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1. 发明专利

TWI480384B 用於製造過電流保護元件的正溫度係數材料組成及正溫度係數過電流保護元件有权
简体标题：用于制造过电流保护组件的正温度系数材料组成及正温度系数过电流保护组件
公开(公告)号：TWI480384B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100125478
申请日：2011-07-19
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 古奇浩 , GU, CHI HAO , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： C22C29/10 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/027

2. 发明专利

TWI455154B 插入式聚合物正溫度係數過電流保護裝置有权
简体标题：插入式聚合物正温度系数过电流保护设备
公开(公告)号：TWI455154B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW101128033
申请日：2012-08-03
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C1/02 , H01C7/02

3. 发明专利

TW201333977A 高導電性高分子正溫度係數組成及過電流保護元件审中-公开
简体标题：高导电性高分子正温度系数组成及过电流保护组件
公开(公告)号：TW201333977A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101103575
申请日：2012-02-03
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/24 , H01C7/02
摘要：本發明主要提供一種高導電性高分子正溫度係數組成，包含：一高分子組份，包括至少一聚合物；及一導電填充物組份，包括一金屬類導電顆粒，一陶瓷類導電顆粒，以及一碳類導電顆粒。其中，該高分子組份與該導電填充物組份的重量比係介於1:13~1:5.5，該金屬類導電顆粒的重量高於該陶瓷類導電顆粒者，且該陶瓷類導電顆粒的重量高於該碳類導電顆粒者，及該碳類導電顆粒佔該導電填充物組份重量的2.8wt%~7.3wt%。
简体摘要：本发明主要提供一种高导电性高分子正温度系数组成，包含：一高分子组份，包括至少一聚合物；及一导电填充物组份，包括一金属类导电颗粒，一陶瓷类导电颗粒，以及一碳类导电颗粒。其中，该高分子组份与该导电填充物组份的重量比系介于1:13~1:5.5，该金属类导电颗粒的重量高于该陶瓷类导电颗粒者，且该陶瓷类导电颗粒的重量高于该碳类导电颗粒者，及该碳类导电颗粒占该导电填充物组份重量的2.8wt%~7.3wt%。

4. 发明专利

TWI634569B 過電流保護裝置有权
简体标题：过电流保护设备
公开(公告)号：TWI634569B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104130630
申请日：2015-09-16
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02

5. 发明专利

TWI604472B ＰＰＴＣ過電流保護裝置有权
简体标题：ＰＰＴＣ过电流保护设备
公开(公告)号：TWI604472B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103105125
申请日：2014-02-17
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02

6. 发明专利

TW201715538A 正溫度係數電流保護晶片裝置及其製法审中-公开
简体标题：正温度系数电流保护芯片设备及其制法
公开(公告)号：TW201715538A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134304
申请日：2015-10-20
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO.,LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH-SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02 , H01C17/06
摘要：一種正溫度係數(PTC)電流保護晶片裝置的製法，包含：製備一個含有PTC聚合物材料、一個間隔單元、一片第一電極片及一片第二電極片的組合件，該組合件中的PTC聚合物材料及間隔單元是夾置於第一電極片與第二電極片之間並共同配合形成一個堆疊體；對該堆疊體進行熱壓合，並使第一電極片及第二電極片對著PTC聚合物材料與間隔單元進行接觸及壓製，及該PTC聚合物材料會與該第一電極片及第二電極片接合並共同配合形成PTC層合體；及對該PTC層合體進行切割，以形成該PTC電流保護晶片裝置。本發明另提供一種可消除先前技術缺點的PTC電流保護晶片裝置。
简体摘要：一种正温度系数(PTC)电流保护芯片设备的制法，包含：制备一个含有PTC聚合物材料、一个间隔单元、一片第一电极片及一片第二电极片的组合件，该组合件中的PTC聚合物材料及间隔单元是夹置于第一电极片与第二电极片之间并共同配合形成一个堆栈体；对该堆栈体进行热压合，并使第一电极片及第二电极片对着PTC聚合物材料与间隔单元进行接触及压制，及该PTC聚合物材料会与该第一电极片及第二电极片接合并共同配合形成PTC层合体；及对该PTC层合体进行切割，以形成该PTC电流保护芯片设备。本发明另提供一种可消除先前技术缺点的PTC电流保护芯片设备。

7. 发明专利

TW201712698A 過電流保護裝置审中-公开
简体标题：过电流保护设备
公开(公告)号：TW201712698A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104130630
申请日：2015-09-16
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02
摘要：一種過電流保護裝置，包含第一電極與第二電極，及一包括第一PTC聚合物材料層及第二PTC聚合物材料層的多層結構。該第一PTC聚合物材料層包括一第一聚合物基材及一分散於該第一聚合物基材中的微粒導電填料，該第一聚合物基材是由一第一聚合組成物所製得。該第二PTC聚合物材料層包括一第二聚合物基材及一分散於該第二聚合物基材中的微粒導電填料，該第二聚合物基材是由一第二聚合組成物所製得。該第一聚合組成物與該第二聚合組成物中的其中一者含有聚偏二氟乙烯及聚烯烴，另一者含有聚烯烴或聚偏二氟乙烯。
简体摘要：一种过电流保护设备，包含第一电极与第二电极，及一包括第一PTC聚合物材料层及第二PTC聚合物材料层的多层结构。该第一PTC聚合物材料层包括一第一聚合物基材及一分散于该第一聚合物基材中的微粒导电填料，该第一聚合物基材是由一第一聚合组成物所制得。该第二PTC聚合物材料层包括一第二聚合物基材及一分散于该第二聚合物基材中的微粒导电填料，该第二聚合物基材是由一第二聚合组成物所制得。该第一聚合组成物与该第二聚合组成物中的其中一者含有聚偏二氟乙烯及聚烯烃，另一者含有聚烯烃或聚偏二氟乙烯。

8. 发明专利

TW201640527A 正溫度係數電路保護元件审中-公开
简体标题：正温度系数电路保护组件
公开(公告)号：TW201640527A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104115200
申请日：2015-05-13
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02
摘要：一種正溫度係數電路保護元件，包含一正溫度係數聚合物材料及二個接觸該正溫度係數聚合物材料的電極。該正溫度係數聚合物材料括一聚合物基體及一分散於該聚合物基體的導電填充物。該導電填充物包括第一碳化鈦顆粒及第二碳化鈦顆粒。該等第一碳化鈦顆粒具有一小於2.5μm的平均費氏微篩粒徑。該等第二碳化鈦顆粒具有一小於3.2μm的平均費氏微篩粒徑。
简体摘要：一种正温度系数电路保护组件，包含一正温度系数聚合物材料及二个接触该正温度系数聚合物材料的电极。该正温度系数聚合物材料括一聚合物基体及一分散于该聚合物基体的导电填充物。该导电填充物包括第一碳化钛颗粒及第二碳化钛颗粒。该等第一碳化钛颗粒具有一小于2.5μm的平均费氏微筛粒径。该等第二碳化钛颗粒具有一小于3.2μm的平均费氏微筛粒径。

9. 发明专利

TW201802836A 正溫度係數過電流保護元件审中-公开
简体标题：正温度系数过电流保护组件
公开(公告)号：TW201802836A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105121500
申请日：2016-07-07
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO.,LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JACK JIH-SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02
摘要：一種正溫度係數過電流保護元件，包含一正溫度係數材料層及兩個電極。該正溫度係數材料層包括一高分子基體及一導電性顆粒填充物。該高分子基體具有一異相流變性聚合物組成，該異相流變性聚合物組成包含一第一聚烯烴單元、一第二聚烯烴單元及一第三聚烯烴單元，該第一聚烯烴單元與該第二聚烯烴單元及該第三聚烯烴是共熔融混煉後固化而形成該高分子基體。該第一聚烯烴單元、該第二聚烯烴單元、該第三聚烯烴單元分別具有介於0.1至2.5 g/10 min、介於20至30 g/10 min、小於0.00001 g/10 min的熔流指數。本發明正溫度係數過電流保護元件具有良好的電氣穩定性與可靠性。
简体摘要：一种正温度系数过电流保护组件，包含一正温度系数材料层及两个电极。该正温度系数材料层包括一高分子基体及一导电性颗粒填充物。该高分子基体具有一异相流变性聚合物组成，该异相流变性聚合物组成包含一第一聚烯烃单元、一第二聚烯烃单元及一第三聚烯烃单元，该第一聚烯烃单元与该第二聚烯烃单元及该第三聚烯烃是共熔融混炼后固化而形成该高分子基体。该第一聚烯烃单元、该第二聚烯烃单元、该第三聚烯烃单元分别具有介于0.1至2.5 g/10 min、介于20至30 g/10 min、小于0.00001 g/10 min的熔流指数。本发明正温度系数过电流保护组件具有良好的电气稳定性与可靠性。

10. 发明专利

TWI567764B 高分子正溫度係數過電流保護裝置有权
简体标题：高分子正温度系数过电流保护设备
公开(公告)号：TWI567764B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101134134
申请日：2012-09-18
申请人：富致科技股份有限公司 , FUZETEC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：陳繼聖 , CHEN, JIH SANG , 江長鴻 , JIANG, CHANG HUNG
IPC分类号： H01C7/02 , H01C7/13

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