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1. 发明专利

TW201644047A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201644047A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104118288
申请日：2015-06-05
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 徐華志 , XU, HUA ZHI , 江政毅 , JIANG, ZHENG YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/8083 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要：本發明提供一種半導體結構，包含：一基板，具有一第一傳導類型之半導體材料；一磊晶層，設置於基板上，並具有第一傳導類型之半導體材料；一主動區，半導體結構之工作區域；以及一邊緣保護區，用以保護該主動區。其中，邊緣保護區中之JTE區為第二傳導類型之半導體材料；反向摻雜區設置於JTE區中且為第一傳導類型之半導體材料；以及反向摻雜區中第一傳導類型之半導體材料濃度沿一方向遞增。
简体摘要：本发明提供一种半导体结构，包含：一基板，具有一第一传导类型之半导体材料；一磊晶层，设置于基板上，并具有第一传导类型之半导体材料；一主动区，半导体结构之工作区域；以及一边缘保护区，用以保护该主动区。其中，边缘保护区中之JTE区为第二传导类型之半导体材料；反向掺杂区设置于JTE区中且为第一传导类型之半导体材料；以及反向掺杂区中第一传导类型之半导体材料浓度沿一方向递增。

2. 发明专利

TWI559537B 高電子遷移率發光電晶體之結構有权
简体标题：高电子迁移率发光晶体管之结构
公开(公告)号：TWI559537B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW103145725
申请日：2014-12-26
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 李奕辰 , LI, YI CHEN , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 鄭克勇 , CHENG, KEH YUNG , 王佑立 , WANG, YU LI , 吳濬宏 , WU, CHUN HUNG , 楊偉臣 , YANG, WEI CHEN , 邱紹諺 , CHIU, SHAO YEN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L33/32

3. 发明专利

TWI663725B 溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構有权
简体标题：沟槽式闸极功率金氧半场效应管之结构
公开(公告)号：TWI663725B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106113870
申请日：2017-04-26
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 江政毅 , JIANG, JHENG YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78

4. 发明专利

TW201839982A 溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構审中-公开
简体标题：沟槽式闸极功率金氧半场效应管之结构
公开(公告)号：TW201839982A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113870
申请日：2017-04-26
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 江政毅 , JIANG, JHENG YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種溝槽式閘極功率金氧半場效電晶體之結構(UMOSFET)之結構，結構包含：一金屬層分別設置於結構之一上表面與一底面，以分別形成一源極與一汲極，以做為結構與外界連結之電極；一N型半導體基板，設置於汲極上；一N型漂移區(N-drift region)，設置於N型半導體基板上；一N型電流分散層(N-current spread layer,N-CSL)，設置於N型漂移區上；一P型井(P-well)，設置於電流分散層上；一N型半導體層，設置於P型井上；一第一P型半導體層，相鄰於N型半導體層並設置於P型井上；一溝槽延伸通過N型半導體層、P型井以及N型電流分散層，溝槽之底部終止於N型漂移區；一絕緣層設置於溝槽內；一分離閘極(split gate)設置於溝槽之絕緣層中並被該絕緣層所包覆；一閘極設置於溝槽之絕緣層中且在分離閘極之上；以及一半導體保護層，設置於溝槽之底部以下，並相鄰於N型漂移區，且絕緣層設置於半導體保護層之上，用以在結構關斷偏壓時，保護絕緣層被電場所擊穿；其中，閘極與分離閘極係被絕緣層所區隔出一預設間距；以及，閘極之底部深度位置係深於該P型井與該N型電流分散層之交界面。
简体摘要：本发明提供一种沟槽式闸极功率金氧半场效应管之结构(UMOSFET)之结构，结构包含：一金属层分别设置于结构之一上表面与一底面，以分别形成一源极与一汲极，以做为结构与外界链接之电极；一N型半导体基板，设置于汲极上；一N型漂移区(N-drift region)，设置于N型半导体基板上；一N型电流分散层(N-current spread layer,N-CSL)，设置于N型漂移区上；一P型井(P-well)，设置于电流分散层上；一N型半导体层，设置于P型井上；一第一P型半导体层，相邻于N型半导体层并设置于P型井上；一沟槽延伸通过N型半导体层、P型井以及N型电流分散层，沟槽之底部终止于N型漂移区；一绝缘层设置于沟槽内；一分离闸极(split gate)设置于沟槽之绝缘层中并被该绝缘层所包覆；一闸极设置于沟槽之绝缘层中且在分离闸极之上；以及一半导体保护层，设置于沟槽之底部以下，并相邻于N型漂移区，且绝缘层设置于半导体保护层之上，用以在结构关断偏压时，保护绝缘层被电场所击穿；其中，闸极与分离闸极系被绝缘层所区隔出一默认间距；以及，闸极之底部深度位置系深于该P型井与该N型电流分散层之交界面。

5. 发明专利

TWI409951B 增強型氮化鎵系金氧半場效電晶體有权
简体标题：增强型氮化镓系金氧半场效应管
公开(公告)号：TWI409951B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW099135732
申请日：2010-10-20
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：李克濤 , LEE, KO TAO , 黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 龔正 , GONG, JENG
IPC分类号： H01L29/78

6. 发明专利

TW201727894A 具有垂直型跨接結構電極的水平式半導體元件审中-公开
简体标题：具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体组件
公开(公告)号：TW201727894A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105101379
申请日：2016-01-18
申请人：國立清華大學
发明人：黃智方 , 鄭克勇 , CHENG, KEH YUNG , 楊偉臣 , 張庭輔 , 朱柏儒 , 林建霖 , 廖雅竹 , 曾心穎
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/41
CPC分类号： H01L21/02499 , H01L21/0254 , H01L29/0649 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/4175 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/872
摘要：一種具有垂直型跨接結構電極的水平式半導體元件，包含一基板、一絕緣緩衝層、一磊晶單元、一第一電極，及一第二電極。該基板具有導電性，包括一第一表面，該絕緣緩衝層設置於該基板的該第一表面，該磊晶單元設置於該絕緣緩衝層上，該第一電極設置於該磊晶單元上，該第二電極包括一與該第一電極間隔設置並位於該磊晶單元上的第一電極部，及自該第一電極部延伸而與該基板的該第一表面相接觸的第二電極部。
简体摘要：一种具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体组件，包含一基板、一绝缘缓冲层、一磊晶单元、一第一电极，及一第二电极。该基板具有导电性，包括一第一表面，该绝缘缓冲层设置于该基板的该第一表面，该磊晶单元设置于该绝缘缓冲层上，该第一电极设置于该磊晶单元上，该第二电极包括一与该第一电极间隔设置并位于该磊晶单元上的第一电极部，及自该第一电极部延伸而与该基板的该第一表面相接触的第二电极部。

7. 发明专利

TWI449087B 一種在（１００）矽基板上成長碳化矽薄膜的方法有权
简体标题：一种在（１００）硅基板上成长碳化硅薄膜的方法
公开(公告)号：TWI449087B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW097137650
申请日：2008-10-01
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：陳威佑 , 陳建成 , 黃振昌 , 黃智方
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02529 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , Y10S438/931

8. 发明专利

TWI544622B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI544622B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104118288
申请日：2015-06-05
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 張庭輔 , CHANG, TING FU , 徐華志 , XU, HUA ZHI , 江政毅 , JIANG, ZHENG YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/7395 , H01L29/8083 , H01L29/8611 , H01L29/872

9. 发明专利

TW201218377A 增強型氮化鎵系金氧半場效電晶體 ENHANCEMENT MODE GAN-BASED MOSFET 审中-公开
简体标题：增强型氮化镓系金氧半场效应管 ENHANCEMENT MODE GAN-BASED MOSFET
公开(公告)号：TW201218377A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099135732
申请日：2010-10-20
申请人：國立清華大學
发明人：李克濤 , 黃智方 , 龔正
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種增强型氮化鎵系金氧半場效電晶體,包含;一六方晶系結構之基板、一配置於該基板上且其內部含有第一導電型之摻質的第一GaN層、一對相間隔地自該第一GaN層內部延伸至其表面的源極與汲極、一閘極介電膜層結構,及一形成於該閘極介電膜層結構上的閘極。該閘極介電膜層結構覆蓋該未形成有該對源極與汲極之第一GaN系層的表面,並具有一MgO層及一形成於該MgO層上之含有Ti與Mg的氧化層。
简体摘要：本发明提供一种增强型氮化镓系金氧半场效应管,包含;一六方晶系结构之基板、一配置于该基板上且其内部含有第一导电型之掺质的第一GaN层、一对相间隔地自该第一GaN层内部延伸至其表面的源极与汲极、一闸极介电膜层结构,及一形成于该闸极介电膜层结构上的闸极。该闸极介电膜层结构覆盖该未形成有该对源极与汲极之第一GaN系层的表面,并具有一MgO层及一形成于该MgO层上之含有Ti与Mg的氧化层。

10. 发明专利

TW201015621A 一種在（１００）矽基板上成長碳化矽薄膜的方法审中-公开
简体标题：一种在（１００）硅基板上成长碳化硅薄膜的方法
公开(公告)号：TW201015621A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW097137650
申请日：2008-10-01
申请人：國立清華大學
发明人：陳威佑 , 陳建成 , 黃振昌 , 黃智方
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02529 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , Y10S438/931
摘要：本創作係為一種異質成長碳化矽薄膜製程，藉由射頻感應加熱化學氣相沉積法，於P型(100)矽基板上成長立方晶型碳化矽(3C-SiC)薄膜，此一製程方法為連續升溫製程，免去了一般碳化矽製程重複升降溫步驟，大幅縮短製程時間。利用本創作製程能成功消除碳化矽薄膜與矽介面的孔洞，有效提升薄膜的結晶性。本創作之四階段連續升溫製程將更適合產業發展高品質碳化矽薄膜。
简体摘要：本创作系为一种异质成长碳化硅薄膜制程，借由射频感应加热化学气相沉积法，于P型(100)硅基板上成长立方晶型碳化硅(3C-SiC)薄膜，此一制程方法为连续升温制程，免去了一般碳化硅制程重复升降温步骤，大幅缩短制程时间。利用本创作制程能成功消除碳化硅薄膜与硅界面的孔洞，有效提升薄膜的结晶性。本创作之四阶段连续升温制程将更适合产业发展高品质碳化硅薄膜。

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