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    • 1. 发明专利
    • 具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法
    • 具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物及其制造方法
    • TW201437218A
    • 2014-10-01
    • TW102111130
    • 2013-03-28
    • 國立中正大學NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
    • 陳雯灝CHEN, WEN HAO周禮君CHAU, LAI KWAN陳昭文CHEN, CHAO WEN曾彥達TSENG, YEN TA
    • C07F7/10
    • C07F7/1836Y02P20/55
    • 本發明係揭露一種具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法,此巰基烷化雜氮矽三環衍生物至少包含:具有巰基端之巰基烷化雜氮矽三環化合物;以及鍵結於巰基端之硫上之保護基,此保護基用以避免巰基烷化雜氮矽三環衍生物之巰基端與氧或與具有酮基及醛基等官能基之活性物發生化學反應。此外,本發明之巰基烷化雜氮矽三環衍生物之製造方法至少包含:提供具有巰基端之矽烷化合物;於矽烷化合物之巰基端上鍵結保護基;以及將鍵結有保護基之矽烷化合物與三乙醇胺進行化學反應,以製造出本發明之具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物。
    • 本发明系揭露一种具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物及其制造方法,此巯基烷化杂氮硅三环衍生物至少包含:具有巯基端之巯基烷化杂氮硅三环化合物;以及键结于巯基端之硫上之保护基,此保护基用以避免巯基烷化杂氮硅三环衍生物之巯基端与氧或与具有酮基及醛基等官能基之活性物发生化学反应。此外,本发明之巯基烷化杂氮硅三环衍生物之制造方法至少包含:提供具有巯基端之硅烷化合物;于硅烷化合物之巯基端上键结保护基;以及将键结有保护基之硅烷化合物与三乙醇胺进行化学反应,以制造出本发明之具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物。