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1. 实用新型

TW496239U 具有噴灑頭之CMP機台失效
简体标题：具有喷洒头之CMP机台
公开(公告)号：TW496239U
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090205864
申请日：2001-04-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王廷君 , 陳科維 , 張仕宗 , 林俞谷
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種具有噴灑頭之CMP機台，包括一研磨墊，其具有可轉動之研磨面，一研磨頭，可將晶圓吸附住使其與研磨面接觸並進行機械研磨，在研磨的過程中更利用一研磨液供給器提供研磨液，藉由研磨液對晶圓提供化學反應以提高研磨效果，此外，CMP機台更利用一噴灑頭對研磨墊提供適量的清水稀釋晶圓邊緣的研磨液濃度，藉由研磨液濃度的改變控制晶圓邊緣的研磨程度。
简体摘要：一种具有喷洒头之CMP机台，包括一研磨垫，其具有可转动之研磨面，一研磨头，可将晶圆吸附住使其与研磨面接触并进行机械研磨，在研磨的过程中更利用一研磨液供给器提供研磨液，借由研磨液对晶圆提供化学反应以提高研磨效果，此外，CMP机台更利用一喷洒头对研磨垫提供适量的清水稀释晶圆边缘的研磨液浓度，借由研磨液浓度的改变控制晶圆边缘的研磨程度。

2. 发明专利

TW483803B 化學機械研磨裝置降低研磨劑使用量之方法失效
简体标题：化学机械研磨设备降低研磨剂使用量之方法
公开(公告)号：TW483803B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW090119950
申请日：2001-08-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 王廷君 , 張仕宗 , 林俞谷 , 王英郎 , 陳銘溫 , 魏國修
IPC分类号： B24B
摘要：本發明主要是提供一種能讓研磨劑於研磨過程中被充分使用之研磨劑供應製程條件，根據本發明之製程條件可降低研磨劑之使用量，但卻不會影響晶片之研磨速率，因此可讓單位時間內之晶片產出率保持一定，根據本發明之方法是在進行研磨製程時，讓研磨劑分佈系統重複開啟、關閉，間歇性地將研磨劑施加於研磨墊上，讓研磨劑於停止供應階段能充分被利用來減少使用量。
简体摘要：本发明主要是提供一种能让研磨剂于研磨过程中被充分使用之研磨剂供应制程条件，根据本发明之制程条件可降低研磨剂之使用量，但却不会影响芯片之研磨速率，因此可让单位时间内之芯片产出率保持一定，根据本发明之方法是在进行研磨制程时，让研磨剂分布系统重复打开、关闭，间歇性地将研磨剂施加于研磨垫上，让研磨剂于停止供应阶段能充分被利用来减少使用量。

3. 发明专利

TW506107B 金屬鎢插塞之回蝕製程失效
简体标题：金属钨插塞之回蚀制程
公开(公告)号：TW506107B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090125977
申请日：2001-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 魏國修 , 林俞谷 , 王廷君 , 王英郎 , 張仕宗
IPC分类号： H01L
摘要：一種金屬鎢插塞之回蝕製程。先在基底上依序形成介電層與抗反射層，然後在介電層與抗反射層中形成開口。接著在開口中與抗反射層上形成共形的阻障層，再於阻障層上形成金屬鎢層。進行第一化學機械研磨步驟直至暴露出阻障層，以去除大部分的金屬鎢層。進行第二化學機械研磨步驟，以去除該阻障層上之殘餘的金屬鎢層與該阻障層。進行第三化學機械研磨步驟，以去除該抗反射層。該第三化學機械研磨步驟所用之研漿中至少含有液態之氫氧化烷基銨或烷基醇。
简体摘要：一种金属钨插塞之回蚀制程。先在基底上依序形成介电层与抗反射层，然后在介电层与抗反射层中形成开口。接着在开口中与抗反射层上形成共形的阻障层，再于阻障层上形成金属钨层。进行第一化学机械研磨步骤直至暴露出阻障层，以去除大部分的金属钨层。进行第二化学机械研磨步骤，以去除该阻障层上之残余的金属钨层与该阻障层。进行第三化学机械研磨步骤，以去除该抗反射层。该第三化学机械研磨步骤所用之研浆中至少含有液态之氢氧化烷基铵或烷基醇。

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