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2. 发明专利

TWI487565B 廢氣處理方法及廢氣處理裝置失效
简体标题：废气处理方法及废气处理设备
公开(公告)号：TWI487565B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW099133966
申请日：2010-10-06
申请人：大陽日酸股份有限公司 , TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：鈴木克昌 , SUZUKI, KATSUMASA , 迫田薰 , SAKODA, KAORU , 石原良夫 , ISHIHARA, YOSHIO , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI
IPC分类号： B01D53/82 , B01D53/70
CPC分类号： B01D53/685 , B01D53/0438 , B01D53/70 , B01D2251/404 , B01D2251/602 , B01D2251/604 , B01D2253/1124 , B01D2253/304 , B01D2253/311 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2258/0216

3. 发明专利

TW201119729A 廢氣處理方法及廢氣處理裝置 EXHAUST GAS PROCESSING METHOD AND EXHAUST GAS PROCESSING APPARATUS 失效
简体标题：废气处理方法及废气处理设备 EXHAUST GAS PROCESSING METHOD AND EXHAUST GAS PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201119729A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099133966
申请日：2010-10-06
申请人：大陽日酸股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：鈴木克昌 , 迫田薰 , 石原良夫 , 大見忠弘 , 白井泰雪
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/685 , B01D53/0438 , B01D53/70 , B01D2251/404 , B01D2251/602 , B01D2251/604 , B01D2253/1124 , B01D2253/304 , B01D2253/311 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2258/0216
摘要：本發明提供一種可以降低全體廢氣處理裝置的消費電力的廢氣處理方法及廢氣處理裝置。具體而言,本發明的廢氣處理方法是,將由半導體製造裝置排出的廢氣中所含的有害氣體以固體的反應除去劑予以反應除去的廢氣處理方法,具備將測定前述反應除去劑的溫度的手段及前述反應除去劑的加熱手段,各分別設在前述反應除去劑充填筒的氣流方向的3處以上,根據各溫度測定手段所測定的溫度而控制各加熱手段。
简体摘要：本发明提供一种可以降低全体废气处理设备的消费电力的废气处理方法及废气处理设备。具体而言,本发明的废气处理方法是,将由半导体制造设备排出的废气中所含的有害气体以固体的反应除去剂予以反应除去的废气处理方法,具备将测定前述反应除去剂的温度的手段及前述反应除去剂的加热手段,各分别设在前述反应除去剂充填筒的气流方向的3处以上,根据各温度测定手段所测定的温度而控制各加热手段。

4. 发明专利

TW201043327A 壓力變動吸附式氣體分離方法及分離裝置 PRESSURE SWING ADSORBING TYPE GAS SEPARATING METHOD AND SEPARATION DEVICE 审中-公开
简体标题：压力变动吸附式气体分离方法及分离设备 PRESSURE SWING ADSORBING TYPE GAS SEPARATING METHOD AND SEPARATION DEVICE
公开(公告)号：TW201043327A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099107564
申请日：2010-03-16
申请人：大陽日酸股份有限公司
发明人：山脇正也 , 石原良夫 , 有村忠信
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/0438 , B01D53/047 , B01D2253/102 , B01D2256/18 , B01D2257/11 , B01D2259/40064 , B01D2259/404 , B01D2259/41 , C01B23/0052 , C01B23/0063 , C01B2210/0032 , C01B2210/0037
摘要：本發明提供一種壓力變動吸附式氣體分離方法,係使用對於包含至少2種成分之原料氣體之至少1種成分具有易吸附性、及對於前述原料氣體之至少1種成分具有難吸附性之吸附劑;且藉由充填有此吸附劑之吸附筒而從原料氣體將對於前述吸附劑顯示易吸附性之成分與顯示難吸附性之成分予以分離之方法;其中,將充填於前述吸附筒之吸附劑之溫度,保持在整年變化之吸附筒周圍環境溫度之最高溫度以上。
简体摘要：本发明提供一种压力变动吸附式气体分离方法,系使用对于包含至少2种成分之原料气体之至少1种成分具有易吸附性、及对于前述原料气体之至少1种成分具有难吸附性之吸附剂;且借由充填有此吸附剂之吸附筒而从原料气体将对于前述吸附剂显示易吸附性之成分与显示难吸附性之成分予以分离之方法;其中,将充填于前述吸附筒之吸附剂之温度,保持在整年变化之吸附筒周围环境温度之最高温度以上。

5. 发明专利

TWI322030B 排氣處理劑，排氣處理方法，及排氣處理裝置 EXHAUST GAS TREATING AGENT, PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS 失效
简体标题：排气处理剂，排气处理方法，及排气处理设备 EXHAUST GAS TREATING AGENT, PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS
公开(公告)号：TWI322030B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW094102418
申请日：2005-01-27
申请人：大陽日酸股份有限公司
发明人：長谷川英晴 , 石原良夫 , 鈴木克昌
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/68 , B01J20/041 , B01J20/28059 , B01J2220/42
摘要：本發明之排氣處理劑係粒狀、多孔質且部份表面為氫氧化鈣之由氧化鈣所構成之排氣處理劑。表面積最好在1m 2 /g以上，空間率為10至50體積%。此氧化鈣係將粒狀碳酸鈣進行焙燒而得；從半導體製造裝置所排出之排氣若在氣體狀態下與此排氣處理劑接觸，排氣中之有害氣體成分將會與排氣處理劑進行反應而去除。 The exhaust gas treating agent of the present invention is one which is granular shape, porous, and constituted from calcium oxide a part of which is calcium hydroxide dotting on the surface thereof. The surface area is preferably not less than 1m 2 /g, and the porosity is preferably 10 to 50 volume %. The calcium oxide is one produced by firing a granular calcium carbonate, and the exhaust gas which is discharged from a semiconductor producing equipment is introduced to the exhaust gas treating agent in a gaseous state, such that the exhaust gas comes into contact with the exhaust gas treating agent, thereby reacting poisonous ingredients in the exhaust gas with the exhaust gas treating agent to be removed. 【創作特點】有鑑於斯，本發明之目的在於提供一種：從半導體製造裝置等所排出之排氣中，去除所含有害氣體成分之排氣處理劑，乃處理劑平均單位量之處理量較多，依少量處理劑便可施行多量的排氣處理，且當即使對處理後之處理劑施行廢棄處理之際，亦不需要施行特別的廢棄處理的排氣處理劑。
為了達到該目的，本發明第一形態之排氣處理劑，係粒狀且具多孔質構造的排氣處理劑，其之表面之至少一部份為氫氧化鈣以及其餘部分為氧化鈣。
上述排氣處理劑中，上述氫氧化鈣最好含上述排氣處理劑之20至70重量%。
上述排氣處理劑最好具有1m 2 /g以上之比表面積。
上述排氣處理劑最好具10至50體積%之空間率。
上述排氣處理劑可為焙燒粒狀碳酸鈣而得者。
上述排氣處理劑可為焙燒成形為粒狀之氫氧化鈣而得者。
上述排氣處理劑可為將氧化鈣利用水合反應而形成氫氧化鈣之後，再經焙燒而得者。
本發明第二形態之排氣處理方法，係將含有屬於週期表第IIIb族、第IVb族、或第Vb族之元素之氫化物及/或鹵化物的排氣，在氣體狀態下，接觸上述第一形態的排氣處理劑。
本發明第三形態之排氣處理裝置，係具備充填上述第一形態排氣處理劑而成之反應去除部。
在上述排氣處理裝置中，上述排氣處理劑最好以空隙率為30至70體積%之方式充填。
本發明之排氣處理劑乃因屬於多孔質，因此即使在微孔內部亦將利用化學反應使有害氣體成分產生反應而去除。所以，依少量處理劑便可處理多量排氣。此外，由於利用化學反應，因此，處理後之處理劑便成為安定且無害之鈣化合物，當對其施行廢棄處理之際並無須另外施行特別的處理，反而可當作有用的化學原料而再予利用。尤其，由於去除反應屬於散熱反應，因而在處理時並不需要從外部施行加熱，而使能源成本低。而且，處理裝置之構造簡單，亦使設備費用降低。
简体摘要：本发明之排气处理剂系粒状、多孔质且部份表面为氢氧化钙之由氧化钙所构成之排气处理剂。表面积最好在1m 2 /g以上，空间率为10至50体积%。此氧化钙系将粒状碳酸钙进行焙烧而得；从半导体制造设备所排出之排气若在气体状态下与此排气处理剂接触，排气中之有害气体成分将会与排气处理剂进行反应而去除。 The exhaust gas treating agent of the present invention is one which is granular shape, porous, and constituted from calcium oxide a part of which is calcium hydroxide dotting on the surface thereof. The surface area is preferably not less than 1m 2 /g, and the porosity is preferably 10 to 50 volume %. The calcium oxide is one produced by firing a granular calcium carbonate, and the exhaust gas which is discharged from a semiconductor producing equipment is introduced to the exhaust gas treating agent in a gaseous state, such that the exhaust gas comes into contact with the exhaust gas treating agent, thereby reacting poisonous ingredients in the exhaust gas with the exhaust gas treating agent to be removed. 【创作特点】有鉴于斯，本发明之目的在于提供一种：从半导体制造设备等所排出之排气中，去除所含有害气体成分之排气处理剂，乃处理剂平均单位量之处理量较多，依少量处理剂便可施行多量的排气处理，且当即使对处理后之处理剂施行废弃处理之际，亦不需要施行特别的废弃处理的排气处理剂。为了达到该目的，本发明第一形态之排气处理剂，系粒状且具多孔质构造的排气处理剂，其之表面之至少一部份为氢氧化钙以及其余部分为氧化钙。上述排气处理剂中，上述氢氧化钙最好含上述排气处理剂之20至70重量%。上述排气处理剂最好具有1m 2 /g以上之比表面积。上述排气处理剂最好具10至50体积%之空间率。上述排气处理剂可为焙烧粒状碳酸钙而得者。上述排气处理剂可为焙烧成形为粒状之氢氧化钙而得者。上述排气处理剂可为将氧化钙利用水合反应而形成氢氧化钙之后，再经焙烧而得者。本发明第二形态之排气处理方法，系将含有属于周期表第IIIb族、第IVb族、或第Vb族之元素之氢化物及/或卤化物的排气，在气体状态下，接触上述第一形态的排气处理剂。本发明第三形态之排气处理设备，系具备充填上述第一形态排气处理剂而成之反应去除部。在上述排气处理设备中，上述排气处理剂最好以空隙率为30至70体积%之方式充填。本发明之排气处理剂乃因属于多孔质，因此即使在微孔内部亦将利用化学反应使有害气体成分产生反应而去除。所以，依少量处理剂便可处理多量排气。此外，由于利用化学反应，因此，处理后之处理剂便成为安定且无害之钙化合物，当对其施行废弃处理之际并无须另外施行特别的处理，反而可当作有用的化学原料而再予利用。尤其，由于去除反应属于散热反应，因而在处理时并不需要从外部施行加热，而使能源成本低。而且，处理设备之构造简单，亦使设备费用降低。

6. 发明专利

TWI361102B 排氣處理方法及排氣處理裝置 PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS 有权
简体标题：排气处理方法及排气处理设备 PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS
公开(公告)号：TWI361102B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW094102435
申请日：2005-01-27
申请人：大陽日酸股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：長谷川英晴 , 石原良夫 , 鈴木克昌 , 大見忠弘
IPC分类号： B01D , C01B , C01F
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0883 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894
摘要：本發明之排氣處理方法係將半導體裝置之製造設備內呈激發狀態之排氣在減壓下導入於處理部之電漿處理部內，在藉由電漿處理部內產生之電漿而維持激發之狀態下，導入於反應除去部之反應器內，與充填於反應器之由粒狀氧化鈣所構成之反應除去劑反應，而除去排氣中之有害氣體成分。對電漿處理部供給氧，而在電漿之存在下，使有害氣體成分氧化分解外，亦可與反應除去劑反應。
简体摘要：本发明之排气处理方法系将半导体设备之制造设备内呈激发状态之排气在减压下导入于处理部之等离子处理部内，在借由等离子处理部内产生之等离子而维持激发之状态下，导入于反应除去部之反应器内，与充填于反应器之由粒状氧化钙所构成之反应除去剂反应，而除去排气中之有害气体成分。对等离子处理部供给氧，而在等离子之存在下，使有害气体成分氧化分解外，亦可与反应除去剂反应。

7. 发明专利

TWI355288B 使用氣體回收容器的惰性氣體回收方法、將氣體回收至氣體回收容器內的氣體回收裝置以及從氣體回收容器排出氣體的氣體導出裝置 INERT GAS RECYCLING METHOD USING GAS RECYCLING CONTAINER,GAS RECYCLING DEVICE,AND GAS DRAINING DEVICE FOR DRAINING GAS FROM GAS RECYCLING CONTAINER 失效
简体标题：使用气体回收容器的惰性气体回收方法、将气体回收至气体回收容器内的气体回收设备以及从气体回收容器排出气体的气体导出设备 INERT GAS RECYCLING METHOD USING GAS RECYCLING CONTAINER,GAS RECYCLING DEVICE,AND GAS DRAINING DEVICE FOR DRAINING GAS FROM GAS RECYCLING CONTAINER
公开(公告)号：TWI355288B
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW094113061
申请日：2005-04-25
申请人：大陽日酸股份有限公司
发明人：石原良夫
IPC分类号： B01D , H01L
CPC分类号： B01D53/02 , B01D2253/102 , B01D2257/11 , B01D2258/0216
摘要：一種使用氣體回收容器的惰性氣體回收方法，用以回收包含作為半導體製品製造裝置等之空氣環境中使用之氣體：氪與氙之排氣並導入分離精製設備，有效率地由排氣中分離精製氪與氙。當回收由惰性氣體使用設備所排出之含有惰性氣體之排氣時，預先去除會使吸附惰性氣體之活性碳之吸附能力降低之有害成分後，透過開關閥在具有可以連結於氣體回收配管之接頭部之密封容器之內部，其內藏吸附惰性氣體之活性碳，在內有密封容器之氣體回收容器內加壓充填有害成分去除處理後之含有惰性氣體之排氣並作回收，當將回收至氣體回收容器內之含有惰性氣體之排氣導入惰性氣體分離精製設備時，藉由對氣體回收容器內進行減壓，使吸附於活性碳之惰性氣體解吸，由氣體回收容器內導出解吸之惰性氣體並導入氣體分離精製設備。
简体摘要：一种使用气体回收容器的惰性气体回收方法，用以回收包含作为半导体制品制造设备等之空气环境中使用之气体：氪与氙之排气并导入分离精制设备，有效率地由排气中分离精制氪与氙。当回收由惰性气体使用设备所排出之含有惰性气体之排气时，预先去除会使吸附惰性气体之活性碳之吸附能力降低之有害成分后，透过开关阀在具有可以链接于气体回收配管之接头部之密封容器之内部，其内藏吸附惰性气体之活性碳，在内有密封容器之气体回收容器内加压充填有害成分去除处理后之含有惰性气体之排气并作回收，当将回收至气体回收容器内之含有惰性气体之排气导入惰性气体分离精制设备时，借由对气体回收容器内进行减压，使吸附于活性碳之惰性气体解吸，由气体回收容器内导出解吸之惰性气体并导入气体分离精制设备。

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