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1. 发明专利

TW201343541A 氮化矽粉末之製造方法及氮化矽粉末、以及氮化矽燒結體及使用其之電路基板审中-公开
简体标题：氮化硅粉末之制造方法及氮化硅粉末、以及氮化硅烧结体及使用其之电路基板
公开(公告)号：TW201343541A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102110859
申请日：2013-03-27
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 藤永昌孝 , FUJINAGA, MASATAKA , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 藤井孝行 , FUJII, TAKAYUKI
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
CPC分类号： C01B21/0687 , C01B21/068 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/2982
摘要：本發明之目的係提供一種具高機械強度及熱傳導率之氮化矽燒結體、及使用其之電路基板。本發明提供一種氮化矽粉末之製造方法，其特徵在於一面以連續燒成爐使當令比表面積為RS(m2/g)、含氧比率為RO(質量%)時，RS/RO為500以上之非晶質Si-N(-H)系化合物流動，一面於1000~1400℃之溫度範圍下，以12~100℃/分之升溫速度加熱。又，本發明係提供一種氮化矽粉末、燒結該氮化矽粉末而得之氮化矽燒結體、及使用該氮化矽燒結體之電路基板，而前述氮化矽粉末是當令存在於自粒子表面至粒子表面正下方3nm之氧的含有比率為FSO(質量%)，令存在於自粒子表面正下方3nm起向內側之氧的含有比率為FIO(質量%)，且令比表面積為FS(m2/g)時，FS/FSO為8~25，FS/FIO為22以上。
简体摘要：本发明之目的系提供一种具高机械强度及热传导率之氮化硅烧结体、及使用其之电路基板。本发明提供一种氮化硅粉末之制造方法，其特征在于一面以连续烧成炉使当令比表面积为RS(m2/g)、含氧比率为RO(质量%)时，RS/RO为500以上之非晶质Si-N(-H)系化合物流动，一面于1000~1400℃之温度范围下，以12~100℃/分之升温速度加热。又，本发明系提供一种氮化硅粉末、烧结该氮化硅粉末而得之氮化硅烧结体、及使用该氮化硅烧结体之电路基板，而前述氮化硅粉末是当令存在于自粒子表面至粒子表面正下方3nm之氧的含有比率为FSO(质量%)，令存在于自粒子表面正下方3nm起向内侧之氧的含有比率为FIO(质量%)，且令比表面积为FS(m2/g)时，FS/FSO为8~25，FS/FIO为22以上。

2. 发明专利

TW201829304A 氮化矽粉末及氮化矽燒結體之製造方法审中-公开
简体标题：氮化硅粉末及氮化硅烧结体之制造方法
公开(公告)号：TW201829304A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143843
申请日：2017-12-12
申请人：日商宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 山田哲夫 , YAMADA, TETSUO
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
摘要：本發明之目的在於提供一種氮化矽粉末，該氮化矽粉末不會增大燒結時之環境壓力，並且即便於燒結後不進行熱處理，亦可製造兼具高導熱率與高機械強度的氮化矽燒結體。本發明提供一種氮化矽粉末，其比表面積為5m2/g以上且20m2/g以下，β型氮化矽之比例為70質量%以上，D50為0.5μm以上且3μm以下，D90為3μm以上且6μm以下，Fe之含有比例為200ppm以下，Al之含有比例為200ppm以下，Fe及Al以外之金屬雜質之含有比例之合計為200ppm以下，β型氮化矽之微晶粒徑DC為60nm以上，且比表面積等值粒徑DBET與DC之比DBET/DC(nm/nm)為3以下，β型氮化矽之結晶應變為1.5×10-4以下。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种氮化硅粉末，该氮化硅粉末不会增大烧结时之环境压力，并且即便于烧结后不进行热处理，亦可制造兼具高导热率与高机械强度的氮化硅烧结体。本发明提供一种氮化硅粉末，其比表面积为5m2/g以上且20m2/g以下，β型氮化硅之比例为70质量%以上，D50为0.5μm以上且3μm以下，D90为3μm以上且6μm以下，Fe之含有比例为200ppm以下，Al之含有比例为200ppm以下，Fe及Al以外之金属杂质之含有比例之合计为200ppm以下，β型氮化硅之微晶粒径DC为60nm以上，且比表面积等值粒径DBET与DC之比DBET/DC(nm/nm)为3以下，β型氮化硅之结晶应变为1.5×10-4以下。

3. 发明专利

TW201829303A 氮化矽粉末、多晶矽鑄錠用脫模劑及多晶矽鑄錠之製造方法审中-公开
简体标题：氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭之制造方法
公开(公告)号：TW201829303A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143842
申请日：2017-12-12
申请人：日商宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 山田哲夫 , YAMADA, TETSUO
IPC分类号： C01B21/068 , C01B33/02 , C30B11/00 , B22C3/00
摘要：本發明之目的在於提供一種氮化矽粉末，其可較佳地用作即便於提高單向凝固時之矽之熔融溫度之情形時，或者即便於延長矽之熔融時間之情形時，多晶矽鑄錠之脫模性亦良好的多晶矽鑄錠之脫模劑。本發明提供一種氮化矽粉末，其特徵在於：比表面積為2m2/g以上且13m2/g以下，β型氮化矽之比率為50質量%以上，β型氮化矽之微晶粒徑DC為150nm以上，比表面積當量徑DBET與DC之比DBET/DC(nm/nm)為3以下，藉由粒度分佈測定而獲得之頻度分佈曲線具有兩個波峰，該等波峰之峰頂處於0.5~2μm之範圍及6~30μm之範圍，且上述峰頂之頻度之比為0.1~1。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种氮化硅粉末，其可较佳地用作即便于提高单向凝固时之硅之熔融温度之情形时，或者即便于延长硅之熔融时间之情形时，多晶硅铸锭之脱模性亦良好的多晶硅铸锭之脱模剂。本发明提供一种氮化硅粉末，其特征在于：比表面积为2m2/g以上且13m2/g以下，β型氮化硅之比率为50质量%以上，β型氮化硅之微晶粒径DC为150nm以上，比表面积当量径DBET与DC之比DBET/DC(nm/nm)为3以下，借由粒度分布测定而获得之频度分布曲线具有两个波峰，该等波峰之峰顶处于0.5~2μm之范围及6~30μm之范围，且上述峰顶之频度之比为0.1~1。

4. 发明专利

TW201829302A 氮化矽粉末、多晶矽鑄錠用脫模劑及多晶矽鑄錠之製造方法审中-公开
简体标题：氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭之制造方法
公开(公告)号：TW201829302A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143841
申请日：2017-12-12
申请人：日商宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 山田哲夫 , YAMADA, TETSUO
IPC分类号： C01B21/068 , C01B33/02 , C30B11/00 , B22C3/00
摘要：本發明之目的在於提供一種氮化矽粉末，其可較佳地用作即便於提高單向凝固時之矽之熔融溫度之情形時，或者即便於延長矽之熔融時間之情形時，多晶矽鑄錠之脫模性亦良好的多晶矽鑄錠之脫模劑。本發明提供一種氮化矽粉末，其係比表面積為0.4m2/g以上且5m2/g以下者，且特徵在於：β型氮化矽之比率為70質量%以上，D50為2μm以上且20μm以下，D90為8μm以上且60μm以下，Fe之含有比率為100ppm以下，Al之含有比率為100ppm以下，Fe及Al以外之金屬雜質之含有比率之合計為100ppm以下，且於將β型氮化矽之微晶粒徑設為DC時，DC為300nm以上。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种氮化硅粉末，其可较佳地用作即便于提高单向凝固时之硅之熔融温度之情形时，或者即便于延长硅之熔融时间之情形时，多晶硅铸锭之脱模性亦良好的多晶硅铸锭之脱模剂。本发明提供一种氮化硅粉末，其系比表面积为0.4m2/g以上且5m2/g以下者，且特征在于：β型氮化硅之比率为70质量%以上，D50为2μm以上且20μm以下，D90为8μm以上且60μm以下，Fe之含有比率为100ppm以下，Al之含有比率为100ppm以下，Fe及Al以外之金属杂质之含有比率之合计为100ppm以下，且于将β型氮化硅之微晶粒径设为DC时，DC为300nm以上。

5. 发明专利

TWI634071B 氮化矽粉末、多晶矽鑄錠用脫模劑及多晶矽鑄錠之製造方法有权
简体标题：氮化硅粉末、多晶硅铸锭用脱模剂及多晶硅铸锭之制造方法
公开(公告)号：TWI634071B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106143841
申请日：2017-12-12
申请人：日商宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 山田哲夫 , YAMADA, TETSUO
IPC分类号： C01B21/068 , C01B33/02 , C30B11/00 , B22C3/00

6. 发明专利

TW201829299A 高純度氮化矽粉末之製造方法审中-公开
简体标题：高纯度氮化硅粉末之制造方法
公开(公告)号：TW201829299A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106143845
申请日：2017-12-12
申请人：日商宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 山田哲夫 , YAMADA, TETSUO
IPC分类号： C01B21/064
摘要：本發明提供一種藉由燃燒合成法有效率且經濟地製造結晶性良好且鐵、鋁等雜質含量較少的高純度之氮化矽微粉末的技術。本發明係一種高純度氮化矽粉末之製造方法，其係將矽粉末與稀釋劑之氮化矽進行混合，並將混合粉末填充至坩堝中，藉由燃燒合成法製造由氮化矽所構成之凝結塊，並將上述凝結塊進行粉碎，並且上述矽粉末及上述稀釋劑之鐵及鋁之含量分別為100ppm以下，鐵及鋁以外之金屬雜質之合計含量為100ppm以下，上述矽粉末與上述稀釋劑之摻合比以質量比計為9：1~5：5；上述混合粉末之粉體層之體密度為0.3~0.65g/cm3，且使用裝填或裝入有含氮化矽之粉碎介質的粉碎裝置將上述凝結塊進行粉碎。
简体摘要：本发明提供一种借由燃烧合成法有效率且经济地制造结晶性良好且铁、铝等杂质含量较少的高纯度之氮化硅微粉末的技术。本发明系一种高纯度氮化硅粉末之制造方法，其系将硅粉末与稀释剂之氮化硅进行混合，并将混合粉末填充至坩埚中，借由燃烧合成法制造由氮化硅所构成之凝结块，并将上述凝结块进行粉碎，并且上述硅粉末及上述稀释剂之铁及铝之含量分别为100ppm以下，铁及铝以外之金属杂质之合计含量为100ppm以下，上述硅粉末与上述稀释剂之掺合比以质量比计为9：1~5：5；上述混合粉末之粉体层之体密度为0.3~0.65g/cm3，且使用装填或装入有含氮化硅之粉碎介质的粉碎设备将上述凝结块进行粉碎。

7. 发明专利

TWI573757B 氮化矽粉末之製造方法及氮化矽粉末、以及氮化矽燒結體及使用其之電路基板有权
简体标题：氮化硅粉末之制造方法及氮化硅粉末、以及氮化硅烧结体及使用其之电路基板
公开(公告)号：TWI573757B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW102110859
申请日：2013-03-27
申请人：宇部興產股份有限公司 , UBE INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴田耕司 , SHIBATA, KOJI , 王丸卓司 , OHMARU, TAKUJI , 山尾猛 , YAMAO, TAKESHI , 藤永昌孝 , FUJINAGA, MASATAKA , 本田道夫 , HONDA, MICHIO , 藤井孝行 , FUJII, TAKAYUKI
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
CPC分类号： C01B21/0687 , C01B21/068 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C04B35/5935 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/2982

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