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1. 发明专利

TWI579967B 具有凹孔的半導體裝置製造方法有权
简体标题：具有凹孔的半导体设备制造方法
公开(公告)号：TWI579967B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104137683
申请日：2015-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：方立言 , FANG, LI YEN , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG , 林俞谷 , LIN, YU KU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/2885 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D7/123 , H01L21/76861 , H01L21/76873

2. 发明专利

TWI611508B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI611508B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104137689
申请日：2015-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：方立言 , FANG, LI YEN , 黃志昌 , HUANG, CHIH CHANG , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG , 林俞谷 , LIN, YU KU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L25/0657 , H01L27/14636 , H01L27/14687

3. 发明专利

TW201639076A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201639076A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104137689
申请日：2015-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：方立言 , FANG, LI YEN , 黃志昌 , HUANG, CHIH CHANG , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG , 林俞谷 , LIN, YU KU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L25/0657 , H01L27/14636 , H01L27/14687
摘要：半導體結構包括：基板，包括第一側、與第一側相對的第二側和位於第二側上方的器件層；以及導電通路，延伸穿過基板並且包括鄰近第一側的第一部分和鄰近器件層的第二部分，其中，導電通路包括位於第一部分和第二部分之間的界面，第一部分的平均顆粒尺寸與第二部分的平均顆粒尺寸基本上不同。
简体摘要：半导体结构包括：基板，包括第一侧、与第一侧相对的第二侧和位于第二侧上方的器件层；以及导电通路，延伸穿过基板并且包括邻近第一侧的第一部分和邻近器件层的第二部分，其中，导电通路包括位于第一部分和第二部分之间的界面，第一部分的平均颗粒尺寸与第二部分的平均颗粒尺寸基本上不同。

4. 发明专利

TW201639075A 具有凹孔的半導體裝置製造方法审中-公开
简体标题：具有凹孔的半导体设备制造方法
公开(公告)号：TW201639075A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104137683
申请日：2015-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：方立言 , FANG, LI YEN , 曹榮志 , TSAO, JUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAO HSIANG , 林俞谷 , LIN, YU KU
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/2885 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D7/123 , H01L21/76861 , H01L21/76873
摘要：本發明提供了一種半導體裝置的製造方法，包含：提供一基板，該基板具有一介電層沉積其上，該介電層具有一凹孔(recess)，該凹孔由複數個裸露的表面所構成；形成一導體薄膜於該複數個裸露的表面；於該凹孔佈上一表面劑(surface agent)，使該表面劑附著該導電薄膜的一部分；將該基板浸入具有金屬離子的一電鍍液中；以及施加一偏壓於該導體薄膜使該凹孔被一金屬材料填滿。
简体摘要：本发明提供了一种半导体设备的制造方法，包含：提供一基板，该基板具有一介电层沉积其上，该介电层具有一凹孔(recess)，该凹孔由复数个裸露的表面所构成；形成一导体薄膜于该复数个裸露的表面；于该凹孔布上一表面剂(surface agent)，使该表面剂附着该导电薄膜的一部分；将该基板浸入具有金属离子的一电镀液中；以及施加一偏压于该导体薄膜使该凹孔被一金属材料填满。

5. 发明专利

TW483803B 化學機械研磨裝置降低研磨劑使用量之方法失效
简体标题：化学机械研磨设备降低研磨剂使用量之方法
公开(公告)号：TW483803B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW090119950
申请日：2001-08-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 王廷君 , 張仕宗 , 林俞谷 , 王英郎 , 陳銘溫 , 魏國修
IPC分类号： B24B
摘要：本發明主要是提供一種能讓研磨劑於研磨過程中被充分使用之研磨劑供應製程條件，根據本發明之製程條件可降低研磨劑之使用量，但卻不會影響晶片之研磨速率，因此可讓單位時間內之晶片產出率保持一定，根據本發明之方法是在進行研磨製程時，讓研磨劑分佈系統重複開啟、關閉，間歇性地將研磨劑施加於研磨墊上，讓研磨劑於停止供應階段能充分被利用來減少使用量。
简体摘要：本发明主要是提供一种能让研磨剂于研磨过程中被充分使用之研磨剂供应制程条件，根据本发明之制程条件可降低研磨剂之使用量，但却不会影响芯片之研磨速率，因此可让单位时间内之芯片产出率保持一定，根据本发明之方法是在进行研磨制程时，让研磨剂分布系统重复打开、关闭，间歇性地将研磨剂施加于研磨垫上，让研磨剂于停止供应阶段能充分被利用来减少使用量。

6. 发明专利

TWI345288B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI345288B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW095127271
申请日：2006-07-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：曹榮志 , 陳科維 , 張世杰 , 林俞谷 , 王英郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76844 , H01L21/76865 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置，包括：一基底；一介電層，形成於該基底上；一開口，形成於該介電層中；一第一阻障層，覆蓋於該開口之側壁；一第二阻障層，覆蓋於該第一阻障層上與該開口之底部；以及一導電層，填入該開口。本發明另提供一種半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口之侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口之底部；以及一导电层，填入该开口。本发明另提供一种半导体设备之制造方法。

7. 发明专利

TW536449B 可避免因研磨物斷裂而刮傷晶圓之方法及其裝置有权
简体标题：可避免因研磨物断裂而刮伤晶圆之方法及其设备
公开(公告)号：TW536449B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW090111283
申请日：2001-05-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王廷君 , 鄭錫圭 , 林俞谷 , 王英郎
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種可避免因研磨物斷裂而刮傷晶圓之方法，可用於一化學機械式研磨裝置上，步驟包括首先提供一表面上具有複數研磨物之研磨墊給上述化學機械式研磨裝置用以研磨晶圓；接著，調整上述所有研磨物，使其在上述研磨墊表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度係為上述研磨物高度之1/2~2/3。
简体摘要：一种可避免因研磨物断裂而刮伤晶圆之方法，可用于一化学机械式研磨设备上，步骤包括首先提供一表面上具有复数研磨物之研磨垫给上述化学机械式研磨设备用以研磨晶圆；接着，调整上述所有研磨物，使其在上述研磨垫表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度系为上述研磨物高度之1/2~2/3。

8. 发明专利

TW493233B 去除晶圓對準標記內殘留物之裝置有权
简体标题：去除晶圆对准标记内残留物之设备
公开(公告)号：TW493233B
公开(公告)日：2002-07-01
申请号：TW090115333
申请日：2001-06-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭錫圭 , 王廷君 , 林俞谷 , 陳俊彰 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種去除晶圓對準標記內殘留物之裝置，於洗邊系統固定位置上，加入至少一組對準標記清洗裝置，接著使用晶圓對位裝置，將位於晶圓上之至少一組對準標記與該至少一組對準標記清洗裝置進行對準，接著該對準標記清洗裝置會噴灑出稀釋硫酸清洗劑，來進行清除對準標記內之銅薄膜工作。
简体摘要：本发明揭露一种去除晶圆对准标记内残留物之设备，于洗边系统固定位置上，加入至少一组对准标记清洗设备，接着使用晶圆对位设备，将位于晶圆上之至少一组对准标记与该至少一组对准标记清洗设备进行对准，接着该对准标记清洗设备会喷洒出稀释硫酸清洗剂，来进行清除对准标记内之铜薄膜工作。

9. 发明专利

TW416108B 去除金屬插塞週邊殘留物質之方法有权
简体标题：去除金属插塞周边残留物质之方法
公开(公告)号：TW416108B
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：TW088114771
申请日：1999-08-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王慧玲 , 管彤華 , 王英郎 , 林俞谷
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露了一種去除熔絲(Fuse)金屬插塞週邊殘留研漿之方法。首先提供一具有金屬插塞之半導體基材，而此金屬插塞的表面則含有凹槽狀的結構,接著形成一層氧化層於其表面，並同時填滿位於插塞表面下方的凹陷區域。利用化學機械研磨法以第一研磨墊對氧化層進行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位於的介電層表面為止。再利用化學機械研磨法，以相對於第一研磨墊較為柔軟的第二研磨墊並配合適當的研漿對半導體的結構進行研磨，以徹底去除堆積在插塞週邊的殘留物質。最後，再以鹼性溶液清洗此半導體結構的表面。
简体摘要：本发明揭露了一种去除熔丝(Fuse)金属插塞周边残留研浆之方法。首先提供一具有金属插塞之半导体基材，而此金属插塞的表面则含有凹槽状的结构,接着形成一层氧化层于其表面，并同时填满位于插塞表面下方的凹陷区域。利用化学机械研磨法以第一研磨垫对氧化层进行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位于的介电层表面为止。再利用化学机械研磨法，以相对于第一研磨垫较为柔软的第二研磨垫并配合适当的研浆对半导体的结构进行研磨，以彻底去除堆积在插塞周边的残留物质。最后，再以碱性溶液清洗此半导体结构的表面。

10. 发明专利

TWI360181B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI360181B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW095107158
申请日：2006-03-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：曹榮志 , 陳科維 , 林俞谷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種半導體裝置及其製造方法。上述半導體裝置包含：一基底；一介電層於上述基底上，上述介電層包含一開口，上述開口包含一下部與一較寬的上部而曝露部分上述基底，而上述上部的底部則成為上述開口的複數個肩部；一保護層位於上述肩部中至少其中一個之上；以及一順應性的阻障層位於上述開口內，且位於上述保護層與上述介電層上，其中上述保護層對惰性氣體電漿的耐蝕性，高於上述阻障層對惰性氣體電漿的耐蝕性。
简体摘要：本发明揭示一种半导体设备及其制造方法。上述半导体设备包含：一基底；一介电层于上述基底上，上述介电层包含一开口，上述开口包含一下部与一较宽的上部而曝露部分上述基底，而上述上部的底部则成为上述开口的复数个肩部；一保护层位于上述肩部中至少其中一个之上；以及一顺应性的阻障层位于上述开口内，且位于上述保护层与上述介电层上，其中上述保护层对惰性气体等离子的耐蚀性，高于上述阻障层对惰性气体等离子的耐蚀性。

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