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1. 发明专利

TWI645504B 晶圓傳遞模組及傳遞晶圓的方法有权
简体标题：晶圆传递模块及传递晶圆的方法
公开(公告)号：TWI645504B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106123784
申请日：2017-07-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王林偉 , WANG, LIN WEI , 任勇彰 , JEN, YUNG CHANG , 陳政廷 , CHEN, CHENG TING , 張正峰 , CHANG, CHEN FON
IPC分类号： H01L21/687 , B65D85/90 , H01L21/677

3. 发明专利

TWI489538B 切割半導體晶圓之裝置及切割半導體晶圓之方法有权
简体标题：切割半导体晶圆之设备及切割半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TWI489538B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101128180
申请日：2012-08-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃見翎 , HWANG, CHIEN LING , 蕭義理 , HSIAO, YI LI , 張博平 , JANG, BOR PING , 廖信宏 , LIAO, HSIN HUNG , 王林偉 , WANG, LIN WEI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B28D5/00 , B23K26/02 , B23K26/083 , B28D5/029 , H01L21/67092 , Y10T83/748

4. 发明专利

TW201344772A 切割半導體晶圓之裝置及切割半導體晶圓之方法审中-公开
简体标题：切割半导体晶圆之设备及切割半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TW201344772A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101128180
申请日：2012-08-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃見翎 , HWANG, CHIEN LING , 蕭義理 , HSIAO, YI LI , 張博平 , JANG, BOR PING , 廖信宏 , LIAO, HSIN HUNG , 王林偉 , WANG, LIN WEI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B28D5/00 , B23K26/02 , B23K26/083 , B28D5/029 , H01L21/67092 , Y10T83/748
摘要：一種切割半導體晶圓之裝置，包括一半導體晶圓支撐座以及複數個切割裝置。複數個切割裝置係提供一半導體晶圓之一表面之同時切割，用以同時形成並聯之複數條切割線。
简体摘要：一种切割半导体晶圆之设备，包括一半导体晶圆支撑座以及复数个切割设备。复数个切割设备系提供一半导体晶圆之一表面之同时切割，用以同时形成并联之复数条切割线。

5. 发明专利

TW568347B 負載埠傳輸手臂之外蓋有权
简体标题：负载端口传输手臂之外盖
公开(公告)号：TW568347B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW092209038
申请日：2003-05-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：曾煥良 , 張榮祥 , 王林偉
IPC分类号： H01L
摘要：一種負載埠傳輸手臂(Load Port Transfer Arm；LPT Arm)之外蓋(Cover)，固定在負載埠傳輸手臂與反應室之間，且此負載埠傳輸手臂之外蓋至少包含ㄇ字型主體、第一導流板(Flow Regulator Plate)、以及第二導流板。其中，第一導流板與第二導流板均固接在ㄇ字型主體之底部，且第一導流板位於第二導流板上方並與第二導流板相隔一預設距離。第一導流板與第二導流板上均至少包括複數個通孔，且第一導流板之通孔與第二導流板之通孔錯開。五、(一)、本案代表圖為：第╴╴╴4╴╴╴╴圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
200：外蓋
202：遮蔽部
204：側壁部
206：側壁部
208：導流板
210：導流板
212：通孔
214：通孔
简体摘要：一种负载端口传输手臂(Load Port Transfer Arm；LPT Arm)之外盖(Cover)，固定在负载端口传输手臂与反应室之间，且此负载端口传输手臂之外盖至少包含ㄇ字体主体、第一导流板(Flow Regulator Plate)、以及第二导流板。其中，第一导流板与第二导流板均固接在ㄇ字体主体之底部，且第一导流板位于第二导流板上方并与第二导流板相隔一默认距离。第一导流板与第二导流板上均至少包括复数个通孔，且第一导流板之通孔与第二导流板之通孔错开。五、(一)、本案代表图为：第╴╴╴4╴╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 200：外盖 202：屏蔽部 204：侧壁部 206：侧壁部 208：导流板 210：导流板 212：通孔 214：通孔

6. 发明专利

TW201205697A 凸塊結構的形成方法及裝置 BUMP STRUCTURE FORMING METHOD AND DEVICES 审中-公开
简体标题：凸块结构的形成方法及设备 BUMP STRUCTURE FORMING METHOD AND DEVICES
公开(公告)号：TW201205697A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW099144706
申请日：2010-12-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃貴偉 , 林威宏 , 王林偉 , 張博平 , 鄭明達 , 劉重希
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K31/02 , B23K1/0016 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/13147 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/75302 , H01L2224/75824 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81947 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K1/144 , H05K1/181 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H05K2203/082 , Y02P70/613 , Y10T428/24612 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供形成凸塊結構的方法,包含提供第一工件,其包含具有上表面的介電層,面對第一工件放置第二工件,放置加熱工具接觸第二工件,以及使用加熱工具加熱第二工件,進行回焊製程,在第一與第二工件之間的第一焊錫凸塊熔融,形成第二焊錫凸塊,在第二焊錫凸塊固化之前,將第二工件從第一工件拉開,直到第二焊錫凸塊的切線與介電層的上表面之間形成的角度大於約50度,其中切線從第二焊錫凸塊連接介電層的點繪製。
简体摘要：本发明提供形成凸块结构的方法,包含提供第一工件,其包含具有上表面的介电层,面对第一工件放置第二工件,放置加热工具接触第二工件,以及使用加热工具加热第二工件,进行回焊制程,在第一与第二工件之间的第一焊锡凸块熔融,形成第二焊锡凸块,在第二焊锡凸块固化之前,将第二工件从第一工件拉开,直到第二焊锡凸块的切线与介电层的上表面之间形成的角度大于约50度,其中切线从第二焊锡凸块连接介电层的点绘制。

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