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1. 发明专利

TWI597286B 具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法有权
简体标题：具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物及其制造方法
公开(公告)号：TWI597286B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW102111130
申请日：2013-03-28
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：陳雯灝 , CHEN, WEN HAO , 周禮君 , CHAU, LAI KWAN , 陳昭文 , CHEN, CHAO WEN , 曾彥達 , TSENG, YEN TA
IPC分类号： C07F7/10
CPC分类号： C07F7/1836 , Y02P20/55

2. 发明专利

TW201437219A 固定金屬於基材表面之方法审中-公开
简体标题：固定金属于基材表面之方法
公开(公告)号：TW201437219A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102111122
申请日：2013-03-28
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：周禮君 , CHAU, LAI KWAN , 陳雯灝 , CHEN, WEN HAO , 曾彥達 , TSENG, YEN TA , 吳勁葦 , WU, CHIN WEI , 陳昭文 , CHEN, CHAO WEN
IPC分类号： C07F7/18 , B82Y30/00
CPC分类号： C07F7/1836
摘要：本發明係揭露一種固定金屬於基材表面之方法，至少包含：提供基材及巰基烷化雜氮矽三環化合物；以溶劑溶解巰基烷化雜氮矽三環化合物；將已溶解之巰基烷化雜氮矽三環化合物與基材進行溶膠-凝膠步驟，以完成基材之表面修飾；以及將已修飾於基材之表面之巰基烷化雜氮矽三環化合物與金屬進行共價鍵結合步驟，以固定金屬於基材之表面。
简体摘要：本发明系揭露一种固定金属于基材表面之方法，至少包含：提供基材及巯基烷化杂氮硅三环化合物；以溶剂溶解巯基烷化杂氮硅三环化合物；将已溶解之巯基烷化杂氮硅三环化合物与基材进行溶胶-凝胶步骤，以完成基材之表面修饰；以及将已修饰于基材之表面之巯基烷化杂氮硅三环化合物与金属进行共价键结合步骤，以固定金属于基材之表面。

3. 发明专利

TWI636037B 烴基羧基甜菜鹼以及用於避免在鹼性環境下產生霍夫曼離去效應的方法有权
简体标题：烃基羧基甜菜碱以及用于避免在碱性环境下产生霍夫曼离去效应的方法
公开(公告)号：TWI636037B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105100991
申请日：2016-01-13
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：周禮君 , CHAU, LAI-KWAN , 黃俊仁 , HUANG, CHUN-JEN , 陳雯灝 , CHEN, WEN-HAO , 陳昭文 , CHEN, CHAO-WEN
IPC分类号： C07C323/25 , C03C17/00 , A61K31/14

4. 发明专利

TW201718477A 烴基羧基甜菜鹼以及用於避免在鹼性環境下產生霍夫曼離去效應的方法审中-公开
简体标题：烃基羧基甜菜碱以及用于避免在碱性环境下产生霍夫曼离去效应的方法
公开(公告)号：TW201718477A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105100991
申请日：2016-01-13
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：周禮君 , CHAU, LAI-KWAN , 黃俊仁 , HUANG, CHUN-JEN , 陳雯灝 , CHEN, WEN-HAO , 陳昭文 , CHEN, CHAO-WEN
IPC分类号： C07C323/25 , C03C17/00 , A01N41/12 , A01P1/00
摘要：本發明揭露一種以式(1)表示之烴基羧基甜菜鹼：其中，n1≧0且n2＞0，當n1＞0時，A表示C1-C20烷基，當n1=0，A表示單鍵；R1、R2、R3、及R4各獨立地選自於氫原子、氘原子、C1-C20烷基、C2-C20烯基及C2-C20炔基；X係選自SH、SOCH3、SCH3、NH2、SiCl3、Si(OCH3)3、Si(OCH2CH3)3、及。
简体摘要：本发明揭露一种以式(1)表示之烃基羧基甜菜碱：其中，n1≧0且n2＞0，当n1＞0时，A表示C1-C20烷基，当n1=0，A表示单键；R1、R2、R3、及R4各独立地选自于氢原子、氘原子、C1-C20烷基、C2-C20烯基及C2-C20炔基；X系选自SH、SOCH3、SCH3、NH2、SiCl3、Si(OCH3)3、Si(OCH2CH3)3、及。

5. 发明专利

TW201437218A 具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法审中-公开
简体标题：具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物及其制造方法
公开(公告)号：TW201437218A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102111130
申请日：2013-03-28
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：陳雯灝 , CHEN, WEN HAO , 周禮君 , CHAU, LAI KWAN , 陳昭文 , CHEN, CHAO WEN , 曾彥達 , TSENG, YEN TA
IPC分类号： C07F7/10
CPC分类号： C07F7/1836 , Y02P20/55
摘要：本發明係揭露一種具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法，此巰基烷化雜氮矽三環衍生物至少包含：具有巰基端之巰基烷化雜氮矽三環化合物；以及鍵結於巰基端之硫上之保護基，此保護基用以避免巰基烷化雜氮矽三環衍生物之巰基端與氧或與具有酮基及醛基等官能基之活性物發生化學反應。此外，本發明之巰基烷化雜氮矽三環衍生物之製造方法至少包含：提供具有巰基端之矽烷化合物；於矽烷化合物之巰基端上鍵結保護基；以及將鍵結有保護基之矽烷化合物與三乙醇胺進行化學反應，以製造出本發明之具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物。
简体摘要：本发明系揭露一种具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物及其制造方法，此巯基烷化杂氮硅三环衍生物至少包含：具有巯基端之巯基烷化杂氮硅三环化合物；以及键结于巯基端之硫上之保护基，此保护基用以避免巯基烷化杂氮硅三环衍生物之巯基端与氧或与具有酮基及醛基等官能基之活性物发生化学反应。此外，本发明之巯基烷化杂氮硅三环衍生物之制造方法至少包含：提供具有巯基端之硅烷化合物；于硅烷化合物之巯基端上键结保护基；以及将键结有保护基之硅烷化合物与三乙醇胺进行化学反应，以制造出本发明之具有保护基之巯基烷化杂氮硅三环衍生物。

6. 发明专利

TWI582101B 固定金屬於基材表面之方法有权
简体标题：固定金属于基材表面之方法
公开(公告)号：TWI582101B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102111122
申请日：2013-03-28
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：周禮君 , CHAU, LAI KWAN , 陳雯灝 , CHEN, WEN HAO , 曾彥達 , TSENG, YEN TA , 吳勁葦 , WU, CHIN WEI , 陳昭文 , CHEN, CHAO WEN
IPC分类号： C07F7/18 , B82Y30/00
CPC分类号： C07F7/1836

7. 发明专利

TWI522363B 具硫醇基之雜氮矽三環之製造及其保存方法有权
简体标题：具硫醇基之杂氮硅三环之制造及其保存方法
公开(公告)号：TWI522363B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW104107701
申请日：2015-03-09
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：陳雯灝 , CHEN, WEN HAO , 周禮君 , CHAU, LAI KWAN , 曾彥達 , TSENG, YEN TA , 陳昭文 , CHEN, CHAO WEN
IPC分类号： C07F7/18
CPC分类号： C07F7/1836

8. 发明专利

TW201632534A 具硫醇基之雜氮矽三環之製造及其保存方法审中-公开
简体标题：具硫醇基之杂氮硅三环之制造及其保存方法
公开(公告)号：TW201632534A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107701
申请日：2015-03-09
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：陳雯灝 , CHEN, WEN HAO , 周禮君 , CHAU, LAI KWAN , 曾彥達 , TSENG, YEN TA , 陳昭文 , CHEN, CHAO WEN
IPC分类号： C07F7/18
CPC分类号： C07F7/1836
摘要：本發明揭露一種具硫醇基之雜氮矽三環之製造方法，至少包含：在氮氣氣氛下將3-硫醇丙基三甲氧基矽烷與三乙醇胺於不含催化劑或含有催化劑狀態下於一預定溫度進行反應一預定時間；以及以一溶劑進行再結晶步驟，得式(1)之具硫醇基之雜氮矽三環。本發明也揭露一種具硫醇基之雜氮矽三環之保存方法，至少包含：將式(1)之具硫醇基之雜氮矽三環溶解於有機溶劑中。
简体摘要：本发明揭露一种具硫醇基之杂氮硅三环之制造方法，至少包含：在氮气气氛下将3-硫醇丙基三甲氧基硅烷与三乙醇胺于不含催化剂或含有催化剂状态下于一预定温度进行反应一预定时间；以及以一溶剂进行再结晶步骤，得式(1)之具硫醇基之杂氮硅三环。本发明也揭露一种具硫醇基之杂氮硅三环之保存方法，至少包含：将式(1)之具硫醇基之杂氮硅三环溶解于有机溶剂中。

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