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1. 发明专利

TW408030B 排氣處理方法及裝置有权
简体标题：排气处理方法及设备
公开(公告)号：TW408030B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW087120603
申请日：1998-12-11
申请人：大見忠弘 , 日本氧氣股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 石原良夫 , 君島哲也 , 松本功
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/8659
摘要：本發明係關於使從使用矽系氣體的CVD(化學氣相沈積)裝置所排出的排氣內所包含的原料氣體或是高沸點中間產物，與加熱至指定溫度的鎳等過渡金屬或是其矽化物接觸，藉此使其分解或是轉化為安定的鹵化物之後將排氣中的有害成份予以無害化處理的排氣處理方法及裝置。
简体摘要：本发明系关于使从使用硅系气体的CVD(化学气相沉积)设备所排出的排气内所包含的原料气体或是高沸点中间产物，与加热至指定温度的镍等过渡金属或是其硅化物接触，借此使其分解或是转化为安定的卤化物之后将排气中的有害成份予以无害化处理的排气处理方法及设备。

2. 发明专利

TW392058B 高清淨乾燥空氣之製造供給系統及方法失效
简体标题：高清净干燥空气之制造供给系统及方法
公开(公告)号：TW392058B
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：TW088111572
申请日：1999-07-08
申请人：日本氧氣股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：中島太司 , 石原良夫 , 大見忠弘
IPC分类号： F24F
CPC分类号： B01D53/261 , B01D53/0446 , B01D53/75 , B01D53/869 , B01D2258/0216 , B01D2259/402 , F24F3/161 , H01L21/67017 , H01L21/67155 , Y10S414/14
摘要：本發明揭示，可將高清淨乾燥空氣以更低之價格且以小型製造設備製造供給之同時，可將該高清淨乾燥空氣有效循環使用之高清淨乾燥空氣之製造供給系統及方法。在絕對清潔室內配置有擁有保管庫、輸送裝置等之輸送設備，以及處理設備，並且具備有:對該輸送設備及/或處理設備單方或雙方都供給上述高清淨乾燥空氣之供給路線;以及將從上述輸送設備及/或處理設備單方或雙方都排出之用過之高清淨乾燥空氣再次對輸送設備及/或處理設備單方或雙方都以循環式供給之循環路線。上述供給路線與上述輸送裝置連接，而上述循環路線以被上述輸送裝置及保管庫用過之高清淨乾燥空氣可循環供給於保管庫之方式被連接。
简体摘要：本发明揭示，可将高清净干燥空气以更低之价格且以小型制造设备制造供给之同时，可将该高清净干燥空气有效循环使用之高清净干燥空气之制造供给系统及方法。在绝对清洁室内配置有拥有保管库、输送设备等之输送设备，以及处理设备，并且具备有:对该输送设备及/或处理设备单方或双方都供给上述高清净干燥空气之供给路线;以及将从上述输送设备及/或处理设备单方或双方都排出之用过之高清净干燥空气再次对输送设备及/或处理设备单方或双方都以循环式供给之循环路线。上述供给路线与上述输送设备连接，而上述循环路线以被上述输送设备及保管库用过之高清净干燥空气可循环供给于保管库之方式被连接。

3. 发明专利

TW418461B 電漿蝕刻裝置失效
简体标题：等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW418461B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW087103160
申请日：1998-03-04
申请人：東京電子股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 高野晴之 , 平山祐介
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32082 , H01J37/3266
摘要：本發明係提供電漿蝕刻裝置，其具有可謀求對於基體表面之產生電漿之密度之均一化的輔助電極，且不依據壓力，而不轉動磁場的施加裝置，進而對於基體可均一地蝕刻。
本發明的電漿蝕刻裝置係具備有平行平板型的二電極Ⅰ和電極Ⅱ以及連接於該電極Ⅰ或/且電極Ⅱ之高頻電力的施加裝置；且於上述電極Ⅰ之與上述電極Ⅱ相對的面上載設使用電漿來施行蝕刻處理的基體；又設置具有相對於上述基體之施行電漿蝕刻的面水平且一方向的磁場施加裝置；其特徵在於：對於上述基體，於由上述磁場施加裝置所產生之電子流之流動的至少上游側設有輔助電極；該輔助電極包括配置於與上述電極Ⅱ相對側的局部電極以及設於與該局部電極之上述電極I作電性耦合之部分的調整阻抗的裝置。
简体摘要：本发明系提供等离子蚀刻设备，其具有可谋求对于基体表面之产生等离子之密度之均一化的辅助电极，且不依据压力，而不转动磁场的施加设备，进而对于基体可均一地蚀刻。本发明的等离子蚀刻设备系具备有平行平板型的二电极Ⅰ和电极Ⅱ以及连接于该电极Ⅰ或/且电极Ⅱ之高频电力的施加设备；且于上述电极Ⅰ之与上述电极Ⅱ相对的面上载设使用等离子来施行蚀刻处理的基体；又设置具有相对于上述基体之施行等离子蚀刻的面水平且一方向的磁场施加设备；其特征在于：对于上述基体，于由上述磁场施加设备所产生之电子流之流动的至少上游侧设有辅助电极；该辅助电极包括配置于与上述电极Ⅱ相对侧的局部电极以及设于与该局部电极之上述电极I作电性耦合之部分的调整阻抗的设备。

4. 发明专利

TW421827B 基板洗淨裝置失效
简体标题：基板洗净设备
公开(公告)号：TW421827B
公开(公告)日：2001-02-11
申请号：TW088115421
申请日：1999-09-07
申请人：佛朗帝克股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：三森健一 , 蔡基成 , 笠間泰彥 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之課題在於提供可以減少裝置的佔有空間，使用於製造生產線的合理的基板洗淨裝置。
本發明之解決手段為提供一種基板洗淨裝置，其特徵為具有:在各個先端將被洗淨基板W由下方側支撐的複數支撐體14a、及具有沿著上述被洗淨基板W的底面移動同時對上述被洗淨基板W的底面供給洗淨液的洗淨用噴嘴，以不與該洗淨用噴嘴的移動方向前方之移動上述支撐體14a的洗淨用噴嘴相互干涉的方式連動於該洗淨用噴嘴的移動以使升降移動的支撐體的升降移動驅動裝置。
简体摘要：本发明之课题在于提供可以减少设备的占有空间，使用于制造生产线的合理的基板洗净设备。本发明之解决手段为提供一种基板洗净设备，其特征为具有:在各个先端将被洗净基板W由下方侧支撑的复数支撑体14a、及具有沿着上述被洗净基板W的底面移动同时对上述被洗净基板W的底面供给洗净液的洗净用喷嘴，以不与该洗净用喷嘴的移动方向前方之移动上述支撑体14a的洗净用喷嘴相互干涉的方式连动于该洗净用喷嘴的移动以使升降移动的支撑体的升降移动驱动设备。

5. 发明专利

TW410253B 壓力式流量控制裝置用孔口及其製造方法失效
简体标题：压力式流量控制设备用孔口及其制造方法
公开(公告)号：TW410253B
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：TW087116830
申请日：1998-10-09
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 杉山一彥 , 深田收 , 尾澤進 , 佐藤義浩 , 土肥亮介
IPC分类号： F15D
CPC分类号： G01F1/40 , G05D7/0186
摘要：一種壓力式流量控制裝置中所使用之孔口係可以簡單且廉價製造者，並且所製造的孔口具有寬廣之壓力比P2/ P1(但是，P1為孔口上游側的壓力，P2為孔口下游側的壓力)的範圍，在孔口上游側壓力P1與流量之間具有線形特性，並可簡單進行複數個孔口相互間的流量特性之調節者。
具體而言，孔口具備將孔口切削穿設在本體構件D之下孔6一側開口端部而形成喇叭吹口狀之入口推拔部l及連續於此之短縮徑平行部2，及藉上述下孔6另一側開口端部的擴徑而連續於形成上述縮徑平行部2的短推拔擴徑部3及連續於此之平行擴徑部4所成的構造。
简体摘要：一种压力式流量控制设备中所使用之孔口系可以简单且廉价制造者，并且所制造的孔口具有宽广之压力比P2/ P1(但是，P1为孔口上游侧的压力，P2为孔口下游侧的压力)的范围，在孔口上游侧压力P1与流量之间具有线形特性，并可简单进行复数个孔口相互间的流量特性之调节者。具体而言，孔口具备将孔口切削穿设在本体构件D之下孔6一侧开口端部而形成喇叭吹口状之入口推拔部l及连续于此之短缩径平行部2，及藉上述下孔6另一侧开口端部的扩径而连续于形成上述缩径平行部2的短推拔扩径部3及连续于此之平行扩径部4所成的构造。

6. 发明专利

TW525217B 介電體膜及其形成方法,半導體裝置,非揮發性半導體裝置,及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：介电体膜及其形成方法,半导体设备,非挥发性半导体设备,及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW525217B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW090132509
申请日：2001-12-27
申请人：大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹 , 白井泰雪
IPC分类号： H01B , H01L
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02249 , H01L21/02252 , H01L21/02315 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/30604 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78645
摘要：本發明係於以矽為基體之電晶體至含複數個電容之半導體裝置之成膜方法中，於前述矽表面至少一部分預先有氫存在，將前述矽表面曝露於第1惰性氣體之電漿中除去前述氫再產生第2惰性氣體與一種至數種氣體分子之混合氣體的電漿，於前述矽基體表面形成矽化合物層，其係含有構成前述氣體分子之元素之至少一部分者。
简体摘要：本发明系于以硅为基体之晶体管至含复数个电容之半导体设备之成膜方法中，于前述硅表面至少一部分预先有氢存在，将前述硅表面曝露于第1惰性气体之等离子中除去前述氢再产生第2惰性气体与一种至数种气体分子之混合气体的等离子，于前述硅基体表面形成硅化合物层，其系含有构成前述气体分子之元素之至少一部分者。

7. 实用新型

TW420265U 滑動零件失效
简体标题：滑动零件
公开(公告)号：TW420265U
公开(公告)日：2001-01-21
申请号：TW087219480
申请日：1994-12-27
申请人：大見忠弘 , 富士金股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 池田信一 , 山路道雄 , 篠原努 , 森本明弘
IPC分类号： F16B
CPC分类号： C25D7/10 , F16C33/12 , Y10S384/912 , Y10S411/90 , Y10S411/901
摘要：滑動零件,是在金屬製滑動零件本體與另一金屬零件的滑動面形成有鍍銀層,而造個鍍銀層的結晶構造,是成在其(200)面所繞射的X線繞射強度大於在(lll)面所繞射的X線繞射強度的1／3的結晶構造者。
简体摘要：滑动零件,是在金属制滑动零件本体与另一金属零件的滑动面形成有镀银层,而造个镀银层的结晶构造,是成在其(200)面所绕射的X线绕射强度大于在(lll)面所绕射的X线绕射强度的1／3的结晶构造者。

8. 发明专利

TW200300699A 氣體供應方法及裝置审中-公开
简体标题：气体供应方法及设备
公开(公告)号：TW200300699A
公开(公告)日：2003-06-16
申请号：TW091134995
申请日：2002-12-03
申请人：日本酸素股份有限公司 NIPPON SANSO CORPORATION , 大見忠弘
发明人：石原良夫 YOSHIO ISHIHARA , 中村章寬 NAKAMURA AKIHIRO , 大見忠弘
IPC分类号： B01D , C01B , H01L
CPC分类号： C01B23/0052 , B01D53/46 , B01D53/68 , B01D53/70 , B01D53/74 , B01D2257/11 , B01D2257/2066 , C01B23/001 , C01B2210/0029 , C01B2210/0035 , C01B2210/0042 , Y02P20/154
摘要：本發明提供的氣體供應方法及裝置，能夠將排氣中的有用成份氣體有效地分離精製成可再供應狀態，不受排氣的流量變動或組成變動之影響，而且，對消耗掉的部分，亦可有效率地補充。其方法為，回收氣體使用設備排出的排氣，將該排氣中所含的有用成份氣體分離精製後，所得的有用成份氣體再供應該氣體用設備，且在該氣體使用設備排出的排氣，添加與上述有用成份氣體同樣成份的補充氣體後，再進行有用成份氣體的分離精製。
简体摘要：本发明提供的气体供应方法及设备，能够将排气中的有用成份气体有效地分离精制成可再供应状态，不受排气的流量变动或组成变动之影响，而且，对消耗掉的部分，亦可有效率地补充。其方法为，回收气体使用设备排出的排气，将该排气中所含的有用成份气体分离精制后，所得的有用成份气体再供应该气体用设备，且在该气体使用设备排出的排气，添加与上述有用成份气体同样成份的补充气体后，再进行有用成份气体的分离精制。

9. 发明专利

TW408031B 含有鹵素氣體及/或氟化氫氣體之廢氣之處理方法失效
简体标题：含有卤素气体及/或氟化氢气体之废气之处理方法
公开(公告)号：TW408031B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW086112728
申请日：1997-09-04
申请人：大見忠弘 , 大金工業股份有限公司
发明人：大見忠弘
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/68 , B01D53/685
摘要：一種含有鹵素氣體及/或氟化氫氣體之廢氣之處理方法，其特徵為:
使鹵素氣體及/或氟化氫(HF)氣體與單體金屬(單一元素所構成之金屬)接觸;該單體金屬使用選自錫、鉛、鋅、鋯、鐵、鎳、鉬、錳、鉭以及鈷之組群中之一種金屬及/或其單體金屬混合物;使鹵素氣體及/或氟化氫(HF)氣體與單體金屬在100~300℃溫度下接觸;以及該廢氣處理為乾式蝕刻步驟之廢氣處理。
简体摘要：一种含有卤素气体及/或氟化氢气体之废气之处理方法，其特征为: 使卤素气体及/或氟化氢(HF)气体与单体金属(单一元素所构成之金属)接触;该单体金属使用选自锡、铅、锌、锆、铁、镍、钼、锰、钽以及钴之组群中之一种金属及/或其单体金属混合物;使卤素气体及/或氟化氢(HF)气体与单体金属在100~300℃温度下接触;以及该废气处理为干式蚀刻步骤之废气处理。

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