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1. 发明专利

TW202008566A 記憶體結構及其形成方法审中-公开
简体标题：内存结构及其形成方法
公开(公告)号：TW202008566A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107131290
申请日：2018-09-06
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：陳赫 , CHEN, HE , 董金文 , DONG, JIN WEN , 朱繼鋒 , ZHU, JIFENG , 華子群 , HUA, ZI QUN , 肖亮 , XIAO, LIANG , 王永慶 , WANG, YONG QING
IPC分类号： H01L27/11529 , H01L21/76
摘要：本發明涉及一種記憶體結構及其形成方法，所述記憶體結構包括：第一基底，包括：襯底層和儲存層，所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面，所述儲存層位於所述襯底層的第一表面上，所述第一基底包括焊墊區域；介質層，位於所述襯底層的第二表面上；焊墊，位於所述焊墊區域上的介質層表面；隔離結構，貫穿所述襯底層，位於所述焊墊區域邊緣，包圍所述焊墊區域內的襯底層，用於隔離所述焊墊區域內的襯底層與所述隔離結構週邊的襯底層。本發明的記憶體結構中焊墊與襯底層之間的寄生電容被減小，有利於提高記憶體性能。
简体摘要：本发明涉及一种内存结构及其形成方法，所述内存结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，位于所述焊垫区域边缘，包围所述焊垫区域内的衬底层，用于隔离所述焊垫区域内的衬底层与所述隔离结构周边的衬底层。本发明的内存结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高内存性能。

2. 发明专利

TWI690003B 用於形成雙鑲嵌互連結構的方法有权
简体标题：用于形成双镶嵌互链接构的方法
公开(公告)号：TWI690003B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108106501
申请日：2019-02-26
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：許健 , XU, JIAN , 肖亮 , XIAO, LIANG , 董金文 , DONG, JIN WEN , 嚴孟 , YAN, MENG , 肖莉紅 , XIAO, LI HONG
IPC分类号： H01L21/60

3. 发明专利

TW202027179A 用於形成雙鑲嵌互連結構的方法审中-公开
简体标题：用于形成双镶嵌互链接构的方法
公开(公告)号：TW202027179A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108106501
申请日：2019-02-26
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：許健 , XU, JIAN , 肖亮 , XIAO, LIANG , 董金文 , DONG, JIN WEN , 嚴孟 , YAN, MENG , 肖莉紅 , XIAO, LI HONG
IPC分类号： H01L21/60
摘要：一種用於形成雙鑲嵌互連結構的方法。首先提供一基底，所述基底具有一導體層、導體層上的一蝕刻停止層、蝕刻停止層上的一介電堆疊層和介電堆疊層上的一硬遮罩層。在硬遮罩層上形成具有一光阻開口的一光阻層。透過光阻開口蝕刻硬遮罩層以形成硬遮罩開口。透過硬遮罩開口蝕刻介電堆疊層以形成局部通路孔。修整光阻層以在局部通路孔上方形成一加寬的光阻開口。透過加寬的光阻開口蝕刻硬遮罩層，以在局部通路孔上方形成一加寬的硬遮罩開口。透過加寬的硬遮罩開口和局部通路孔蝕刻介電堆疊層，以形成雙鑲嵌通孔。
简体摘要：一种用于形成双镶嵌互链接构的方法。首先提供一基底，所述基底具有一导体层、导体层上的一蚀刻停止层、蚀刻停止层上的一介电堆栈层和介电堆栈层上的一硬遮罩层。在硬遮罩层上形成具有一光阻开口的一光阻层。透过光阻开口蚀刻硬遮罩层以形成硬遮罩开口。透过硬遮罩开口蚀刻介电堆栈层以形成局部通路孔。修整光阻层以在局部通路孔上方形成一加宽的光阻开口。透过加宽的光阻开口蚀刻硬遮罩层，以在局部通路孔上方形成一加宽的硬遮罩开口。透过加宽的硬遮罩开口和局部通路孔蚀刻介电堆栈层，以形成双镶嵌通孔。

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