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1. 发明专利

TWI664704B 半導體裝置及包含其之封裝結構有权
简体标题：半导体设备及包含其之封装结构
公开(公告)号：TWI664704B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106109887
申请日：2017-03-24
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS INC.
发明人：林孝羲 , LIN, SHIAU SHI , 程子璿 , CHENG, TZU HSUAN , 蔡欣昌 , TSAI, HSIN CHANG
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/31

2. 发明专利

TW201824465A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201824465A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106105218
申请日：2017-02-17
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS INC.
发明人：蔡欣昌 , TSAI, HSIN CHANG , 李芃昕 , LEE, PENG HSIN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
摘要：本揭露提供一種封裝結構。該封裝結構包括：一導線架，包括複數個連接部；一裝置，包括一基板、一主動層、以及複數個電極，該主動層設置於該基板上，該些電極設置於該主動層上，其中該裝置之該些電極連接該導線架之該些連接部；一導電單元，具有一第一側與一第二側，其中該導電單元之該第一側連接該裝置之該基板，以及該導電單元連接該導線架之該些連接部之至少其中之一；以及一封裝材料，覆蓋該裝置與該導線架，其中該導電單元之該第二側露出於該封裝材料。
简体摘要：本揭露提供一种封装结构。该封装结构包括：一导线架，包括复数个连接部；一设备，包括一基板、一主动层、以及复数个电极，该主动层设置于该基板上，该些电极设置于该主动层上，其中该设备之该些电极连接该导线架之该些连接部；一导电单元，具有一第一侧与一第二侧，其中该导电单元之该第一侧连接该设备之该基板，以及该导电单元连接该导线架之该些连接部之至少其中之一；以及一封装材料，覆盖该设备与该导线架，其中该导电单元之该第二侧露出于该封装材料。

3. 发明专利

TW201729220A 可在空氣中燒結高導電率奈米銀包銅厚膜膏之製備方法审中-公开
简体标题：可在空气中烧结高导电率奈米银包铜厚膜膏之制备方法
公开(公告)号：TW201729220A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105103385
申请日：2016-02-02
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY , 台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS INC.
发明人：李文熙 , WEN-HSI, LEE , 蔡欣昌 , HSIN-CHANG, TSAI
IPC分类号： H01B1/02 , H01B1/16 , H01B1/22 , B22F1/02
摘要：一種可在空氣中燒結高導電率奈米銀包銅厚膜膏之製備方法，係利用低成本化學置換反應（Displacement Reaction）把奈米銀析出長在銅顆粒上，就能使以奈米銀包銅粉製備之厚膜導電膏具有整體導電率上升、內部銅不被氧化、成本較原本僅使用銀材料低、抗電遷移性佳、以及銅被奈米銀包覆住後即可在低溫空氣下燒結而不被氧化等優點。此外，本發明亦可視應用需求添加玻璃（Frit）作為燒結助劑來協助奈米銀包銅之燒結，使所得奈米銀包銅粉體即使在高溫熱處理下仍具有可抗氧化之特性，以取代目前市場使用之銀膏應用。
简体摘要：一种可在空气中烧结高导电率奈米银包铜厚膜膏之制备方法，系利用低成本化学置换反应（Displacement Reaction）把奈米银析出长在铜颗粒上，就能使以奈米银包铜粉制备之厚膜导电膏具有整体导电率上升、内部铜不被氧化、成本较原本仅使用银材料低、抗电迁移性佳、以及铜被奈米银包复住后即可在低温空气下烧结而不被氧化等优点。此外，本发明亦可视应用需求添加玻璃（Frit）作为烧结助剂来协助奈米银包铜之烧结，使所得奈米银包铜粉体即使在高温热处理下仍具有可抗氧化之特性，以取代目前市场使用之银膏应用。

4. 发明专利

TW201501247A 嵌入式封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：嵌入式封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201501247A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW102132089
申请日：2013-09-06
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：李嘉炎 , LEE, CHIAYEN , 蔡欣昌 , TSAI, HSINCHANG , 李芃昕 , LEE, PENGHSIN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , H01L23/492 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/16245 , H01L2224/24137 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/85 , H01L2224/92244 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：本發明提供一種嵌入式封裝結構，其包含金屬基板、晶片模組、絕緣材料層及至少一圖案化金屬層。金屬基板具有第一表面及第二表面。晶片模組係位於金屬基板的第一表面上，且包含彼此電性連接的至少二晶片。絕緣材料層覆蓋金屬基板的第一表面及晶片，且具有電性互連關係形成於其中。圖案化金屬層設置於絕緣材料層上，且透過電性互連關係電性連接於晶片模組。製造嵌入式封裝結構的方法亦在此揭露。
简体摘要：本发明提供一种嵌入式封装结构，其包含金属基板、芯片模块、绝缘材料层及至少一图案化金属层。金属基板具有第一表面及第二表面。芯片模块系位于金属基板的第一表面上，且包含彼此电性连接的至少二芯片。绝缘材料层覆盖金属基板的第一表面及芯片，且具有电性互连关系形成于其中。图案化金属层设置于绝缘材料层上，且透过电性互连关系电性连接于芯片模块。制造嵌入式封装结构的方法亦在此揭露。

5. 发明专利

TWI625833B 封裝結構有权
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TWI625833B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105112755
申请日：2016-04-25
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：蔡欣昌 , TSAI, HSIN-CHANG , 李芃昕 , LEE, PENG-HSIN
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/12

6. 发明专利

TW201620090A 封裝裝置與其製作方法审中-公开
简体标题：封装设备与其制作方法
公开(公告)号：TW201620090A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104112323
申请日：2015-04-17
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：蔡欣昌 , TSAI, HSINCHANG , 李嘉炎 , LEE, CHIAYEN , 李芃昕 , LEE, PENGHSIN
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/4334 , H01L23/3107 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種封裝裝置包含第一半導體裝置、散熱構件、封裝層、導電層與貫穿結構。第一半導體裝置包含基板、主動區與電極。主動區置於基板與電極之間。基板具有相對於主動區之第一表面，且電極具有相對於主動區之第二表面。散熱構件置於基板之第一表面。封裝層包覆電極之第二表面以及部分之散熱構件，使得另一部分之散熱構件被暴露於封裝層。導電層置於封裝層上。貫穿結構置於封裝層中。貫穿結構將導電層連接至電極。
简体摘要：一种封装设备包含第一半导体设备、散热构件、封装层、导电层与贯穿结构。第一半导体设备包含基板、主动区与电极。主动区置于基板与电极之间。基板具有相对于主动区之第一表面，且电极具有相对于主动区之第二表面。散热构件置于基板之第一表面。封装层包复电极之第二表面以及部分之散热构件，使得另一部分之散热构件被暴露于封装层。导电层置于封装层上。贯穿结构置于封装层中。贯穿结构将导电层连接至电极。

10. 发明专利

TW201731044A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201731044A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105112755
申请日：2016-04-25
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：蔡欣昌 , TSAI, HSIN-CHANG , 李芃昕 , LEE, PENG-HSIN
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/12
摘要：一種封裝結構，包含導線架、第一晶片以及封裝材。導線架具有相對之第一面與第二面，且具有位於第二面上的第一凹陷區域。第一晶片具有相對之第一面與第二面，其中第一晶片的第一面固定於導線架的第一凹陷區域。封裝材包覆導線架與第一晶片，其中第一晶片的第二面與導線架的第一面自封裝材裸露。
简体摘要：一种封装结构，包含导线架、第一芯片以及封装材。导线架具有相对之第一面与第二面，且具有位于第二面上的第一凹陷区域。第一芯片具有相对之第一面与第二面，其中第一芯片的第一面固定于导线架的第一凹陷区域。封装材包覆导线架与第一芯片，其中第一芯片的第二面与导线架的第一面自封装材裸露。

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