明亦揭示出其他實施例以及請求專利。
简体摘要：本发明一般系关于半导体激光以及激光投射系统。依据本发明一项实施例,投射激光影像使用半导体激光之输出光束而产生。增益电流控制信号由增益电流反馈回路产生以控制半导体激光之增益区段。半导体激光的波长变动借由在半导体激光之驱动电流中并入波长复原操作以及启始波长复原操作为增益电流控制信号或光强度错误信号之函数而窄化。本发明亦揭示出其他实施例以及请求专利。

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