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1. 发明专利

TW392058B 高清淨乾燥空氣之製造供給系統及方法失效
简体标题：高清净干燥空气之制造供给系统及方法
公开(公告)号：TW392058B
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：TW088111572
申请日：1999-07-08
申请人：日本氧氣股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：中島太司 , 石原良夫 , 大見忠弘
IPC分类号： F24F
CPC分类号： B01D53/261 , B01D53/0446 , B01D53/75 , B01D53/869 , B01D2258/0216 , B01D2259/402 , F24F3/161 , H01L21/67017 , H01L21/67155 , Y10S414/14
摘要：本發明揭示，可將高清淨乾燥空氣以更低之價格且以小型製造設備製造供給之同時，可將該高清淨乾燥空氣有效循環使用之高清淨乾燥空氣之製造供給系統及方法。在絕對清潔室內配置有擁有保管庫、輸送裝置等之輸送設備，以及處理設備，並且具備有:對該輸送設備及/或處理設備單方或雙方都供給上述高清淨乾燥空氣之供給路線;以及將從上述輸送設備及/或處理設備單方或雙方都排出之用過之高清淨乾燥空氣再次對輸送設備及/或處理設備單方或雙方都以循環式供給之循環路線。上述供給路線與上述輸送裝置連接，而上述循環路線以被上述輸送裝置及保管庫用過之高清淨乾燥空氣可循環供給於保管庫之方式被連接。
简体摘要：本发明揭示，可将高清净干燥空气以更低之价格且以小型制造设备制造供给之同时，可将该高清净干燥空气有效循环使用之高清净干燥空气之制造供给系统及方法。在绝对清洁室内配置有拥有保管库、输送设备等之输送设备，以及处理设备，并且具备有:对该输送设备及/或处理设备单方或双方都供给上述高清净干燥空气之供给路线;以及将从上述输送设备及/或处理设备单方或双方都排出之用过之高清净干燥空气再次对输送设备及/或处理设备单方或双方都以循环式供给之循环路线。上述供给路线与上述输送设备连接，而上述循环路线以被上述输送设备及保管库用过之高清净干燥空气可循环供给于保管库之方式被连接。

2. 发明专利

TW315486B 氮氣供給系統失效
简体标题：氮气供给系统
公开(公告)号：TW315486B
公开(公告)日：1997-09-11
申请号：TW085100319
申请日：1996-01-12
申请人：大見忠弘 , 日本氧氣股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 石原良夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67739 , F25J3/044 , F25J3/04563 , F25J3/04836 , F25J3/04951 , F25J3/04963 , F25J3/08 , F25J2210/42 , F25J2215/42 , F25J2215/44 , F25J2245/42 , F25J2250/42 , F25J2290/62 , H01L21/67023 , Y10T29/41
摘要：係一種可將必要充分之量和純度的氮氣有效供給對晶片進行預定處理的晶片處理裝置31及透過閘閥37將晶片搬運到該晶片處理裝置31的氮氣隧道式晶片搬運裝置32之氮氣供給係統。此氮氣供給系統設置將以將氮氣發生裝置之深冷分離裝置33得到的高純度氮氣供給晶片處理裝置31的路徑38、使搬運裝置32之出口部32a和入口部32b透過精製器39連通的循環路徑40及從液化氮儲槽36將氮氣補給循環路徑40的補給路徑44。
简体摘要：系一种可将必要充分之量和纯度的氮气有效供给对芯片进行预定处理的芯片处理设备31及透过闸阀37将芯片搬运到该芯片处理设备31的氮气隧道式芯片搬运设备32之氮气供给系统。此氮气供给系统设置将以将氮气发生设备之深冷分离设备33得到的高纯度氮气供给芯片处理设备31的路径38、使搬运设备32之出口部32a和入口部32b透过精制器39连通的循环路径40及从液化氮储槽36将氮气补给循环路径40的补给路径44。

3. 发明专利

TW260617B 溶氧度減低裝置失效
简体标题：溶氧度减低设备
公开(公告)号：TW260617B
公开(公告)日：1995-10-21
申请号：TW083104635
申请日：1994-05-23
申请人：日本氧氣股份有限公司
发明人：山根代 , 山崎浩 , 石原良夫 , 松本功
IPC分类号： B01D , C02F
CPC分类号： C02F1/20 , B01D19/0005
摘要： [本發明揭示]一種溶氧度減低裝置，可提供溶氧量極少之液體者。此溶氧度減低裝置係由有液體導入口21、液體導出口22及惰性氣體導出口23之起泡槽24,被配置於該起泡槽24內之惰性氣體噴嘴25，以及與上述液體導出口22連接之液體導出管26所構成，上述起泡槽24及上述液體導出管26之25℃透氧係數為10-9 ㏄．㎝/㎝2，sec，atm以下。
简体摘要： [本发明揭示]一种溶氧度减低设备，可提供溶氧量极少之液体者。此溶氧度减低设备系由有液体导入口21、液体导出口22及惰性气体导出口23之起泡槽24,被配置于该起泡槽24内之惰性气体喷嘴25，以及与上述液体导出口22连接之液体导出管26所构成，上述起泡槽24及上述液体导出管26之25℃透氧系数为10-9 ㏄．㎝/㎝2，sec，atm以下。

4. 发明专利

TWI361102B 排氣處理方法及排氣處理裝置 PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS 有权
简体标题：排气处理方法及排气处理设备 PROCESS FOR TREATING EXHAUST GAS AND TREATING APPARATUS OF EXHAUST GAS
公开(公告)号：TWI361102B
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW094102435
申请日：2005-01-27
申请人：大陽日酸股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：長谷川英晴 , 石原良夫 , 鈴木克昌 , 大見忠弘
IPC分类号： B01D , C01B , C01F
CPC分类号： B01J19/088 , B01J2219/0883 , B01J2219/0892 , B01J2219/0894
摘要：本發明之排氣處理方法係將半導體裝置之製造設備內呈激發狀態之排氣在減壓下導入於處理部之電漿處理部內，在藉由電漿處理部內產生之電漿而維持激發之狀態下，導入於反應除去部之反應器內，與充填於反應器之由粒狀氧化鈣所構成之反應除去劑反應，而除去排氣中之有害氣體成分。對電漿處理部供給氧，而在電漿之存在下，使有害氣體成分氧化分解外，亦可與反應除去劑反應。
简体摘要：本发明之排气处理方法系将半导体设备之制造设备内呈激发状态之排气在减压下导入于处理部之等离子处理部内，在借由等离子处理部内产生之等离子而维持激发之状态下，导入于反应除去部之反应器内，与充填于反应器之由粒状氧化钙所构成之反应除去剂反应，而除去排气中之有害气体成分。对等离子处理部供给氧，而在等离子之存在下，使有害气体成分氧化分解外，亦可与反应除去剂反应。

5. 发明专利

TW355176B 薄板狀基體之運送方法及運送裝置失效
简体标题：薄板状基体之运送方法及运送设备
公开(公告)号：TW355176B
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：TW086117595
申请日：1997-11-24
申请人：大見忠弘
发明人：石原良夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67126 , H01L21/67724 , H01L21/67736
摘要：本發明係使用具備能在惰性氣體氣氛下收容薄板狀基體Ｓ之收容室３的運送機器人３０，將薄板狀基體Ｓ運送在附設處理裝置１且保持於惰性氣體之運送室２互相間時，而在運送機器人３０之收容室３與處理裝置１側之運送室２間的薄板狀基體Ｓ之運入運出時，在收容室３與運送室２之間配置連接室４，將連接室４成為減壓狀態而將惰性氣體導入至內部之後，打開收容室３與運送室２之閘閥ＧＶ１，ＧＶ２，實行薄板狀基體Ｓ之運入運出。
简体摘要：本发明系使用具备能在惰性气体气氛下收容薄板状基体Ｓ之收容室３的运送机器人３０，将薄板状基体Ｓ运送在附设处理设备１且保持于惰性气体之运送室２互相间时，而在运送机器人３０之收容室３与处理设备１侧之运送室２间的薄板状基体Ｓ之运入运出时，在收容室３与运送室２之间配置连接室４，将连接室４成为减压状态而将惰性气体导入至内部之后，打开收容室３与运送室２之闸阀ＧＶ１，ＧＶ２，实行薄板状基体Ｓ之运入运出。

6. 发明专利

TW315492B 薄板狀基體之移送方法及移送裝置失效
简体标题：薄板状基体之移送方法及移送设备
公开(公告)号：TW315492B
公开(公告)日：1997-09-11
申请号：TW085116209
申请日：1996-12-31
申请人：大見忠弘 , 日本酸素股份有限公司 , 都田昌之
发明人：大見忠弘 , 石原良夫 , 都田昌之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67253 , G03F7/7075 , G03F7/70933 , G03F7/70991 , H01L21/67242 , H01L21/67784 , Y10T29/41
摘要：本發明係關於一種半導體積體電路或液晶面板等之薄板狀基板施以諸工程時之移送者，而其目的係在於薄板狀基體不會受到損傷等，可將薄板狀基體經常保持在高清淨之狀態移送至各處理裝置，可提高良品率的移送方法及其移送裝置者。本發明的薄板狀基體之移送方法之一種，係通過惰性氣體，或在惰性氣體添加氧氣所成之混合氣體所成之沖洗氣體流動內部的氣體隧道，俾移送薄板狀基體的薄板狀基體之移送方法，其特徵為：用半導體雷射檢測器測定氣體隧道內之不純物濃度，而依照所得到之測定資料控制薄板狀基體之移送者。
简体摘要：本发明系关于一种半导体集成电路或液晶皮肤等之薄板状基板施以诸工程时之移送者，而其目的系在于薄板状基体不会受到损伤等，可将薄板状基体经常保持在高清净之状态移送至各处理设备，可提高良品率的移送方法及其移送设备者。本发明的薄板状基体之移送方法之一种，系通过惰性气体，或在惰性气体添加氧气所成之混合气体所成之冲洗气体流动内部的气体隧道，俾移送薄板状基体的薄板状基体之移送方法，其特征为：用半导体激光检测器测定气体隧道内之不纯物浓度，而依照所得到之测定数据控制薄板状基体之移送者。

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