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1. 发明专利

TWI222392B 減少研磨鑲嵌結構時產生凹陷的方法 METHOD TO PREVENT COPPER CMP DISHING 有权
简体标题：减少研磨镶嵌结构时产生凹陷的方法 METHOD TO PREVENT COPPER CMP DISHING
公开(公告)号：TWI222392B
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：TW092108522
申请日：2003-04-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉繼文 LIU, CHI WEN , 曹榮志 TSAO, JUNG CHIH , 張仕宗 CHANG, SHIH-TZUNG , 陳科維 CHEN, KEI WEI , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明揭示一種減少研磨鑲嵌結構時產生凹陷的方法。提供具有一介電層的一基底。形成一槽溝於介電層中。形成一順應的阻障層於槽溝的表面上，並延伸至介電層上。進行一第一電鍍銅製程，形成一第一銅層於阻障層上並填滿槽溝，且位於槽溝上方之第一銅層表面具有一凹處，該凹處高於介電層表面一距離，第一銅層具有第一晶粒尺寸。進行一第二電鍍銅製程，形成一第二銅層於第一銅層上，第二銅層具有第二晶粒尺寸，且第二晶粒尺寸小於第一晶粒尺寸，使得第二銅層硬於第一銅層。進行一化學機械研磨製程。
简体摘要：本发明揭示一种减少研磨镶嵌结构时产生凹陷的方法。提供具有一介电层的一基底。形成一槽沟于介电层中。形成一顺应的阻障层于槽沟的表面上，并延伸至介电层上。进行一第一电镀铜制程，形成一第一铜层于阻障层上并填满槽沟，且位于槽沟上方之第一铜层表面具有一凹处，该凹处高于介电层表面一距离，第一铜层具有第一晶粒尺寸。进行一第二电镀铜制程，形成一第二铜层于第一铜层上，第二铜层具有第二晶粒尺寸，且第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸，使得第二铜层硬于第一铜层。进行一化学机械研磨制程。

2. 发明专利

TW200409267A 洗邊反應室之夾握裝置 GRIPPER FOR CATCHING WAFER IN EBR CHAMBER 失效
简体标题：洗边反应室之夹握设备 GRIPPER FOR CATCHING WAFER IN EBR CHAMBER
公开(公告)号：TW200409267A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW091134378
申请日：2002-11-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭錫圭 CHENG, HSI-KUEI , 林俊澤 LIN, CHUN TSE , 王廷君 WANG, TING CHUN , 林俞谷 LIN, YU KU , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： H01L
摘要：一種洗邊反應室之夾握裝置，該夾握裝置包含固定基座、旋轉基座、複數個傳動連桿、複數個承接塊及驅動裝置。利用驅動裝置轉動耦合於固定基座之旋轉基座，以同時驅動傳動連桿，藉以同步移動承接塊，並且利用承接塊之凹槽托住晶圓。而且承接塊與晶圓的元件區域之間處於非接觸之分離狀態，以於進行晶圓的洗邊製程時，可以完全清除殘留在晶圓表面的化學溶液。
简体摘要：一种洗边反应室之夹握设备，该夹握设备包含固定基座、旋转基座、复数个传动连杆、复数个承接块及驱动设备。利用驱动设备转动耦合于固定基座之旋转基座，以同时驱动传动连杆，借以同步移动承接块，并且利用承接块之凹槽托住晶圆。而且承接块与晶圆的组件区域之间处于非接触之分离状态，以于进行晶圆的洗边制程时，可以完全清除残留在晶圆表面的化学溶液。

3. 发明专利

TWI252876B 洗邊機台之邊緣箍裝置失效
简体标题：洗边机台之边缘箍设备
公开(公告)号：TWI252876B
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：TW090128978
申请日：2001-11-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭錫圭 CHENG, HSI KUEI , 王廷君 WANG, TING CHUN , 林俞谷 LIN, YU KU , 黃晉德 UHANG, DENB , 楊懷德 , 陳俊彰 CHEN, CHUN CHANG , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： C25D
摘要：一種洗邊機台之邊緣箍裝置，適用於電鍍機台之上，用來承接晶圓片，該裝置至少包含底座、至少三個三角柱狀承接腳。三角柱狀承接腳安置於底座之上，三角柱狀承接腳以一長方形底面與該底座連結並位於以底座中心為圓心所形成的一同心圓之一圓周上並約略等分圓周。三角柱狀承接腳安置的方向與同心圓切線方向垂直。
简体摘要：一种洗边机台之边缘箍设备，适用于电镀机台之上，用来承接晶圆片，该设备至少包含底座、至少三个三角柱状承接脚。三角柱状承接脚安置于底座之上，三角柱状承接脚以一长方形底面与该底座链接并位于以底座中心为圆心所形成的一同心圆之一圆周上并约略等分圆周。三角柱状承接脚安置的方向与同心圆切线方向垂直。

4. 发明专利

TW200428583A 鑲嵌式金屬化構件及其製作方法 METHOD OF FABRICATING COPPER DAMASCENE STRUCTURE 失效
简体标题：镶嵌式金属化构件及其制作方法 METHOD OF FABRICATING COPPER DAMASCENE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200428583A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW092115015
申请日：2003-06-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉繼文 LIU, CHI-WEN , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種鑲嵌式金屬化構件及其製作方法。包括下列步驟：提供一具有開口之介電層於一半導體基底上。形成一第一導電層於該介電層上，且填入開口。平坦化第一導電層及阻障層以露出介電層。形成一第二導電層於介電層與第一導電層上。平坦化第二導電層以露出介電層，且位於開口上方部分，第二導電層覆蓋第一導電層上。利用選擇性電化學接觸置換反應將位於開口上方，覆蓋第一導電層上之第二導電層置換成第一導電層，以得到一表面平整之鑲嵌式金屬化構件。
简体摘要：本发明提供一种镶嵌式金属化构件及其制作方法。包括下列步骤：提供一具有开口之介电层于一半导体基底上。形成一第一导电层于该介电层上，且填入开口。平坦化第一导电层及阻障层以露出介电层。形成一第二导电层于介电层与第一导电层上。平坦化第二导电层以露出介电层，且位于开口上方部分，第二导电层覆盖第一导电层上。利用选择性电化学接触置换反应将位于开口上方，覆盖第一导电层上之第二导电层置换成第一导电层，以得到一表面平整之镶嵌式金属化构件。

5. 发明专利

TW200515503A 清除刷毛污染物之清潔片(CLEANER DISC) 审中-公开
简体标题：清除刷毛污染物之清洁片(CLEANER DISC)
公开(公告)号：TW200515503A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW092129636
申请日：2003-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林士琦 LIN, SICHI , 呂東璇 , 吳鈞 WU, JUN , 李文龍 , 廖茂成 MIAO-CHENG LIAO , 簡怡安 , 韋仁 WEI, JEN , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： H01L
摘要：一種在半導體製程中用以清除刷毛污染物之清潔片於此揭露。其特徵為，在清潔片上表面塗佈一層與污染物具有親和力之化學物質，使清潔片可吸附刷毛污染物，進而延長刷毛之使用壽命。
简体摘要：一种在半导体制程中用以清除刷毛污染物之清洁片于此揭露。其特征为，在清洁片上表面涂布一层与污染物具有亲和力之化学物质，使清洁片可吸附刷毛污染物，进而延长刷毛之使用寿命。

6. 发明专利

TWI229145B 旁通爆衝氣體之裝置有权
简体标题：旁通爆冲气体之设备
公开(公告)号：TWI229145B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW091121275
申请日：2002-09-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭義榮 CHENG, YI LUNG , 廖茂成 MIAO-CHENG LIAO , 蔡宜展 , 吳斯安 WU, SEZ AN , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： C23C
摘要：本發明提供一種旁通(by-passing)爆衝氣體之裝置，此裝置包括反應室、第一管路、第二管路與旁通管路，其中晶圓係放置於反應室中，且在晶圓上方之介電層中具有金屬導線結構。反應室，係用以進行化學氣相沈積程序，以形成化合物於金屬導線結構與部分介電層之上表面。第一管路，係連接於反應室且與反應室交接處具有第一控制閥，以控制氮氣經由第一管路流入反應室中。第二管路，係連接於反應室且與反應室交接處具有第二控制閥，以控制矽甲烷經由第二管路流入反應室中。旁通管路，係與第二管路相接互通且在其相接處之旁通管路上具有第三控制閥。其中，此相接處係位於矽甲烷流經第二控制閥之前。在開啟第一控制閥的同時，打開第三控制閥，使爆衝入第二管路中之矽甲烷先經由旁通管路排出第二管路，以避免矽甲烷爆衝入反應室。
简体摘要：本发明提供一种旁通(by-passing)爆冲气体之设备，此设备包括反应室、第一管路、第二管路与旁通管路，其中晶圆系放置于反应室中，且在晶圆上方之介电层中具有金属导线结构。反应室，系用以进行化学气相沉积进程，以形成化合物于金属导线结构与部分介电层之上表面。第一管路，系连接于反应室且与反应室交接处具有第一控制阀，以控制氮气经由第一管路流入反应室中。第二管路，系连接于反应室且与反应室交接处具有第二控制阀，以控制硅甲烷经由第二管路流入反应室中。旁通管路，系与第二管路相接互通且在其相接处之旁通管路上具有第三控制阀。其中，此相接处系位于硅甲烷流经第二控制阀之前。在打开第一控制阀的同时，打开第三控制阀，使爆冲入第二管路中之硅甲烷先经由旁通管路排出第二管路，以避免硅甲烷爆冲入反应室。

7. 发明专利

TW200408011A 自我對準之雙閘極薄膜電晶體 SELF-ALIGNED DUAL GATE THIN FILM TRANSISTOR 有权
简体标题：自我对准之双闸极薄膜晶体管 SELF-ALIGNED DUAL GATE THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200408011A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW091133084
申请日：2002-11-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉繼文 LIU, CHI WEN , 張鼎張 CHANG, TING CHANG , 劉柏村 LIU, PO TSUN , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： H01L
摘要：一種自我對準之雙閘極薄膜電晶體，其製造方法先形成一下閘極於一基礎層上方，再依序沉積一第一閘極介電層、一絕緣層與一半導體層於下閘極與基礎層上方，然後化學機械研磨半導體層而停止於絕緣層，移除未被半導體層覆蓋住之絕緣層而暴露出第一閘極介電層，並依序沉積一導通層與一第二閘極介電層於半導體層與第一閘極介電層上方，最後形成一上閘極於第二閘極介電層上方。本發明除了具有自我對準上閘極與下閘極之功效，半導體層之材質可為多晶矽鍺，得以降低源／汲極的接觸電阻值、改善扭結效應問題，並增大輸出阻抗與增益。
简体摘要：一种自我对准之双闸极薄膜晶体管，其制造方法先形成一下闸极于一基础层上方，再依序沉积一第一闸极介电层、一绝缘层与一半导体层于下闸极与基础层上方，然后化学机械研磨半导体层而停止于绝缘层，移除未被半导体层覆盖住之绝缘层而暴露出第一闸极介电层，并依序沉积一导通层与一第二闸极介电层于半导体层与第一闸极介电层上方，最后形成一上闸极于第二闸极介电层上方。本发明除了具有自我对准上闸极与下闸极之功效，半导体层之材质可为多晶硅锗，得以降低源／汲极的接触电阻值、改善扭结效应问题，并增大输出阻抗与增益。

8. 发明专利

TW200511911A 在銅層上方形成上蓋層之方法及銅內連線之形成方法 METHOD FOR CAPPING OVER A COPPER LAYER 失效
简体标题：在铜层上方形成上盖层之方法及铜内连接之形成方法 METHOD FOR CAPPING OVER A COPPER LAYER
公开(公告)号：TW200511911A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093103159
申请日：2004-02-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭義榮 CHENG, YI LUNG , 王英郎 WANG, TING CHUN , 陳韋立 CHEN, WE LI
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/76883 , Y10S438/902 , Y10S438/906
摘要：本發明揭示一種在銅層上方形成上蓋層之方法。在一基底上沉積一銅層。接著，對銅層表面實施含氫電漿處理以去除形成於其上的銅氧化物，藉以抑制銅凸起物(hillock)之形成。之後，再對銅層表面實施含氮電漿處理以改善銅層表面之附著性。最後，在銅層上方形成一上蓋絕緣層。
简体摘要：本发明揭示一种在铜层上方形成上盖层之方法。在一基底上沉积一铜层。接着，对铜层表面实施含氢等离子处理以去除形成于其上的铜氧化物，借以抑制铜凸起物(hillock)之形成。之后，再对铜层表面实施含氮等离子处理以改善铜层表面之附着性。最后，在铜层上方形成一上盖绝缘层。

9. 发明专利

TW200420381A 減少研磨鑲嵌結構時產生凹陷的方法 METHOD TO PREVENT COPPER CMP DISHING 审中-公开
简体标题：减少研磨镶嵌结构时产生凹陷的方法 METHOD TO PREVENT COPPER CMP DISHING
公开(公告)号：TW200420381A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092108522
申请日：2003-04-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉繼文 LIU, CHI WEN , 曹榮志 TSAO, JUNG CHIH , 張仕宗 CHANG, SHIH-TZUNG , 陳科維 CHEN, KEI WEI , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明揭示一種減少研磨鑲嵌結構時產生凹陷的方法。提供具有一介電層的一基底。形成一槽溝於介電層中。形成一順應的阻障層於槽溝的表面上，並延伸至介電層上。進行一第一電鍍銅製程，形成一第一銅層於阻障層上並填滿槽溝，且位於槽溝上方之第一銅層表面具有一凹處，該凹處高於介電層表面一距離，第一銅層具有第一晶粒尺寸。進行一第二電鍍銅製程，形成一第二銅層於第一銅層上，第二銅層具有第二晶粒尺寸，且第二晶粒尺寸小於第一晶粒尺寸，使得第二銅層硬於第一銅層。進行一化學機械研磨製程。
简体摘要：本发明揭示一种减少研磨镶嵌结构时产生凹陷的方法。提供具有一介电层的一基底。形成一槽沟于介电层中。形成一顺应的阻障层于槽沟的表面上，并延伸至介电层上。进行一第一电镀铜制程，形成一第一铜层于阻障层上并填满槽沟，且位于槽沟上方之第一铜层表面具有一凹处，该凹处高于介电层表面一距离，第一铜层具有第一晶粒尺寸。进行一第二电镀铜制程，形成一第二铜层于第一铜层上，第二铜层具有第二晶粒尺寸，且第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸，使得第二铜层硬于第一铜层。进行一化学机械研磨制程。

10. 发明专利

TW200418115A 偵測反應室漏氣的方法 A METHOD OF DETECTING CHAMBER LEAKAGE 有权
简体标题：侦测反应室漏气的方法 A METHOD OF DETECTING CHAMBER LEAKAGE
公开(公告)号：TW200418115A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092105401
申请日：2003-03-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭錫圭 CHENG, HSI-KUEI , 陳俊彰 CHEN, CHUN-CHANG , 王廷君 WANG, TING CHUN , 吳斯安 WU, SEZ AN , 王英郎 WANG, TING CHUN , 馮憲平 FENG, HSIEN PING
IPC分类号： H01L
摘要：一種偵測反應室漏氣的方法，係量測薄膜之反射率的變化來檢查反應室是否漏氣。以兩階段方法成長薄膜，量測此薄膜的反射率，將其與成長時反應室無漏氣之薄膜的反射率相比較，來檢查反應室是否漏氣。
简体摘要：一种侦测反应室漏气的方法，系量测薄膜之反射率的变化来检查反应室是否漏气。以两阶段方法成长薄膜，量测此薄膜的反射率，将其与成长时反应室无漏气之薄膜的反射率相比较，来检查反应室是否漏气。

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