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    • 4. 发明专利
    • 用於形成雙鑲嵌互連結構的方法
    • 用于形成双镶嵌互链接构的方法
    • TW202027179A
    • 2020-07-16
    • TW108106501
    • 2019-02-26
    • 大陸商長江存儲科技有限責任公司YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
    • 許健XU, JIAN肖亮XIAO, LIANG董金文DONG, JIN WEN嚴孟YAN, MENG肖莉紅XIAO, LI HONG
    • H01L21/60
    • 一種用於形成雙鑲嵌互連結構的方法。首先提供一基底,所述基底具有一導體層、導體層上的一蝕刻停止層、蝕刻停止層上的一介電堆疊層和介電堆疊層上的一硬遮罩層。在硬遮罩層上形成具有一光阻開口的一光阻層。透過光阻開口蝕刻硬遮罩層以形成硬遮罩開口。透過硬遮罩開口蝕刻介電堆疊層以形成局部通路孔。修整光阻層以在局部通路孔上方形成一加寬的光阻開口。透過加寬的光阻開口蝕刻硬遮罩層,以在局部通路孔上方形成一加寬的硬遮罩開口。透過加寬的硬遮罩開口和局部通路孔蝕刻介電堆疊層,以形成雙鑲嵌通孔。
    • 一种用于形成双镶嵌互链接构的方法。首先提供一基底,所述基底具有一导体层、导体层上的一蚀刻停止层、蚀刻停止层上的一介电堆栈层和介电堆栈层上的一硬遮罩层。在硬遮罩层上形成具有一光阻开口的一光阻层。透过光阻开口蚀刻硬遮罩层以形成硬遮罩开口。透过硬遮罩开口蚀刻介电堆栈层以形成局部通路孔。修整光阻层以在局部通路孔上方形成一加宽的光阻开口。透过加宽的光阻开口蚀刻硬遮罩层,以在局部通路孔上方形成一加宽的硬遮罩开口。透过加宽的硬遮罩开口和局部通路孔蚀刻介电堆栈层,以形成双镶嵌通孔。