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1. 发明专利

TWI643812B 漿料用氮化矽粉末及其製造方法、離型材用氮化矽粉末漿料及其製造方法、離型材用氮化矽粉末、離型材、以及多結晶矽鑄造用鑄模及其製造方法有权
简体标题：浆料用氮化硅粉末及其制造方法、离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及多结晶硅铸造用铸模及其制造方法
公开(公告)号：TWI643812B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW104104526
申请日：2015-02-11
申请人：日商宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 治田慎輔 , JIDA, SHINSUKE
IPC分类号： C01B21/068 , B22C9/06 , B22C3/00 , B22D7/06 , B22D25/00 , H01L31/028 , H01L31/18

2. 发明专利

TW201538420A 漿料用氮化矽粉末及其製造方法、離型材用氮化矽粉末漿料及其製造方法、離型材用氮化矽粉末、離型材、以及多結晶矽鑄造用鑄模及其製造方法审中-公开
简体标题：浆料用氮化硅粉末及其制造方法、离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及多结晶硅铸造用铸模及其制造方法
公开(公告)号：TW201538420A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104104526
申请日：2015-02-11
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 治田慎輔 , JIDA, SHINSUKE
IPC分类号： C01B21/068 , B22C9/06 , B22C3/00 , B22D7/06 , B22D25/00 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC分类号： C01B21/068 , B22C3/00 , B22C9/02 , B22C9/061 , B22D7/005 , C01B21/0685 , C01P2002/02 , C01P2004/04 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C09D1/00 , C10M103/06
摘要：本發明提供一種離型材用氮化矽粉末漿料及其製造方法、離型材用氮化矽粉末、離型材、以及用以獲得該離型材用氮化矽粉末漿料之漿料用氮化矽粉末及其製造方法、以及多結晶矽錠之離型性良好之多結晶矽鑄造用鑄模及其低成本製造方法，上述離型材用氮化矽粉末漿料無需使用黏合劑等添加劑且無需經過燒接步驟即可於多結晶矽鑄造用鑄模形成不僅多結晶矽錠之離型性良好且多結晶矽錠鑄造後對鑄模之密接性亦良好的離型層。本發明係關於一種漿料用氮化矽粉末，其係用於多結晶矽鑄造用鑄模之離型層形成用漿料之氮化矽粉末，且比表面積為5~50m2/g，非晶質氮化矽之比例為1.0~25.0質量%，含氧量為0.6~2.5質量%。
简体摘要：本发明提供一种离型材用氮化硅粉末浆料及其制造方法、离型材用氮化硅粉末、离型材、以及用以获得该离型材用氮化硅粉末浆料之浆料用氮化硅粉末及其制造方法、以及多结晶硅锭之离型性良好之多结晶硅铸造用铸模及其低成本制造方法，上述离型材用氮化硅粉末浆料无需使用黏合剂等添加剂且无需经过烧接步骤即可于多结晶硅铸造用铸模形成不仅多结晶硅锭之离型性良好且多结晶硅锭铸造后对铸模之密接性亦良好的离型层。本发明系关于一种浆料用氮化硅粉末，其系用于多结晶硅铸造用铸模之离型层形成用浆料之氮化硅粉末，且比表面积为5~50m2/g，非晶质氮化硅之比例为1.0~25.0质量%，含氧量为0.6~2.5质量%。

3. 发明专利

TW201512080A 多晶矽錠鑄造用鑄模之脫模劑用氮化矽粉末及其製造方法、含有該氮化矽粉末之漿料、多晶矽錠鑄造用鑄模及其製造方法、以及使用該鑄模之多晶矽錠之製造方法审中-公开
简体标题：多晶硅锭铸造用铸模之脱模剂用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末之浆料、多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模之多晶硅锭之制造方法
公开(公告)号：TW201512080A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103123778
申请日：2014-07-10
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 治田慎輔 , JIDA, SHINSUKE , 藤井孝行 , FUJII, TAKAYUKI
IPC分类号： C01B21/068 , B22C3/00 , B22C23/02 , B22D11/059 , B22D25/00 , C30B35/00 , C30B29/06
CPC分类号： C01B21/068 , B05D3/0413 , C01B21/0687 , C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2006/12 , C01P2006/80
摘要：本發明係提供一種可以低成本調製光電轉換效率高之多晶矽錠的多晶矽錠鑄造用鑄模之脫模劑用氮化矽粉末。該多晶矽錠鑄造用鑄模之脫模劑用氮化矽粉末的比表面積係5~40m2/g，於令存在於粒子表面層之含氧比率為FSO(質量%)、存在於粒子內部之含氧比率為FIO(質量%)、比表面積為FS(m2/g)時，FS/FSO係8~30、FS/FIO係22以上，且粒度分布測定中，10體積%直徑D10與90體積%直徑D90之比值D10/D90係0.05~0.20。本發明係提供多晶矽錠鑄造用鑄模之脫模劑用氮化矽粉末及其製造方法、含有該氮化矽粉末之漿料、及多晶矽錠鑄造用鑄模及其製造方法、以及使用該鑄模之多晶矽錠之製造方法。
简体摘要：本发明系提供一种可以低成本调制光电转换效率高之多晶硅锭的多晶硅锭铸造用铸模之脱模剂用氮化硅粉末。该多晶硅锭铸造用铸模之脱模剂用氮化硅粉末的比表面积系5~40m2/g，于令存在于粒子表面层之含氧比率为FSO(质量%)、存在于粒子内部之含氧比率为FIO(质量%)、比表面积为FS(m2/g)时，FS/FSO系8~30、FS/FIO系22以上，且粒度分布测定中，10体积%直径D10与90体积%直径D90之比值D10/D90系0.05~0.20。本发明系提供多晶硅锭铸造用铸模之脱模剂用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末之浆料、及多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模之多晶硅锭之制造方法。

4. 发明专利

TW201343541A 氮化矽粉末之製造方法及氮化矽粉末、以及氮化矽燒結體及使用其之電路基板审中-公开
简体标题：氮化硅粉末之制造方法及氮化硅粉末、以及氮化硅烧结体及使用其之电路基板
公开(公告)号：TW201343541A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102110859
申请日：2013-03-27
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 藤永昌孝 , FUJINAGA, MASATAKA , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 藤井孝行 , FUJII, TAKAYUKI
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
CPC分类号： C01B21/0687 , C01B21/068 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/2982
摘要：本發明之目的係提供一種具高機械強度及熱傳導率之氮化矽燒結體、及使用其之電路基板。本發明提供一種氮化矽粉末之製造方法，其特徵在於一面以連續燒成爐使當令比表面積為RS(m2/g)、含氧比率為RO(質量%)時，RS/RO為500以上之非晶質Si-N(-H)系化合物流動，一面於1000~1400℃之溫度範圍下，以12~100℃/分之升溫速度加熱。又，本發明係提供一種氮化矽粉末、燒結該氮化矽粉末而得之氮化矽燒結體、及使用該氮化矽燒結體之電路基板，而前述氮化矽粉末是當令存在於自粒子表面至粒子表面正下方3nm之氧的含有比率為FSO(質量%)，令存在於自粒子表面正下方3nm起向內側之氧的含有比率為FIO(質量%)，且令比表面積為FS(m2/g)時，FS/FSO為8~25，FS/FIO為22以上。
简体摘要：本发明之目的系提供一种具高机械强度及热传导率之氮化硅烧结体、及使用其之电路基板。本发明提供一种氮化硅粉末之制造方法，其特征在于一面以连续烧成炉使当令比表面积为RS(m2/g)、含氧比率为RO(质量%)时，RS/RO为500以上之非晶质Si-N(-H)系化合物流动，一面于1000~1400℃之温度范围下，以12~100℃/分之升温速度加热。又，本发明系提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得之氮化硅烧结体、及使用该氮化硅烧结体之电路基板，而前述氮化硅粉末是当令存在于自粒子表面至粒子表面正下方3nm之氧的含有比率为FSO(质量%)，令存在于自粒子表面正下方3nm起向内侧之氧的含有比率为FIO(质量%)，且令比表面积为FS(m2/g)时，FS/FSO为8~25，FS/FIO为22以上。

5. 发明专利

TWI624429B 多晶矽錠鑄造用鑄模之脫模劑用氮化矽粉末及其製造方法、含有該氮化矽粉末之漿料、多晶矽錠鑄造用鑄模及其製造方法、以及使用該鑄模之多晶矽錠之製造方法有权
简体标题：多晶硅锭铸造用铸模之脱模剂用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末之浆料、多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模之多晶硅锭之制造方法
公开(公告)号：TWI624429B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103123778
申请日：2014-07-10
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 治田慎輔 , JIDA, SHINSUKE , 藤井孝行 , FUJII, TAKAYUKI
IPC分类号： C01B21/068 , B22C3/00 , B22C23/02 , B22D11/059 , B22D25/00 , C30B35/00 , C30B29/06

6. 发明专利

TWI573757B 氮化矽粉末之製造方法及氮化矽粉末、以及氮化矽燒結體及使用其之電路基板有权
简体标题：氮化硅粉末之制造方法及氮化硅粉末、以及氮化硅烧结体及使用其之电路基板
公开(公告)号：TWI573757B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102110859
申请日：2013-03-27
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 藤永昌孝 , FUJINAGA, MASATAKA , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 藤井孝行 , FUJII, TAKAYUKI
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
CPC分类号： C01B21/0687 , C01B21/068 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/2982

7. 发明专利

TW201605763A 氮化矽粉末、氮化矽燒結體及電路基板、以及氮化矽粉末之製造方法审中-公开
简体标题：氮化硅粉末、氮化硅烧结体及电路基板、以及氮化硅粉末之制造方法
公开(公告)号：TW201605763A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104119407
申请日：2015-06-16
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 治田慎輔 , JIDA, SHINSUKE
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/64
CPC分类号： C01B21/068 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C04B35/584 , C04B35/626 , C04B2235/3882 , H05K1/0201 , H05K1/0306
摘要：本發明之課題乃提供一種不僅具有高熱傳導率，且同時具有高機械強度之氮化矽燒結體及電路基板、其原料的氮化矽粉末及其製造方法。本發明提供一種氮化矽粉末、自該氮化矽粉末製得之氮化矽燒結體及電路基板、以及該氮化矽粉末之製造方法，該氮化矽粉末之比表面積為4.0~9.0m2/g，β相之比例小於40%，氧含量為0.20~0.95質量%，且利用雷射繞射散射法進行體積基準之粒度分布測定所得之頻度分布曲線具有二個波峰，該波峰之峰頂位於0.4~0.7μm之範圍與1.5~3.0μm之範圍，且前述峰頂之頻度比(粒徑0.4~0.7μm之範圍之峰頂的頻度/粒徑1.5~3.0μm之範圍之峰頂的頻度)為0.5~1.5，並且藉由前述粒度分布測定所得之中值粒徑D50(μm)與自前述比表面積算出之比表面積等值粒徑DBET(μm)的比D50/DBET(μm/μm)為3.5以上，又，將粒徑1.5~3.0μm之範圍之峰頂的粒徑(μm)與粒徑0.4~0.7μm之範圍之峰頂的粒徑(μm)之差ΔDp(μm)，除以中值粒徑D50(μm)所算出之比ΔDp/D50為1.10以上。
简体摘要：本发明之课题乃提供一种不仅具有高热传导率，且同时具有高机械强度之氮化硅烧结体及电路基板、其原料的氮化硅粉末及其制造方法。本发明提供一种氮化硅粉末、自该氮化硅粉末制得之氮化硅烧结体及电路基板、以及该氮化硅粉末之制造方法，该氮化硅粉末之比表面积为4.0~9.0m2/g，β相之比例小于40%，氧含量为0.20~0.95质量%，且利用激光绕射散射法进行体积基准之粒度分布测定所得之频度分布曲线具有二个波峰，该波峰之峰顶位于0.4~0.7μm之范围与1.5~3.0μm之范围，且前述峰顶之频度比(粒径0.4~0.7μm之范围之峰顶的频度/粒径1.5~3.0μm之范围之峰顶的频度)为0.5~1.5，并且借由前述粒度分布测定所得之中值粒径D50(μm)与自前述比表面积算出之比表面积等值粒径DBET(μm)的比D50/DBET(μm/μm)为3.5以上，又，将粒径1.5~3.0μm之范围之峰顶的粒径(μm)与粒径0.4~0.7μm之范围之峰顶的粒径(μm)之差ΔDp(μm)，除以中值粒径D50(μm)所算出之比ΔDp/D50为1.10以上。

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