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1. 发明专利

TW491911B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW491911B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090100019
申请日：2001-01-02
申请人：夏普股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：山本達志 , 岡本昌也 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511
摘要：複數個微波導入窗(2a，2b)置於反應室(1)上壁(1a)，將相同功率之微波導入2個微波導入窗(2a)其位置相對於反應室(1)側壁(1b)係相等，而將不同功率之微波導入2個微波導入窗(2a，2b)其位置相對於反應室(1)側壁(1b)係不等，因此可得到合乎成本之電漿處理裝置，即使在反應室中產生之電漿具有可變負載阻抗其仍能實施均一電漿處理。
简体摘要：复数个微波导入窗(2a，2b)置于反应室(1)上壁(1a)，将相同功率之微波导入2个微波导入窗(2a)其位置相对于反应室(1)侧壁(1b)系相等，而将不同功率之微波导入2个微波导入窗(2a，2b)其位置相对于反应室(1)侧壁(1b)系不等，因此可得到合乎成本之等离子处理设备，即使在反应室中产生之等离子具有可变负载阻抗其仍能实施均一等离子处理。

2. 发明专利

TW448332B 主動矩陣型基板及其製造方法失效
简体标题：主动矩阵型基板及其制造方法
公开(公告)号：TW448332B
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：TW086105157
申请日：1997-04-21
申请人：夏普股份有限公司
发明人：川合勝博 , 山川真彌 , 岡本昌也 , 片山幹雄
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F1/136213 , Y10S438/937
摘要：本發明係一種用於產生主動矩陣型基板之方法，其可去除因圖型瑕疵，蝕刻殘留物或類似物所附著之一不必要像素電容，而在一源線與一像素極之間造成顯示缺陷如短路者之結構缺陷。
依本發明之一種用於產生一主動矩陣型基板之方法，包含:一基板;多數之第一線，係設於基板上且互相平行;一絕緣膜，覆蓋第一線;多數之第二線，係設於基板上且延伸過第一線，而令絕緣膜介置於其間;多數之切換元件，係鄰近於第一、二線之各別交叉點;及多數之像素極，係以矩陣型排列於絕緣膜上，且分別連接於切換元件。該方法包含以下步驟:在基板上形成第一線;在基板之一整個表面上形成絕緣膜，而覆蓋第一線;去除絕緣膜部份;形成第二線及像素極，使間隙存在於第一線與像素極之間及/或第二線與像素極之間。去除絕緣膜部份之步驟係在形成第二線與像素極之步驟前進行，且絕緣膜之去除部份係定位而對應於間隙。
简体摘要：本发明系一种用于产生主动矩阵型基板之方法，其可去除因图型瑕疵，蚀刻残留物或类似物所附着之一不必要像素电容，而在一源线与一像素极之间造成显示缺陷如短路者之结构缺陷。依本发明之一种用于产生一主动矩阵型基板之方法，包含:一基板;多数之第一线，系设于基板上且互相平行;一绝缘膜，覆盖第一线;多数之第二线，系设于基板上且延伸过第一线，而令绝缘膜介置于其间;多数之切换组件，系邻近于第一、二线之各别交叉点;及多数之像素极，系以矩阵型排列于绝缘膜上，且分别连接于切换组件。该方法包含以下步骤:在基板上形成第一线;在基板之一整个表面上形成绝缘膜，而覆盖第一线;去除绝缘膜部份;形成第二线及像素极，使间隙存在于第一线与像素极之间及/或第二线与像素极之间。去除绝缘膜部份之步骤系在形成第二线与像素极之步骤前进行，且绝缘膜之去除部份系定位而对应于间隙。

3. 发明专利

TW300374B 乾蝕刻方法及裝置失效
简体标题：干蚀刻方法及设备
公开(公告)号：TW300374B
公开(公告)日：1997-03-11
申请号：TW085103355
申请日：1996-03-20
申请人：夏普股份有限公司
发明人：川合勝博 , 片山幹雄 , 岡本昌也 , ?谷優
IPC分类号： H05K
摘要：本發明，係關於在構成半導體集體電路基板，有源矩陣基板，密著型感像器等電子零件的壓板上之導電體膜，半導體膜，絕緣體膜形成圓型之乾蝕刻方法及乾蝕刻裝置。
本發明之目的，係根據控制蝕刻時之蝕刻特性，以提高蝕刻特性的均勻性，同時使圓型尺寸，圓型斷面形狀之控級性良好。
本發明係把層疊在基板上的膜蝕刻之乾蝕刻方法，其特徵為包含：根據在第１電極施加電力，而在含有反應氣體的氣體中使之發生電漿的工程；和根據電漿之光譜分析，電漿中的物質之質量分析，電漿的自給偏壓之計測，電漿的阻抗之計測內的至少１種方法，檢出蝕刻中的電漿狀態的工程；和根據所檢出之電漿狀態的變化，調整電漿之狀態的乾蝕刻方法。
简体摘要：本发明，系关于在构成半导体集体电路基板，有源矩阵基板，密着型感像器等电子零件的压板上之导电体膜，半导体膜，绝缘体膜形成圆型之干蚀刻方法及干蚀刻设备。本发明之目的，系根据控制蚀刻时之蚀刻特性，以提高蚀刻特性的均匀性，同时使圆型尺寸，圆型断面形状之控级性良好。本发明系把层叠在基板上的膜蚀刻之干蚀刻方法，其特征为包含：根据在第１电极施加电力，而在含有反应气体的气体中使之发生等离子的工程；和根据等离子之光谱分析，等离子中的物质之质量分析，等离子的自给偏压之计测，等离子的阻抗之计测内的至少１种方法，检出蚀刻中的等离子状态的工程；和根据所检出之等离子状态的变化，调整等离子之状态的干蚀刻方法。

4. 发明专利

TW516238B 主動陣列基板,該基板之製作方法,及顯示裝置失效
简体标题：主动数组基板,该基板之制作方法,及显示设备
公开(公告)号：TW516238B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW090121198
申请日：2001-08-28
申请人：夏普股份有限公司
发明人：岡田美廣 , 齊藤裕一 , 山川真彌 , 伴厚志 , 岡本昌也 , 大上裕之
IPC分类号： G02F , G09F , H01L
CPC分类号： H01L29/78603 , G02F1/1362 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
摘要：本發明揭示一種包含基礎基板、閘極線、資料線、薄膜電晶體及像素電極的主動陣列基板。該等閘極線係在該基礎基板上形成。形成的該等資料線覆蓋在該等閘極線的上方。每條資料線與所有閘極線相交，並且會在該等資料線與該等閘極線之間插入一絕緣膜。所形成的該等薄膜電晶體覆蓋在該基礎基板的上方。每個薄膜電晶體均與其中一條閘極線關聯，並且係用來響應該關聯閘極線上的信號。每個像素電極均與其中一條資料線和其中一個薄膜電晶體關聯，並且可經由該關聯薄膜電晶體電氣連接至該關聯資料線。每個像素電極及該關聯薄膜電晶體均藉由一傳導構件電氣連接在一起。每個像素電極與其中一條閘極線相交，而該像素電極的傳導構件與鄰接前一閘極線的另一條閘極線相交。
简体摘要：本发明揭示一种包含基础基板、闸极线、数据线、薄膜晶体管及像素电极的主动数组基板。该等闸极线系在该基础基板上形成。形成的该等数据线覆盖在该等闸极线的上方。每条数据线与所有闸极线相交，并且会在该等数据线与该等闸极线之间插入一绝缘膜。所形成的该等薄膜晶体管覆盖在该基础基板的上方。每个薄膜晶体管均与其中一条闸极线关联，并且系用来响应该关联闸极在线的信号。每个像素电极均与其中一条数据线和其中一个薄膜晶体管关联，并且可经由该关联薄膜晶体管电气连接至该关联数据线。每个像素电极及该关联薄膜晶体管均借由一传导构件电气连接在一起。每个像素电极与其中一条闸极线相交，而该像素电极的传导构件与邻接前一闸极线的另一条闸极线相交。

5. 发明专利

TW466373B 穿透型液晶顯示裝置及其製造方法失效
简体标题：穿透型液晶显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TW466373B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW086109346
申请日：1997-07-02
申请人：夏普股份有限公司
发明人：島田尚幸 , 谷優 , 岡本昌也 , 近藤直文 , 片山幹雄 , 花由和 , 山本明弘
IPC分类号： G02F
摘要：本發明之穿透型液晶顯示裝置包括：閘極線；源極線；及開關元件，其各位於各閘極線與各源極線之交點，各開關元件之閘電極係連接於閘極線，開關元件之源電極係連接於源極線，而開關元件之汲電極則連接於用以在液晶層上施加電壓之像元電極上，其中在開關元件、閘極線、及源極線上提供由高透明性有機膜所形成之中間層絕緣膜，而其中於中間層絕緣膜上提供由透明導電膜所形成之像元電極。
简体摘要：本发明之穿透型液晶显示设备包括：闸极线；源极线；及开关组件，其各位于各闸极线与各源极线之交点，各开关组件之闸电极系连接于闸极线，开关组件之源电极系连接于源极线，而开关组件之汲电极则连接于用以在液晶层上施加电压之像元电极上，其中在开关组件、闸极线、及源极在线提供由高透明性有机膜所形成之中间层绝缘膜，而其中于中间层绝缘膜上提供由透明导电膜所形成之像元电极。

6. 发明专利

TW171493B 主動矩陣顯示裝置失效
简体标题：主动矩阵显示设备
公开(公告)号：TW171493B
公开(公告)日：1991-10-21
申请号：TW080104268
申请日：1991-05-31
申请人：夏普股份有限公司
发明人：中槷清 , 片山幹雄 , 加藤博章 , 失野耕三 , 岡本昌也 , 近藤直文 , 金森謙
IPC分类号： G05B , F24C
摘要：主動矩陣顯示裝置包括有第一及第二絕緣基質，好像晶格所配置在第一基質上的閘極匯流排和源極匯流排，被閘極及源極匯流排所包封的截段中的像素電極，連接至像素電極，閘極匯流排和源極匯流排的交換元件，其中源極匯流排之包括伸向像素電極的伸出部分，俾與其作電氣截斷，以及源極匯流排包括伸向像素電極的伸出部分，將源極匯流排重疊於閘極匯流排伸出部分上並以絕緣層夾在它們之間，閘極匯流排伸出部分並在其頂部處設有一導電構件並以絕緣層夾在它們之間，此導電構件電氣地連接至像素電極並與源極匯流排伸出部分電氣截斷。
简体摘要：主动矩阵显示设备包括有第一及第二绝缘基质，好像晶格所配置在第一基质上的闸极总线和源极总线，被闸极及源极总线所包封的截段中的像素电极，连接至像素电极，闸极总线和源极总线的交换组件，其中源极总线之包括伸向像素电极的伸出部分，俾与其作电气截断，以及源极总线包括伸向像素电极的伸出部分，将源极总线重叠于闸极总线伸出部分上并以绝缘层夹在它们之间，闸极总线伸出部分并在其顶部处设有一导电构件并以绝缘层夹在它们之间，此导电构件电气地连接至像素电极并与源极总线伸出部分电气截断。

7. 发明专利

TW507181B 主動矩陣液晶顯示裝置及用以驅動及製造該裝置之方法失效
简体标题：主动矩阵液晶显示设备及用以驱动及制造该设备之方法
公开(公告)号：TW507181B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW089121101
申请日：2000-10-09
申请人：夏普股份有限公司
发明人：岡田美廣 , 伴厚志 , 岡本昌也
IPC分类号： G09G
CPC分类号： G09G3/3655 , G09G3/006 , G09G2330/10
摘要：本發明之一個目的是減少具有補充電容之共用信號線上補充電容結構之主動矩陣液晶顯示裝置中補充電容之漏電所造成之瑕疵而增加符合項目率。在一個正常為白色模式之主動矩陣液晶顯示裝置中有許多閘信號線與源信號線以直角相交，圖素電容器經由薄膜電晶體連接至各交叉點而進行圖像顯示。補充電容以並聯方式連接至圖素電容器。補充電容線被一補充電容驅動電路驅動而使得與反電極基體上之共用信號線保持一個不小於液晶臨界值之電位差。當補充電容發生漏電時，在圖素電容器兩端保持一個不小於液晶臨界值之電位差而防止圖素變成白點並防止主動矩陣液晶顯示裝置發生故障。因而可增加符合項目率。
简体摘要：本发明之一个目的是减少具有补充电容之共享信号在线补充电容结构之主动矩阵液晶显示设备中补充电容之漏电所造成之瑕疵而增加符合项目率。在一个正常为白色模式之主动矩阵液晶显示设备中有许多闸信号线与源信号线以直角相交，图素电容器经由薄膜晶体管连接至各交叉点而进行图像显示。补充电容以并联方式连接至图素电容器。补充电容线被一补充电容驱动电路驱动而使得与反电极基体上之共享信号线保持一个不小于液晶临界值之电位差。当补充电容发生漏电时，在图素电容器两端保持一个不小于液晶临界值之电位差而防止图素变成白点并防止主动矩阵液晶显示设备发生故障。因而可增加符合项目率。

8. 发明专利

TW438998B 主動矩陣型基板及其製造方法失效
简体标题：主动矩阵型基板及其制造方法
公开(公告)号：TW438998B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW086108842
申请日：1997-06-24
申请人：夏普股份有限公司
发明人：川合勝博 , 山川真彌 , 岡本昌也 , 島田尚幸 , 片山幹雄
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/136204
摘要：一種主動矩陣型基板，包含:絕緣性基板;複數之掃描線及信號線，在該絕緣性基板上配線成格子狀;像素電極，分別配於由該掃描線及信號線所包圍的領域;開關元件，分別電性連接於該掃描線、信號線及像素電極;及電阻控制元件，電性連接於該掃描線和信號線中的至少任二根配線，並依施加於本身的電壓以可變方式控制本身的電阻值。藉此，不須特別增加製造步驟，即可加大主動矩陣型基板對於靜電的邊限，而改善製造上的良品率。
简体摘要：一种主动矩阵型基板，包含:绝缘性基板;复数之扫描线及信号线，在该绝缘性基板上配线成格子状;像素电极，分别配于由该扫描线及信号线所包围的领域;开关组件，分别电性连接于该扫描线、信号线及像素电极;及电阻控件，电性连接于该扫描线和信号线中的至少任二根配线，并依施加于本身的电压以可变方式控制本身的电阻值。借此，不须特别增加制造步骤，即可加大主动矩阵型基板对于静电的边限，而改善制造上的良品率。

9. 实用新型

TW260281U 主動型矩陣基體失效
简体标题：主动型矩阵基体
公开(公告)号：TW260281U
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：TW082215048
申请日：1991-11-29
申请人：夏普股份有限公司
发明人：川合勝博 , 片山幹雄 , 岡本昌也 , 金森謙 , 橘誠 , 藤木裕
IPC分类号： G02F
摘要：一種主動型矩陣基體，其包括：一透明導電膜，此膜被分成一附加電容部份與一非附加電容部份，該透明導電膜含有一些矩陣狀地排列於一絕緣基體上的像去電極，該等附加電容電極彼此相面對且共間含有該附加電容部份與該第絕緣膜；以及一導電膜，其與該附加電容部份和該非附加電容部份相電接；其中，該透明導電膜具有一比該導電膜還寬度，且含蓋該導電膜。
简体摘要：一种主动型矩阵基体，其包括：一透明导电膜，此膜被分成一附加电容部份与一非附加电容部份，该透明导电膜含有一些矩阵状地排列于一绝缘基体上的像去电极，该等附加电容电极彼此相面对且共间含有该附加电容部份与该第绝缘膜；以及一导电膜，其与该附加电容部份和该非附加电容部份相电接；其中，该透明导电膜具有一比该导电膜还宽度，且含盖该导电膜。

10. 发明专利

TW185630B 主動矩陣基片檢驗裝置失效
简体标题：主动矩阵基片检验设备
公开(公告)号：TW185630B
公开(公告)日：1992-06-11
申请号：TW080110013
申请日：1991-12-20
申请人：夏普股份有限公司
发明人：吉井正治 , 岡本昌也 , 船田文明
IPC分类号： H01L
摘要：一種用以檢驗一主動矩陣基體上之任何缺失的裝置與方法，其包括：一在該基體一之透明導電膜、一在該透明導電膜上的定向膜、一隔著一液晶和該定向膜相對之片狀聚合物、一用以維持該定向膜與該片狀聚合物間之空間的間隔物。藉由施加一電壓於該像素電極與該透明導電膜上即可觀察在該液晶中之電氣調變。
简体摘要：一种用以检验一主动矩阵基体上之任何缺失的设备与方法，其包括：一在该基体一之透明导电膜、一在该透明导电膜上的定向膜、一隔着一液晶和该定向膜相对之片状聚合物、一用以维持该定向膜与该片状聚合物间之空间的间隔物。借由施加一电压于该像素电极与该透明导电膜上即可观察在该液晶中之电气调制。

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