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2. 发明专利

TWI361102B 排氣處理方法及排氣處理裝置 PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS 有权
简体标题：排气处理方法及排气处理设备 PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS
公开(公告)号：TWI361102B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW094102435
申请日：2005-01-27
申请人：大陽日酸股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：長谷川英晴 , 石原良夫 , 鈴木克昌 , 大見忠弘
IPC分类号： B01D , C01B , C01F
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0883 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894
摘要：本發明之排氣處理方法係將半導體裝置之製造設備內呈激發狀態之排氣在減壓下導入於處理部之電漿處理部內，在藉由電漿處理部內產生之電漿而維持激發之狀態下，導入於反應除去部之反應器內，與充填於反應器之由粒狀氧化鈣所構成之反應除去劑反應，而除去排氣中之有害氣體成分。對電漿處理部供給氧，而在電漿之存在下，使有害氣體成分氧化分解外，亦可與反應除去劑反應。
简体摘要：本发明之排气处理方法系将半导体设备之制造设备内呈激发状态之排气在减压下导入于处理部之等离子处理部内，在借由等离子处理部内产生之等离子而维持激发之状态下，导入于反应除去部之反应器内，与充填于反应器之由粒状氧化钙所构成之反应除去剂反应，而除去排气中之有害气体成分。对等离子处理部供给氧，而在等离子之存在下，使有害气体成分氧化分解外，亦可与反应除去剂反应。

3. 发明专利

TW201119729A 廢氣處理方法及廢氣處理裝置 EXHAUST GAS PROCESSING METHOD AND EXHAUST GAS PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：废气处理方法及废气处理设备 EXHAUST GAS PROCESSING METHOD AND EXHAUST GAS PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201119729A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099133966
申请日：2010-10-06
申请人：大陽日酸股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：鈴木克昌 , 迫田薰 , 石原良夫 , 大見忠弘 , 白井泰雪
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/685 , B01D53/0438 , B01D53/70 , B01D2251/404 , B01D2251/602 , B01D2251/604 , B01D2253/1124 , B01D2253/304 , B01D2253/311 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2258/0216
摘要：本發明提供一種可以降低全體廢氣處理裝置的消費電力的廢氣處理方法及廢氣處理裝置。具體而言,本發明的廢氣處理方法是,將由半導體製造裝置排出的廢氣中所含的有害氣體以固體的反應除去劑予以反應除去的廢氣處理方法,具備將測定前述反應除去劑的溫度的手段及前述反應除去劑的加熱手段,各分別設在前述反應除去劑充填筒的氣流方向的3處以上,根據各溫度測定手段所測定的溫度而控制各加熱手段。
简体摘要：本发明提供一种可以降低全体废气处理设备的消费电力的废气处理方法及废气处理设备。具体而言,本发明的废气处理方法是,将由半导体制造设备排出的废气中所含的有害气体以固体的反应除去剂予以反应除去的废气处理方法,具备将测定前述反应除去剂的温度的手段及前述反应除去剂的加热手段,各分别设在前述反应除去剂充填筒的气流方向的3处以上,根据各温度测定手段所测定的温度而控制各加热手段。

4. 发明专利

TW201409000A 液體材料有無檢測方法审中-公开
简体标题：液体材料有无检测方法
公开(公告)号：TW201409000A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102121879
申请日：2013-06-20
申请人：大陽日酸股份有限公司 , TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION
发明人：鈴木克昌 , SUZUKI, KATSUMASA
IPC分类号： G01F9/00
CPC分类号： G01N11/02 , G01F23/0076 , G01N35/1016
摘要：本發明之目的在於提供一種不依存於液體材料之黏性，可確實地檢測液體材料貯存容器內所貯存之液體材料的有無，且可抑制起因於對使用對象的液體材料供給不足所致之製程不良的液體材料有無檢測方法；本發明之液體材料有無檢測方法係包含：使用將液體材料貯存容器內之液體材料供給至緩衝槽的第1液體材料供給管路所配置之液體流量計，連續地測定流動於第1液體材料供給管路的流體流量之流量測定步驟；以及依據液體流量計所測定之流體的流量，檢測出液體材料貯存容器內之液體材料A的有無之液體材料有無檢測步驟。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种不依存于液体材料之黏性，可确实地检测液体材料贮存容器内所贮存之液体材料的有无，且可抑制起因于对使用对象的液体材料供给不足所致之制程不良的液体材料有无检测方法；本发明之液体材料有无检测方法系包含：使用将液体材料贮存容器内之液体材料供给至缓冲槽的第1液体材料供给管路所配置之液体流量计，连续地测定流动于第1液体材料供给管路的流体流量之流量测定步骤；以及依据液体流量计所测定之流体的流量，检测出液体材料贮存容器内之液体材料A的有无之液体材料有无检测步骤。

5. 发明专利

TWI487565B 廢氣處理方法及廢氣處理裝置失效
简体标题：废气处理方法及废气处理设备
公开(公告)号：TWI487565B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW099133966
申请日：2010-10-06
申请人：大陽日酸股份有限公司 , TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：鈴木克昌 , SUZUKI, KATSUMASA , 迫田薰 , SAKODA, KAORU , 石原良夫 , ISHIHARA, YOSHIO , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI
IPC分类号： B01D53/82 , B01D53/70
CPC分类号： B01D53/685 , B01D53/0438 , B01D53/70 , B01D2251/404 , B01D2251/602 , B01D2251/604 , B01D2253/1124 , B01D2253/304 , B01D2253/311 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2258/0216

6. 发明专利

TWI322030B 排氣處理劑，排氣處理方法，及排氣處理裝置 EXHAUST GAS TREATING AGENT, PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS 失效
简体标题：排气处理剂，排气处理方法，及排气处理设备 EXHAUST GAS TREATING AGENT, PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS
公开(公告)号：TWI322030B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW094102418
申请日：2005-01-27
申请人：大陽日酸股份有限公司
发明人：長谷川英晴 , 石原良夫 , 鈴木克昌
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/68 , B01J20/041 , B01J20/28059 , B01J2220/42
摘要：本發明之排氣處理劑係粒狀、多孔質且部份表面為氫氧化鈣之由氧化鈣所構成之排氣處理劑。表面積最好在1m 2 /g以上，空間率為10至50體積%。此氧化鈣係將粒狀碳酸鈣進行焙燒而得；從半導體製造裝置所排出之排氣若在氣體狀態下與此排氣處理劑接觸，排氣中之有害氣體成分將會與排氣處理劑進行反應而去除。 The exhaust gas treating agent of the present invention is one which is granular shape, porous, and constituted from calcium oxide a part of which is calcium hydroxide dotting on the surface thereof. The surface area is preferably not less than 1m 2 /g, and the porosity is preferably 10 to 50 volume %. The calcium oxide is one produced by firing a granular calcium carbonate, and the exhaust gas which is discharged from a semiconductor producing equipment is introduced to the exhaust gas treating agent in a gaseous state, such that the exhaust gas comes into contact with the exhaust gas treating agent, thereby reacting poisonous ingredients in the exhaust gas with the exhaust gas treating agent to be removed. 【創作特點】有鑑於斯，本發明之目的在於提供一種：從半導體製造裝置等所排出之排氣中，去除所含有害氣體成分之排氣處理劑，乃處理劑平均單位量之處理量較多，依少量處理劑便可施行多量的排氣處理，且當即使對處理後之處理劑施行廢棄處理之際，亦不需要施行特別的廢棄處理的排氣處理劑。
為了達到該目的，本發明第一形態之排氣處理劑，係粒狀且具多孔質構造的排氣處理劑，其之表面之至少一部份為氫氧化鈣以及其餘部分為氧化鈣。
上述排氣處理劑中，上述氫氧化鈣最好含上述排氣處理劑之20至70重量%。
上述排氣處理劑最好具有1m 2 /g以上之比表面積。
上述排氣處理劑最好具10至50體積%之空間率。
上述排氣處理劑可為焙燒粒狀碳酸鈣而得者。
上述排氣處理劑可為焙燒成形為粒狀之氫氧化鈣而得者。
上述排氣處理劑可為將氧化鈣利用水合反應而形成氫氧化鈣之後，再經焙燒而得者。
本發明第二形態之排氣處理方法，係將含有屬於週期表第IIIb族、第IVb族、或第Vb族之元素之氫化物及/或鹵化物的排氣，在氣體狀態下，接觸上述第一形態的排氣處理劑。
本發明第三形態之排氣處理裝置，係具備充填上述第一形態排氣處理劑而成之反應去除部。
在上述排氣處理裝置中，上述排氣處理劑最好以空隙率為30至70體積%之方式充填。
本發明之排氣處理劑乃因屬於多孔質，因此即使在微孔內部亦將利用化學反應使有害氣體成分產生反應而去除。所以，依少量處理劑便可處理多量排氣。此外，由於利用化學反應，因此，處理後之處理劑便成為安定且無害之鈣化合物，當對其施行廢棄處理之際並無須另外施行特別的處理，反而可當作有用的化學原料而再予利用。尤其，由於去除反應屬於散熱反應，因而在處理時並不需要從外部施行加熱，而使能源成本低。而且，處理裝置之構造簡單，亦使設備費用降低。
简体摘要：本发明之排气处理剂系粒状、多孔质且部份表面为氢氧化钙之由氧化钙所构成之排气处理剂。表面积最好在1m 2 /g以上，空间率为10至50体积%。此氧化钙系将粒状碳酸钙进行焙烧而得；从半导体制造设备所排出之排气若在气体状态下与此排气处理剂接触，排气中之有害气体成分将会与排气处理剂进行反应而去除。 The exhaust gas treating agent of the present invention is one which is granular shape, porous, and constituted from calcium oxide a part of which is calcium hydroxide dotting on the surface thereof. The surface area is preferably not less than 1m 2 /g, and the porosity is preferably 10 to 50 volume %. The calcium oxide is one produced by firing a granular calcium carbonate, and the exhaust gas which is discharged from a semiconductor producing equipment is introduced to the exhaust gas treating agent in a gaseous state, such that the exhaust gas comes into contact with the exhaust gas treating agent, thereby reacting poisonous ingredients in the exhaust gas with the exhaust gas treating agent to be removed. 【创作特点】有鉴于斯，本发明之目的在于提供一种：从半导体制造设备等所排出之排气中，去除所含有害气体成分之排气处理剂，乃处理剂平均单位量之处理量较多，依少量处理剂便可施行多量的排气处理，且当即使对处理后之处理剂施行废弃处理之际，亦不需要施行特别的废弃处理的排气处理剂。为了达到该目的，本发明第一形态之排气处理剂，系粒状且具多孔质构造的排气处理剂，其之表面之至少一部份为氢氧化钙以及其余部分为氧化钙。上述排气处理剂中，上述氢氧化钙最好含上述排气处理剂之20至70重量%。上述排气处理剂最好具有1m 2 /g以上之比表面积。上述排气处理剂最好具10至50体积%之空间率。上述排气处理剂可为焙烧粒状碳酸钙而得者。上述排气处理剂可为焙烧成形为粒状之氢氧化钙而得者。上述排气处理剂可为将氧化钙利用水合反应而形成氢氧化钙之后，再经焙烧而得者。本发明第二形态之排气处理方法，系将含有属于周期表第IIIb族、第IVb族、或第Vb族之元素之氢化物及/或卤化物的排气，在气体状态下，接触上述第一形态的排气处理剂。本发明第三形态之排气处理设备，系具备充填上述第一形态排气处理剂而成之反应去除部。在上述排气处理设备中，上述排气处理剂最好以空隙率为30至70体积%之方式充填。本发明之排气处理剂乃因属于多孔质，因此即使在微孔内部亦将利用化学反应使有害气体成分产生反应而去除。所以，依少量处理剂便可处理多量排气。此外，由于利用化学反应，因此，处理后之处理剂便成为安定且无害之钙化合物，当对其施行废弃处理之际并无须另外施行特别的处理，反而可当作有用的化学原料而再予利用。尤其，由于去除反应属于散热反应，因而在处理时并不需要从外部施行加热，而使能源成本低。而且，处理设备之构造简单，亦使设备费用降低。

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