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1. 发明专利

TW201637207A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201637207A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104138899
申请日：2015-11-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳奕志 , CHEN, I CHIH , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 蔡富村 , TSAI, FU TSUN , 吳孟怡 , WU, MENG YI , 李永發 , LEE, YUNG FA , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0638 , H01L21/26506 , H01L29/0603 , H01L29/0847 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
摘要：本揭示之半導體裝置包含半導體基底具有包含第一導電型雜質的第一導電型區域，第一閘極結構位於半導體基底上並覆蓋第一導電型區域，第二導電型區域包含形成於半導體基底內的第二導電型雜質，阻障層位於第一導電型區域與第二導電型區域之間，阻障層防止第二導電型雜質從第二導電型區域擴散至第一導電型區域。
简体摘要：本揭示之半导体设备包含半导体基底具有包含第一导电型杂质的第一导电型区域，第一闸极结构位于半导体基底上并覆盖第一导电型区域，第二导电型区域包含形成于半导体基底内的第二导电型杂质，阻障层位于第一导电型区域与第二导电型区域之间，阻障层防止第二导电型杂质从第二导电型区域扩散至第一导电型区域。

2. 发明专利

TW201635541A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201635541A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138928
申请日：2015-11-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：洪奇成 , HUNG, CHI CHENG , 王喻生 , WANG, YU SHENG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L29/0847 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/78
摘要：一種半導體裝置包含：基板，第一和第二源極/汲極區和閘極堆疊件。第一和第二源極/汲極區設置在基板上。閘極堆疊件設置在基板上方以覆蓋第一和第二S/D區之間的通道區。閘極堆疊件包含：設置在基板上方的閘極介電層；以及設置在閘極介電層上並且配置為做為閘極堆疊件中的填充層的金屬合金；其中，金屬合金具有對應於蝕刻劑的第一腐蝕阻抗，蝕刻劑設計為用於去除含碳聚合物。
简体摘要：一种半导体设备包含：基板，第一和第二源极/汲极区和闸极堆栈件。第一和第二源极/汲极区设置在基板上。闸极堆栈件设置在基板上方以覆盖第一和第二S/D区之间的信道区。闸极堆栈件包含：设置在基板上方的闸极介电层；以及设置在闸极介电层上并且配置为做为闸极堆栈件中的填充层的金属合金；其中，金属合金具有对应于蚀刻剂的第一腐蚀阻抗，蚀刻剂设计为用于去除含碳聚合物。

3. 发明专利

TWI540688B 半導體裝置、背照式影像感測器裝置及其形成方法有权
简体标题：半导体设备、背照式影像传感器设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI540688B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW101144434
申请日：2012-11-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖茂成 , LIAO, MIAO CHENG , 梁晉魁 , LIANG, JINN KWEI , 謝文杰 , HSIEH, WEN CHIEH , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 葛翔翔 , KO, HSIANG HSIANG , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L21/98 , H01L31/0203 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/103 , Y02E10/547 , Y02P70/521

4. 发明专利

TWI521688B 降低背照式影像感測器晶片之邊緣剝離的方法有权
简体标题：降低背照式影像传感器芯片之边缘剥离的方法
公开(公告)号：TWI521688B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102121470
申请日：2013-06-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：郭俊廷 , KUO, CHUN TING , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG , 魏國修 , WEI, KUO HSIU
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L27/14687

5. 发明专利

TWI484652B 半導體裝置及其製作方法有权
简体标题：半导体设备及其制作方法
公开(公告)号：TWI484652B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW101143199
申请日：2012-11-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張世杰 , CHANG, SHIH CHIEH , 蔡建欣 , TSAI, JIAN SHIN , 黃志昌 , HUANG, CHIH CHANG , 李盈儒 , LEE, ING JU , 孫敬堯 , SUN, CHING YAO , 吳鈞儒 , WU, JYUN RU , 黃敬哲 , HUANG, CHING CHE , 吳斯安 , WU, SZU AN , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L31/167 , H01L31/173 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14685

6. 发明专利

TW201432895A 影像感測裝置與接合墊結構及其製作方法审中-公开
简体标题：影像传感设备与接合垫结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201432895A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103100776
申请日：2014-01-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 陳奕志 , CHEN, I CHIH , 王英郎 , WANG, YING LANG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 陳英豪 , CHEN, YING HAO , 黃宏達 , HUANG, HUNG TA
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/764 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/14 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L2224/0401 , H01L2224/05075 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/08054 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/48463 , H01L2924/01013 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/15788 , H04N5/335 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露用於影像感測裝置接合墊結構與其形成方法。影像感測裝置具有射線感測區，其包含基板與射線偵測裝置。影像感測裝置亦具有接合墊區，其包含接合墊結構。接合墊結構包含：內連線層與層間介電層自基板延伸至接合墊區中；隔離層形成於層間介電層上；導電墊，具有水平部份與一或多個橋接部份，且橋接部份自水平部份垂直延伸穿過層間介電層與隔離層後到達內連線層；以及多個非導電應力釋放結構位於隔離層與導電墊之間，並與導電墊之水平部份與橋接部份鄰接，以釋放施加於導電墊上的拉伸應力並避免導電墊剝離。
简体摘要：本发明揭露用于影像传感设备接合垫结构与其形成方法。影像传感设备具有射线传感区，其包含基板与射线侦测设备。影像传感设备亦具有接合垫区，其包含接合垫结构。接合垫结构包含：内连接层与层间介电层自基板延伸至接合垫区中；隔离层形成于层间介电层上；导电垫，具有水平部份与一或多个桥接部份，且桥接部份自水平部份垂直延伸穿过层间介电层与隔离层后到达内连接层；以及多个非导电应力释放结构位于隔离层与导电垫之间，并与导电垫之水平部份与桥接部份邻接，以释放施加于导电垫上的拉伸应力并避免导电垫剥离。

7. 发明专利

TW201430928A 晶圓研磨機台及晶圓研磨方法审中-公开
简体标题：晶圆研磨机台及晶圆研磨方法
公开(公告)号：TW201430928A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102139344
申请日：2013-10-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張棠貴 , CHANG, TANGKUEI , 魏國修 , WEI, KUOHSIU , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 羅唯仁 , LO, WEIJEN , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/04
摘要：一種晶圓研磨機台之實施例包含研磨帶、研磨頭夾持研磨帶以及旋轉模組。旋轉模組係配置以在一晶圓研磨製程中轉動一晶圓，且研磨頭係配置以在晶圓研磨製程中對研磨帶施以朝向晶圓之第一表面的壓力。
简体摘要：一种晶圆研磨机台之实施例包含研磨带、研磨头夹持研磨带以及旋转模块。旋转模块系配置以在一晶圆研磨制程中转动一晶圆，且研磨头系配置以在晶圆研磨制程中对研磨带施以朝向晶圆之第一表面的压力。

8. 发明专利

TWI367963B 化學電鍍沉積裝置、於半導體晶圓上的導電層結構及其形成方法 APPARATUSES FOR ELECTROCHEMICAL DEPOSITION, CONDUCTIVE LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND FABRICATION METHODS THEREOF 有权
简体标题：化学电镀沉积设备、于半导体晶圆上的导电层结构及其形成方法 APPARATUSES FOR ELECTROCHEMICAL DEPOSITION, CONDUCTIVE LAYERS ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TWI367963B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW096124278
申请日：2007-07-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 鄭穆韓 , 蔡建欣 , 王英郎
IPC分类号： C25D
CPC分类号： C25D17/001 , C25D17/007 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76877 , Y10T428/16
摘要：本發明提供一種化學電鍍沉積裝置、於半導體晶圓上的導電層結構及其形成方法。上述化學電鍍沉積裝置，包括一化學電鍍槽，其具有一電鍍液池用以沉積一金屬層於基底上。一主要陰極與一陽極設置於電鍍液池中，以提供一主要電場。一基底固定裝置固定一半導體晶圓，且連接該主要陰極。以及一輔助陰極設置於該化學電鍍槽外側，以提供一輔電場致使位於該基底固定裝置中央位置的電力線密度，和位於其外圍週邊位置的電力線密度，實質上相同。
简体摘要：本发明提供一种化学电镀沉积设备、于半导体晶圆上的导电层结构及其形成方法。上述化学电镀沉积设备，包括一化学电镀槽，其具有一电镀液池用以沉积一金属层于基底上。一主要阴极与一阳极设置于电镀液池中，以提供一主要电场。一基底固定设备固定一半导体晶圆，且连接该主要阴极。以及一辅助阴极设置于该化学电镀槽外侧，以提供一辅电场致使位于该基底固定设备中央位置的电力线密度，和位于其外围周边位置的电力线密度，实质上相同。

9. 发明专利

TWI345288B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI345288B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW095127271
申请日：2006-07-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：曹榮志 , 陳科維 , 張世杰 , 林俞谷 , 王英郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76844 , H01L21/76865 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置，包括：一基底；一介電層，形成於該基底上；一開口，形成於該介電層中；一第一阻障層，覆蓋於該開口之側壁；一第二阻障層，覆蓋於該第一阻障層上與該開口之底部；以及一導電層，填入該開口。本發明另提供一種半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口之侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口之底部；以及一导电层，填入该开口。本发明另提供一种半导体设备之制造方法。

10. 发明专利

TW455525B 改善鎢金屬層化學/機械式研磨之方法有权
简体标题：改善钨金属层化学/机械式研磨之方法
公开(公告)号：TW455525B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW089119884
申请日：2000-09-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 王廷君 , 李明哲 , 王英郎
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：一種改善鎢金屬化學/機械式研磨製程產出量及增加研磨墊使用壽命之方法，本發明係將晶圓載入以第一道硬式研磨墊，以移除粗糙面，為使產出量提高，在第一道研磨時，注入比其後一道研磨更多的研磨漿，且荷重加大。隨後晶圓再由機器手臂傳送至第二研磨墊上，第二研磨墊係採用軟式研磨，用以移除其餘之鎢層至所設定之移除量為止，最後，再傳送至第三研磨墊上進行以磨氧化層的研磨漿研磨氧化層，以使鎢插塞及/或導線高於周圍之氧化層。
简体摘要：一种改善钨金属化学/机械式研磨制程产出量及增加研磨垫使用寿命之方法，本发明系将晶圆加载以第一道硬式研磨垫，以移除粗糙面，为使产出量提高，在第一道研磨时，注入比其后一道研磨更多的研磨浆，且荷重加大。随后晶圆再由机器手臂发送至第二研磨垫上，第二研磨垫系采用软式研磨，用以移除其余之钨层至所设置之移除量为止，最后，再发送至第三研磨垫上进行以磨氧化层的研磨浆研磨氧化层，以使钨插塞及/或导线高于周围之氧化层。

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