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1. 发明专利

TW200922386A 用於雷射生成式電漿之極遠紫外線(EUV)光源的氣體管控系統 GAS MANAGEMENT SYSTEM FOR A LASER-PRODUCED-PLASMA EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：用于激光生成式等离子之极远紫外线(EUV)光源的气体管控系统 GAS MANAGEMENT SYSTEM FOR A LASER-PRODUCED-PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200922386A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097128093
申请日：2008-07-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：拜卡諾弗亞歷山大N BYKANOV, ALEXANDER N. , 艾瑟夫亞歷山大I ERSHOV, ALEXANDER I. , 佛曼卡伊果V FOMENKOV, IGOR V. , 布蘭特大衛C BRANDT, DAVID C.
IPC分类号： H05G
CPC分类号： H05G2/003 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , H05G2/005 , H05G2/008 , Y10S422/906
摘要：於此說明該等裝置及其對應的使用方法,其可包含界定一閉合迴路流徑的一封閉結構以及一系統其在一電漿處所產生電漿,例如雷射生成式電漿系統,該電漿處所係與該流徑作流體上連通。就該裝置而言,一氣體其係配置在該封閉結構中可包括一離子停止緩衝氣體及/或一蝕刻劑。一泵其經配置用以强制該氣體通過該閉合迴路流徑。配置一或更多熱交換器其將熱量自在該流徑中流動的氣體中去除。於一些佈置中,使用一過濾器其自在該流徑中流動的氣體中去除至少一部分的靶標物種(target species)。
简体摘要：于此说明该等设备及其对应的使用方法,其可包含界定一闭合回路流径的一封闭结构以及一系统其在一等离子处所产生等离子,例如激光生成式等离子系统,该等离子处所系与该流径作流体上连通。就该设备而言,一气体其系配置在该封闭结构中可包括一离子停止缓冲气体及/或一蚀刻剂。一泵其经配置用以强制该气体通过该闭合回路流径。配置一或更多热交换器其将热量自在该流径中流动的气体中去除。于一些布置中,使用一过滤器其自在该流径中流动的气体中去除至少一部分的靶标物种(target species)。

2. 发明专利

TW200742503A 具有前置脈衝之雷射生成式電漿極端紫外線(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE 审中-公开
简体标题：具有前置脉冲之激光生成式等离子极端紫外线(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE
公开(公告)号：TW200742503A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096103522
申请日：2007-01-31
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：拜卡諾弗亞歷山大N BYKANOV, ALEXANDER N. , 赫迪金歐雷 KHODYKIN, OLEH
IPC分类号： H05G
摘要：揭示一用於產生EUV光線之方法,該方法可包含以下動作/步驟:提供一原材料;產生複數原材料點滴;以第一光線脈衝同時照射複數原材料點滴,以建立經照射之原材料;及此後將該經照射之原材料暴露至第二光線脈衝,以產生EUV光線、例如藉著產生該原材料之電漿。於另一態樣中,一EUV光源可包含一點滴產生器,其將複數原材料點滴傳送至一目標區域;第一光線脈衝之來源,用於在該目標區域中同時照射複數點滴,以產生一經照射之原材料;及第二光線脈衝之來源,用於暴露該經照射之原材料,以產生EUV光線。該點滴產生器可包含一非調節式點滴產生器,及可包含一多孔口噴嘴。
简体摘要：揭示一用于产生EUV光线之方法,该方法可包含以下动作/步骤:提供一原材料;产生复数原材料点滴;以第一光线脉冲同时照射复数原材料点滴,以创建经照射之原材料;及此后将该经照射之原材料暴露至第二光线脉冲,以产生EUV光线、例如借着产生该原材料之等离子。于另一态样中,一EUV光源可包含一点滴产生器,其将复数原材料点滴发送至一目标区域;第一光线脉冲之来源,用于在该目标区域中同时照射复数点滴,以产生一经照射之原材料;及第二光线脉冲之来源,用于暴露该经照射之原材料,以产生EUV光线。该点滴产生器可包含一非调节式点滴产生器,及可包含一多孔口喷嘴。

3. 发明专利

TW200915015A 控管極遠紫外線(EUV)光微影裝置腔室間之氣體流動的系統 SYSTEM MANAGING GAS FLOW BETWEEN CHAMBERS OF AN EXTREME ULTRAVIOLET (EUV) PHOTOLITHOGRAPHY APPARATUS 失效
简体标题：控管极远紫外线(EUV)光微影设备腔室间之气体流动的系统 SYSTEM MANAGING GAS FLOW BETWEEN CHAMBERS OF AN EXTREME ULTRAVIOLET (EUV) PHOTOLITHOGRAPHY APPARATUS
公开(公告)号：TW200915015A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097128091
申请日：2008-07-24
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：拜卡諾弗亞歷山大N BYKANOV, ALEXANDER N. , 布蘭特大衛C BRANDT, DAVID C. , 佛曼卡伊果V FOMENKOV, IGOR V. , 派特洛威廉N PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： G03F , H01S
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70808 , G03F7/70841 , G03F7/70883 , G03F7/70908
摘要：一氣體流動控管系統係可包含一第一及第二封閉壁,其至少部份地圍繞第一及第二各別空間;一用於在第一空間中產生電漿之系統,電漿係發射極遠紫外線光;一用於限制從第一空間至第二空間的流動之長形體部,體部至少部份地圍繞一道路並具有一容許EUV光自第一空間進入道路之第一開端及一容許EUV光離開道路進入第二空間中之第二開端,體部被定形為可建立一相對於第一及第二端具有一降低橫剖面積之區位;及一離開一開孔之氣體流動,開孔被定位為在體部的第一端與具有降低橫剖面積的區位之間的一位置將氣體導入道路中。
简体摘要：一气体流动控管系统系可包含一第一及第二封闭壁,其至少部份地围绕第一及第二各别空间;一用于在第一空间中产生等离子之系统,等离子系发射极远紫外线光;一用于限制从第一空间至第二空间的流动之长形体部,体部至少部份地围绕一道路并具有一容许EUV光自第一空间进入道路之第一开端及一容许EUV光离开道路进入第二空间中之第二开端,体部被定形为可创建一相对于第一及第二端具有一降低横剖面积之区位;及一离开一开孔之气体流动,开孔被定位为在体部的第一端与具有降低横剖面积的区位之间的一位置将气体导入道路中。

4. 发明专利

TW200822813A 用於極端紫外光(EUV)光源之驅動雷射輸送系統 DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE 失效
简体标题：用于极端紫外光(EUV)光源之驱动激光输送系统 DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200822813A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096136181
申请日：2007-09-28
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：拜卡諾弗亞歷山大N BYKANOV, ALEXANDER N. , 佛蒙柯維伊格爾V FOMENKOV, IGOR V. , 赫迪金歐雷 KHODYKIN, OLEH , 艾瑟夫亞歷山大I ERSHOV, ALEXANDER I.
IPC分类号： H05G
CPC分类号： H05G2/003 , G03F7/70033 , H01S3/0064 , H01S3/073 , H01S3/0805 , H01S3/08054 , H01S3/08059 , H01S3/083 , H01S3/10092 , H01S3/105 , H01S3/1066 , H01S3/115 , H01S3/121 , H01S3/127 , H01S3/2232 , H01S3/2316 , H01S3/2325 , H01S3/2383 , H05G2/008
摘要：一雷射產生的電漿極端紫外光光源被揭露,其有一配置於電漿室內以反射產生於其內之極端紫外光的光學元件,及一雷射入射窗口。為此方面,該極端紫外光光源可被組裝來使該光學元件暴露於一氣態蝕刻劑氣壓以清理光學元件,同時該窗口被暴露於一較低的氣態蝕刻劑氣壓以避免窗口鍍膜退化。在另一方面,一極端紫外光光源可包含一目標材料、一光學放大器,以及至少一光學元件,該目標材料可沿一光路徑設置以參與一與在該光路徑上之光的第一交互作用,該至少一光學元件導引來自第一交互作用散射的光子進入該光學放大器以在該光路徑上產生一雷射光束,以供一與目標材料的隨後交互作用,以產生一極端紫外光放射電漿。
简体摘要：一激光产生的等离子极端紫外光光源被揭露,其有一配置于等离子室内以反射产生于其内之极端紫外光的光学组件,及一激光入射窗口。为此方面,该极端紫外光光源可被组装来使该光学组件暴露于一气态蚀刻剂气压以清理光学组件,同时该窗口被暴露于一较低的气态蚀刻剂气压以避免窗口镀膜退化。在另一方面,一极端紫外光光源可包含一目标材料、一光学放大器,以及至少一光学组件,该目标材料可沿一光路径设置以参与一与在该光路径上之光的第一交互作用,该至少一光学组件导引来自第一交互作用散射的光子进入该光学放大器以在该光路径上产生一激光光束,以供一与目标材料的随后交互作用,以产生一极端紫外光放射等离子。

5. 发明专利

TW200842515A 雷射生成式電漿超紫外線(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：激光生成式等离子超紫外线(EUV)光源 LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200842515A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW097103714
申请日：2008-01-31
申请人：希瑪股份有限公司 CYMER, INC.
发明人：拜卡諾弗亞歷山大N BYKANOV, ALEXANDER N. , 伯威林諾貝特 BOWERING, NORBERT , 佛曼卡伊果V FOMENKOV, IGOR V. , 布蘭特大衛C BRANDT, DAVID C. , 艾瑟夫亞歷山大I ERSHOV, ALEXANDER I. , 赫迪金歐雷 KHODYKIN, OLEH , 派特洛威廉N PARTLO, WILLIAM N.
IPC分类号： G03F , H05G
CPC分类号： G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70908 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要：揭露一種裝置,其能夠包含一在一電漿場產生一電漿之系統,該電漿產生超紫外線(EUV)輻射,以及離開該電漿之離子。該裝置亦能夠包括一光學儀器,例如一多層鏡片,其與該電漿場相隔一段距離d、以及一流動氣體,其配置於電漿與光學儀器之間,該氣體建立一氣體壓力,該壓力足以越過該距離d運作,以便在離子到達光學儀器之前將離子能量降低到一預先選定値。在一實施例中,該氣體能夠包含氫氣,且在一特定實施例中,該氣體能夠包含體積百分比大於百分之50的氫氣。
简体摘要：揭露一种设备,其能够包含一在一等离子场产生一等离子之系统,该等离子产生超紫外线(EUV)辐射,以及离开该等离子之离子。该设备亦能够包括一光学仪器,例如一多层镜片,其与该等离子场相隔一段距离d、以及一流动气体,其配置于等离子与光学仪器之间,该气体创建一气体压力,该压力足以越过该距离d运作,以便在离子到达光学仪器之前将离子能量降低到一预先选定値。在一实施例中,该气体能够包含氢气,且在一特定实施例中,该气体能够包含体积百分比大于百分之50的氢气。

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