专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI668804B 用於形成三維記憶體設備的階梯結構的方法有权
简体标题：用于形成三维内存设备的阶梯结构的方法
公开(公告)号：TWI668804B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107123398
申请日：2018-07-06
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：周玉婷 , ZHOU, YU TING , 肖莉紅 , XIAO, LI HONG , 許健 , XU, JIAN , 李思晢 , LI, SIZHE , 湯召輝 , TANG, ZHAO HUI , 李兆松 , LI, ZHAOSONG
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/11521 , H01L27/1157

2. 发明专利

TWI690003B 用於形成雙鑲嵌互連結構的方法有权
简体标题：用于形成双镶嵌互链接构的方法
公开(公告)号：TWI690003B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108106501
申请日：2019-02-26
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：許健 , XU, JIAN , 肖亮 , XIAO, LIANG , 董金文 , DONG, JIN WEN , 嚴孟 , YAN, MENG , 肖莉紅 , XIAO, LI HONG
IPC分类号： H01L21/60

3. 发明专利

TWI693701B 提高三維記憶體裝置之通道孔均勻度的方法有权
简体标题：提高三维内存设备之信道孔均匀度的方法
公开(公告)号：TWI693701B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107127814
申请日：2018-08-09
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：肖莉紅 , XIAO, LI HONG , 陶謙 , TAO, QIAN , 胡禺石 , HU, YUSHI , 程曉恬 , CHENG, XIAOTIAN , 許健 , XU, JIAN , 楊號號 , YANG, HAOHAO , 蒲月強 , PU, YUE QIANG , 董金文 , DONG, JIN WEN
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11524

4. 发明专利

TW202027179A 用於形成雙鑲嵌互連結構的方法审中-公开
简体标题：用于形成双镶嵌互链接构的方法
公开(公告)号：TW202027179A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108106501
申请日：2019-02-26
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：許健 , XU, JIAN , 肖亮 , XIAO, LIANG , 董金文 , DONG, JIN WEN , 嚴孟 , YAN, MENG , 肖莉紅 , XIAO, LI HONG
IPC分类号： H01L21/60
摘要：一種用於形成雙鑲嵌互連結構的方法。首先提供一基底，所述基底具有一導體層、導體層上的一蝕刻停止層、蝕刻停止層上的一介電堆疊層和介電堆疊層上的一硬遮罩層。在硬遮罩層上形成具有一光阻開口的一光阻層。透過光阻開口蝕刻硬遮罩層以形成硬遮罩開口。透過硬遮罩開口蝕刻介電堆疊層以形成局部通路孔。修整光阻層以在局部通路孔上方形成一加寬的光阻開口。透過加寬的光阻開口蝕刻硬遮罩層，以在局部通路孔上方形成一加寬的硬遮罩開口。透過加寬的硬遮罩開口和局部通路孔蝕刻介電堆疊層，以形成雙鑲嵌通孔。
简体摘要：一种用于形成双镶嵌互链接构的方法。首先提供一基底，所述基底具有一导体层、导体层上的一蚀刻停止层、蚀刻停止层上的一介电堆栈层和介电堆栈层上的一硬遮罩层。在硬遮罩层上形成具有一光阻开口的一光阻层。透过光阻开口蚀刻硬遮罩层以形成硬遮罩开口。透过硬遮罩开口蚀刻介电堆栈层以形成局部通路孔。修整光阻层以在局部通路孔上方形成一加宽的光阻开口。透过加宽的光阻开口蚀刻硬遮罩层，以在局部通路孔上方形成一加宽的硬遮罩开口。透过加宽的硬遮罩开口和局部通路孔蚀刻介电堆栈层，以形成双镶嵌通孔。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式