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1. 发明专利

TWI369732B 半導體製程及其反應室 SEMICONDUCTOR PROCESS AND CHAMBER USED 有权
简体标题：半导体制程及其反应室 SEMICONDUCTOR PROCESS AND CHAMBER USED
公开(公告)号：TWI369732B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW096111390
申请日：2007-03-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王靜亞 , 吳文進 , 羅冠騰 , 汪青蓉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/422 , G03F7/423
摘要：一種半導體製程，包括提供具有介電層形成於上的基材，然後在介電層上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定義出開口，然後透過這些開口蝕刻介電層。接著以蝕刻物質處理部分的光阻遮罩，並以超臨界流體移除這些光阻遮罩上處理的部分。一種半導體製程的反應室，能使上述之蝕刻、處理及移除製程於此單一之反應室中進行。
简体摘要：一种半导体制程，包括提供具有介电层形成于上的基材，然后在介电层上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定义出开口，然后透过这些开口蚀刻介电层。接着以蚀刻物质处理部分的光阻遮罩，并以超临界流体移除这些光阻遮罩上处理的部分。一种半导体制程的反应室，能使上述之蚀刻、处理及移除制程于此单一之反应室中进行。

2. 发明专利

TW563237B 去除遮蔽對準標記物質的方法失效
简体标题：去除屏蔽对准标记物质的方法
公开(公告)号：TW563237B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW091117434
申请日：2002-08-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張家龍 , 羅冠騰 , 蔡尚庭 , 林俞良
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種去除遮蔽對準標記物質的方法，首先，提供一半導體基底，半導體基底上形成有一遮蔽層，其中半導體基底具有對準標記，且對準標記為溝槽式對準標記；接著，定義半導體基底以形成一淺溝槽；於半導體基底上形成一絕緣層，且填入淺溝槽與溝槽式對準標記；然後，化學機械研磨半導體基底上之絕緣層至露出半導體基底，以在淺溝槽形成一淺溝槽隔離區；及以蝕刻液蝕刻溝槽式對準標記內之絕緣層。
简体摘要：本发明提供一种去除屏蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一屏蔽层，其中半导体基底具有对准标记，且对准标记为沟槽式对准标记；接着，定义半导体基底以形成一浅沟槽；于半导体基底上形成一绝缘层，且填入浅沟槽与沟槽式对准标记；然后，化学机械研磨半导体基底上之绝缘层至露出半导体基底，以在浅沟槽形成一浅沟槽隔离区；及以蚀刻液蚀刻沟槽式对准标记内之绝缘层。

3. 发明专利

TW556259B 利用複合控制模式之研漿流量控制方法及系統失效
简体标题：利用复合控制模式之研浆流量控制方法及系统
公开(公告)号：TW556259B
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：TW091120517
申请日：2002-09-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張肇榮 , 陳炳旭 , 彭進興 , 羅冠騰 , 魯建國 , 黃見翎
IPC分类号： H01L
摘要：一種利用複合控制模式之研漿流量控制方法及系統，該研漿流量控制系統包括流體計測裝置、複合控制器、中央控制裝置及輸送裝置。操作時，利用中央控制裝置即時比較流體計測裝置之研漿流量測量值與流量設定值之間的差值，以選用複合控制器之閉迴路控制法或開迴路控制法，使輸送裝置準確地控制研漿的流量輸出。
简体摘要：一种利用复合控制模式之研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测设备、复合控制器、中央控制设备及输送设备。操作时，利用中央控制设备实时比较流体计测设备之研浆流量测量值与流量设置值之间的差值，以选用复合控制器之闭回路控制法或开回路控制法，使输送设备准确地控制研浆的流量输出。

4. 发明专利

TW544799B 化學研磨修整器有权
简体标题：化学研磨修整器
公开(公告)号：TW544799B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091108791
申请日：2002-04-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林俞良 , 羅冠騰 , 莊平
IPC分类号： H01L
摘要：一種化學研磨修整器，係使用於化學研磨製程中之研磨墊修整，以將化學研磨製程中研磨墊上附著之研磨顆粒、積聚屑垢等加以清除。此化學研磨修整器包含，不鏽鋼基材，其上具有多個凸起顆粒，先沈積氮化鈦薄膜於此基材及凸起顆粒之上，再沈積類鑽碳薄膜於其上。利用類鑽碳之高硬度、耐酸鹼性及化學鈍性之特性，及不鏽鋼基材之可加工性，依實際使用之所需製造不同形狀之修整器，以配合不同化學研磨製程中研磨墊需求，使晶圓加工的良率因而提高，且研磨速率得以穩定及提高。
简体摘要：一种化学研磨修整器，系使用于化学研磨制程中之研磨垫修整，以将化学研磨制程中研磨垫上附着之研磨颗粒、积聚屑垢等加以清除。此化学研磨修整器包含，不锈钢基材，其上具有多个凸起颗粒，先沉积氮化钛薄膜于此基材及凸起颗粒之上，再沉积类钻碳薄膜于其上。利用类钻碳之高硬度、耐酸碱性及化学钝性之特性，及不锈钢基材之可加工性，依实际使用之所需制造不同形状之修整器，以配合不同化学研磨制程中研磨垫需求，使晶圆加工的良率因而提高，且研磨速率得以稳定及提高。

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