专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI466215B 剝離與清理晶圓的方法與其裝置有权
简体标题：剥离与清理晶圆的方法与其设备
公开(公告)号：TWI466215B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101112188
申请日：2012-04-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 林俞良 , LIN, YU LIANG , 涂宏榮 , TU, HUNG JUNG
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/02057 , H01L21/67207

2. 发明专利

TWI458004B 薄化晶圓的方法有权
简体标题：薄化晶圆的方法
公开(公告)号：TWI458004B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW100100620
申请日：2011-01-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林俞良 , LIN, YU LIANG , 吳文進 , WU, WENG JIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834

3. 发明专利

TW201322354A 剝離與清理晶圓的方法與其裝置审中-公开
简体标题：剥离与清理晶圆的方法与其设备
公开(公告)号：TW201322354A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101112188
申请日：2012-04-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 林俞良 , LIN, YU LIANG , 涂宏榮 , TU, HUNG JUNG
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/02057 , H01L21/67207
摘要：本發明係關於晶圓剝離與清理裝置，包括自動晶圓處理模組。將半導體晶圓置入晶圓剝離模組進行剝離製程，接著以自動晶圓處理模組將半導體晶圓自剝離模組移出。之後將半導體晶圓置入晶圓清理模組以進行清理製程。
简体摘要：本发明系关于晶圆剥离与清理设备，包括自动晶圆处理模块。将半导体晶圆置入晶圆剥离模块进行剥离制程，接着以自动晶圆处理模块将半导体晶圆自剥离模块移出。之后将半导体晶圆置入晶圆清理模块以进行清理制程。

5. 发明专利

TWI507254B 薄形晶圓清潔裝置及其系統有权
简体标题：薄形晶圆清洁设备及其系统
公开(公告)号：TWI507254B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100141389
申请日：2011-11-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林俞良 , LIN, YU LIANG , 吳文進 , WU, WENG JIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH
IPC分类号： B08B3/02 , B08B3/04
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/68728

6. 发明专利

TW563237B 去除遮蔽對準標記物質的方法失效
简体标题：去除屏蔽对准标记物质的方法
公开(公告)号：TW563237B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091117434
申请日：2002-08-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張家龍 , 羅冠騰 , 蔡尚庭 , 林俞良
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種去除遮蔽對準標記物質的方法，首先，提供一半導體基底，半導體基底上形成有一遮蔽層，其中半導體基底具有對準標記，且對準標記為溝槽式對準標記；接著，定義半導體基底以形成一淺溝槽；於半導體基底上形成一絕緣層，且填入淺溝槽與溝槽式對準標記；然後，化學機械研磨半導體基底上之絕緣層至露出半導體基底，以在淺溝槽形成一淺溝槽隔離區；及以蝕刻液蝕刻溝槽式對準標記內之絕緣層。
简体摘要：本发明提供一种去除屏蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一屏蔽层，其中半导体基底具有对准标记，且对准标记为沟槽式对准标记；接着，定义半导体基底以形成一浅沟槽；于半导体基底上形成一绝缘层，且填入浅沟槽与沟槽式对准标记；然后，化学机械研磨半导体基底上之绝缘层至露出半导体基底，以在浅沟槽形成一浅沟槽隔离区；及以蚀刻液蚀刻沟槽式对准标记内之绝缘层。

7. 发明专利

TW438650B 化學機械研磨製程中回收利用鑽石輪有权
简体标题：化学机械研磨制程中回收利用钻石轮
公开(公告)号：TW438650B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW089107319
申请日：2000-04-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林俞良
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： Y02P70/605
摘要：一種在化學機械研磨製程中，回收鑽石輪的方法。堆積在鑽石輪上的二氧化矽，先利用水刀（water jet）以1500~6000psi的高壓噴灑去離子水（DI Water）沖洗其表面，如此可以除去大部分粉屑，再將鑽石輪放在溫度為40℃的加熱平台上，利用溫度為0℃，壓力為800~6000psi高壓的二氧化碳氣體，伴隨乾淨的乾空氣，沖刷鑽石輪的表面，即可除去殘餘的二氧化矽，最後，再將鑽石輪置入超音波水槽中，以去離子水震洗，清除剩餘的雜質。經過這三個步驟，即可以除去鑽石輪表面上大部分的二氧化矽，並且回收重複使用鑽石輪。
简体摘要：一种在化学机械研磨制程中，回收钻石轮的方法。堆积在钻石轮上的二氧化硅，先利用水刀（water jet）以1500~6000psi的高压喷洒去离子水（DI Water）冲洗其表面，如此可以除去大部分粉屑，再将钻石轮放在温度为40℃的加热平台上，利用温度为0℃，压力为800~6000psi高压的二氧化碳气体，伴随干净的干空气，冲刷钻石轮的表面，即可除去残余的二氧化硅，最后，再将钻石轮置入超音波水槽中，以去离子水震洗，清除剩余的杂质。经过这三个步骤，即可以除去钻石轮表面上大部分的二氧化硅，并且回收重复使用钻石轮。

8. 发明专利

TW201249553A 薄形晶圓清潔裝置及其系統 DEVICE AND SYSTEM FOR THIN WAFER CLEANING 审中-公开
简体标题：薄形晶圆清洁设备及其系统 DEVICE AND SYSTEM FOR THIN WAFER CLEANING
公开(公告)号：TW201249553A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100141389
申请日：2011-11-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林俞良 , 吳文進 , 林俊成 , 邱文智
IPC分类号： B08B
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/68728
摘要：一種用於薄形晶圓清潔的裝置及系統，包括一旋轉吸盤具有至少三夾持件。一薄形晶圓搭配一晶框透過一膠層設於旋轉吸盤之上。當夾持件處於釋放狀態時，可自由取放晶框。當夾持件處於鎖固狀態時，夾持件接觸晶框的外緣，以防止晶框側向移動。此外，夾持件於鎖住狀態的形狀可防止晶框垂直移動。
简体摘要：一种用于薄形晶圆清洁的设备及系统，包括一旋转吸盘具有至少三夹持件。一薄形晶圆搭配一晶框透过一胶层设于旋转吸盘之上。当夹持件处于释放状态时，可自由取放晶框。当夹持件处于锁固状态时，夹持件接触晶框的外缘，以防止晶框侧向移动。此外，夹持件于锁住状态的形状可防止晶框垂直移动。

9. 发明专利

TW567119B 研漿供應系統有权
简体标题：研浆供应系统
公开(公告)号：TW567119B
公开(公告)日：2003-12-21
申请号：TW090125273
申请日：2001-10-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳炳旭 , 張肇榮 , 羅瑞成 , 彭進興 , 林俞良 , 蔡尚庭
IPC分类号： B24C , B24B
摘要：一種準確控制研漿流量的供應系統，適用以控制由一研漿源供應至一研磨平台之研漿輸出，包括一研漿抽取裝置，用以吸取上述研漿源，輸出至上述研磨平台；一流量偵測單元，設置於上述研漿抽取裝置及上述研磨平台之間，用以偵測上述研漿抽取裝置輸出之研漿流速，產生對應上述研漿流速之一流量信號；以及一控制單元，耦接上述研漿抽取裝置及流量偵測單元，根據上述流量信號及一參考流量信號，控制上述研漿抽取裝置之輸出保持固定。
简体摘要：一种准确控制研浆流量的供应系统，适用以控制由一研浆源供应至一研磨平台之研浆输出，包括一研浆抽取设备，用以吸取上述研浆源，输出至上述研磨平台；一流量侦测单元，设置于上述研浆抽取设备及上述研磨平台之间，用以侦测上述研浆抽取设备输出之研浆流速，产生对应上述研浆流速之一流量信号；以及一控制单元，耦接上述研浆抽取设备及流量侦测单元，根据上述流量信号及一参考流量信号，控制上述研浆抽取设备之输出保持固定。

10. 实用新型

TW424619U 鑽石碟片預處理裝置失效
简体标题：钻石盘片预处理设备
公开(公告)号：TW424619U
公开(公告)日：2001-03-01
申请号：TW088222079
申请日：1999-12-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：彭至億 , 林俞良
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本創作揭露一種單鍵操作之鑽石碟片預處理裝置，用以離線預處理鑽石碟片，其至少包含碟片固定裝置，以固定一鑽石碟片；第一轉動裝置，用以轉動該碟片固定裝置以帶動該鑽石碟片的旋轉；平台，其上置有一磨盤以磨合該鑽石碟片；遞送裝置，用以使該鑽石碟片與該磨盤接觸或遠離；第二轉動裝置，用以轉動該平台以帶動該研磨墊的旋轉；支架，用以承載或固定上述元件；至少一個噴灑裝置，用以噴灑磨合液於該平台；控制單元，用以設定一磨合時間、控制第一轉動裝置以及第二轉動裝置的旋轉與否、轉速以及轉動方向。
简体摘要：本创作揭露一种单键操作之钻石盘片预处理设备，用以脱机预处理钻石盘片，其至少包含盘片固定设备，以固定一钻石盘片；第一转动设备，用以转动该盘片固定设备以带动该钻石盘片的旋转；平台，其上置有一磨盘以磨合该钻石盘片；递送设备，用以使该钻石盘片与该磨盘接触或远离；第二转动设备，用以转动该平台以带动该研磨垫的旋转；支架，用以承载或固定上述组件；至少一个喷洒设备，用以喷洒磨合液于该平台；控制单元，用以设置一磨合时间、控制第一转动设备以及第二转动设备的旋转与否、转速以及转动方向。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式