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1. 发明专利

TWI332248B 適用於設計新製程技術之內連線設計方法與內連線 METHOD FOR DESIGNING INTERCONNECT FOR A NEW PROCESSING TECHNOLOGY AND THE INTERCONNECT 有权
简体标题：适用于设计新制程技术之内连接设计方法与内连接 METHOD FOR DESIGNING INTERCONNECT FOR A NEW PROCESSING TECHNOLOGY AND THE INTERCONNECT
公开(公告)号：TWI332248B
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：TW096100844
申请日：2007-01-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林建宏 , 陳學忠 , 鄭義榮 , 李大衛 , 林志濤 , 丁至剛 , 魯立忠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種積體電路之內連線的設計方法，其中積體電路具有兩不同層，其上分別設有一第一導體以及一第二導體。該內連線係設於第一導體與第二導體之間。當由一參考製程技術縮小到一預定製程技術時，該方法包含有，根據該預定製程技術選擇一組設計規則；根據該設計規則決定一內連線的一長方形截面的一第一側的長度以及一縮小規則，該縮小規則供由該參考製程技術縮小該長度到該預定製程技術；以及決定該內連線長方形截面的一第二側的長度，供補償因由該參考製程技術縮小到預定製程技術時，該內連線所增加的電阻。
简体摘要：一种集成电路之内连接的设计方法，其中集成电路具有两不同层，其上分别设有一第一导体以及一第二导体。该内连接系设于第一导体与第二导体之间。当由一参考制程技术缩小到一预定制程技术时，该方法包含有，根据该预定制程技术选择一组设计守则；根据该设计守则决定一内连接的一长方形截面的一第一侧的长度以及一缩小守则，该缩小守则供由该参考制程技术缩小该长度到该预定制程技术；以及决定该内连接长方形截面的一第二侧的长度，供补偿因由该参考制程技术缩小到预定制程技术时，该内连接所增加的电阻。

2. 发明专利

TW534852B 防止產生氧化鎢之鎢-化學機械研磨製程失效
简体标题：防止产生氧化钨之钨-化学机械研磨制程
公开(公告)号：TW534852B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW090128313
申请日：2001-11-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王英郎 , 林士琦 , 鄭義榮 , 劉繼文 , 游明華 , 鄭文功 , 王建光
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明為一種防止產生氧化鎢之鎢-化學機械研磨製程，其步驟包括：提供一具有接觸開口之基底，順應性形成一阻障層於該具有接觸開口之基底上，形成一鎢金屬層於該阻障層上，並填滿該接觸開口，施行第一階段化學機械研磨步驟，研磨該鎢金屬層和該阻障層至該基底表面，以於該接觸窗內形成一鎢插栓，施行第二階段化學機械研磨步驟，加入一氫氧化四丁銨，研磨該鎢插栓，以及施行第三階段化學機械研磨後的洗淨步驟。
简体摘要：本发明为一种防止产生氧化钨之钨-化学机械研磨制程，其步骤包括：提供一具有接触开口之基底，顺应性形成一阻障层于该具有接触开口之基底上，形成一钨金属层于该阻障层上，并填满该接触开口，施行第一阶段化学机械研磨步骤，研磨该钨金属层和该阻障层至该基底表面，以于该接触窗内形成一钨插栓，施行第二阶段化学机械研磨步骤，加入一氢氧化四丁铵，研磨该钨插栓，以及施行第三阶段化学机械研磨后的洗净步骤。

3. 发明专利

TW527684B 以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法有权
简体标题：以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法
公开(公告)号：TW527684B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090125270
申请日：2001-10-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭義榮 , 游明華 , 吳斯安 , 王英郎 , 周培芬
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法，其方法係為使用含氮氣(N2)的氟矽玻璃製程氣體，在基底上沈積氟矽玻璃層。
简体摘要：本发明提供一种以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法，其方法系为使用含氮气(N2)的氟硅玻璃制程气体，在基底上沉积氟硅玻璃层。

4. 发明专利

TW575921B 清除製程微粒子的方法失效
简体标题：清除制程微粒子的方法
公开(公告)号：TW575921B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW091134899
申请日：2002-11-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭義榮 , 游明華 , 吳斯安 WU, SEZ AN , 王英郎 WANG, YING LANG
IPC分类号： H01L
摘要：一種清除製程微粒子的方法，至少包含一高速水柱噴射刷洗的刷洗步驟來去除晶圓片表面因製程而生之微粒子，與一同位氣體電漿處理來中和因高速水柱噴射刷洗而聚積於晶圓片表面之電荷，本方法可以提升後續製程的良率。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿＿3＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
300：金屬突出
简体摘要：一种清除制程微粒子的方法，至少包含一高速水柱喷射刷洗的刷洗步骤来去除晶圆片表面因制程而生之微粒子，与一同位气体等离子处理来中和因高速水柱喷射刷洗而聚积于晶圆片表面之电荷，本方法可以提升后续制程的良率。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿＿＿3＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 300：金属突出

5. 发明专利

TW514997B 以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法有权
简体标题：以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法
公开(公告)号：TW514997B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090124099
申请日：2001-09-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭義榮 , 王慧玲 , 吳斯安 , 鄭文功 , 游明華 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法，其包括：於金屬導線層上先利用溝填能力佳的高密度電漿化學氣相沈積法沈積第一層氟矽玻璃層，其大致填滿金屬導線層的開口，之後利用電漿增強型化學氣相沈積法沈積第二層氟矽玻璃層。
简体摘要：本发明提供一种以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法，其包括：于金属导线层上先利用沟填能力佳的高密度等离子化学气相沉积法沉积第一层氟硅玻璃层，其大致填满金属导线层的开口，之后利用等离子增强型化学气相沉积法沉积第二层氟硅玻璃层。

6. 发明专利

TW481825B 高密度電漿化學氣相沈積反應器的清洗方法有权
简体标题：高密度等离子化学气相沉积反应器的清洗方法
公开(公告)号：TW481825B
公开(公告)日：2002-04-01
申请号：TW089120186
申请日：2000-09-29
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭義榮 , 詹俊清 , 鄭文功 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：一種高密度電漿化學氣相沈積反應器的清洗方法，在使用高密度電漿化學氣相沈積形成氧化矽於晶片時，亦有部分氧化矽會沉積於反應器壁上，本發明在進行反應器壁清洗步驟前多增加一道將反應器預熱之步驟，使接續進行清洗反應器壁上之氧化矽反應速率增加，如此降低製程所需之時間兩增加產能，本發明係利用電漿並通入氧氣之解離方式，用以增加反應氣溫度，達到預熱之效果。
简体摘要：一种高密度等离子化学气相沉积反应器的清洗方法，在使用高密度等离子化学气相沉积形成氧化硅于芯片时，亦有部分氧化硅会沉积于反应器壁上，本发明在进行反应器壁清洗步骤前多增加一道将反应器预热之步骤，使接续进行清洗反应器壁上之氧化硅反应速率增加，如此降低制程所需之时间两增加产能，本发明系利用等离子并通入氧气之解离方式，用以增加反应气温度，达到预热之效果。

7. 发明专利

TWI323506B 封裝元件 PACKAGED DEVICE 有权
简体标题：封装组件 PACKAGED DEVICE
公开(公告)号：TWI323506B
公开(公告)日：2010-04-11
申请号：TW095142600
申请日：2006-11-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳憲偉 , 陳學忠 , 鄭義榮
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種封裝元件，至少有一件元件,設置於一基材上。一材料層,封裝元件幷且至少覆蓋基材的一部分，其中材料層至少包含有鄰近於元件的一第一部分和在第一部分之上的一第二部分。第二部分的導熱係數高於第一部分的導熱係數。 Packaged devices are provided. At least one device is disposed on a substrate. The material layer encapsulates the device and covers at least a portion of the substrate, wherein the material layer comprises at least a first portion adjacent to the device and a second portion over the first portion. The second portion has a thermal conductivity higher than a thermal conductivity of the first portion. 【創作特點】根據一些代表性的實施例，一封裝元件包含位於基材上的一元件以及一材料層。至少有一件元件設置於一基材上。材料層將元件封裝幷且至少覆蓋基材的一部分，材料層至少包含有鄰近於元件的一第一部分和在第一部分之上的一第二部分。第二部分的導熱係數高於第一部分的導熱係數。
本發明的上述及其它特徵將利用下面的較佳實施例結合附圖來詳細說明。
简体摘要：一种封装组件，至少有一件组件,设置于一基材上。一材料层,封装组件并且至少覆盖基材的一部分，其中材料层至少包含有邻近于组件的一第一部分和在第一部分之上的一第二部分。第二部分的导热系数高于第一部分的导热系数。 Packaged devices are provided. At least one device is disposed on a substrate. The material layer encapsulates the device and covers at least a portion of the substrate, wherein the material layer comprises at least a first portion adjacent to the device and a second portion over the first portion. The second portion has a thermal conductivity higher than a thermal conductivity of the first portion. 【创作特点】根据一些代表性的实施例，一封装组件包含位于基材上的一组件以及一材料层。至少有一件组件设置于一基材上。材料层将组件封装并且至少覆盖基材的一部分，材料层至少包含有邻近于组件的一第一部分和在第一部分之上的一第二部分。第二部分的导热系数高于第一部分的导热系数。本发明的上述及其它特征将利用下面的较佳实施例结合附图来详细说明。

8. 发明专利

TW476106B 去除高密度電漿化學氣相沉積室殘存氟氣體之方法有权
简体标题：去除高密度等离子化学气相沉积室残存氟气体之方法
公开(公告)号：TW476106B
公开(公告)日：2002-02-11
申请号：TW090107073
申请日：2001-03-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭義榮 , 鄭文功 , 游明華 , 吳斯安 , 王英郎 , 周培芬
IPC分类号： H01L
摘要：一種化學氣相沉積室殘存氟氣體之方法。首先，調節高密度電漿化學氣相沉積室之壓力至40-60 mT，並以射頻微波擾動化學氣相沉積室內表面頑垢，以使其產生裂痕或小洞，表面頑垢係由於該高密度電漿化學氣相沉積室曾使用以沉積含氟矽酸玻璃所致；本步驟係同時導入矽甲烷氣體及氧氣以形成氧化膜，並將反應室殘留之氟氣滲於形成的裂痕或小洞中。按著，再導入氮氟氣體以形成矽氟氣體；再以真空幫浦抽出；最後，再載入一矽基板。在約4-6mT之低壓環境下，同時控制SiH4/O2流量比，約大於1.5比1以沉積富矽氧化層於矽基板上。由此比例所沉積的氧化層係具有斷鍵的富矽氧化層，可用以進一步吸收殘存氟氣體濃度。
简体摘要：一种化学气相沉积室残存氟气体之方法。首先，调节高密度等离子化学气相沉积室之压力至40-60 mT，并以射频微波扰动化学气相沉积室内表面顽垢，以使其产生裂痕或小洞，表面顽垢系由于该高密度等离子化学气相沉积室曾使用以沉积含氟硅酸玻璃所致；本步骤系同时导入硅甲烷气体及氧气以形成氧化膜，并将反应室残留之氟气渗于形成的裂痕或小洞中。按着，再导入氮氟气体以形成硅氟气体；再以真空帮浦抽出；最后，再加载一硅基板。在约4-6mT之低压环境下，同时控制SiH4/O2流量比，约大于1.5比1以沉积富硅氧化层于硅基板上。由此比例所沉积的氧化层系具有断键的富硅氧化层，可用以进一步吸收残存氟气体浓度。

9. 发明专利

TW455928B 改善摻氟矽玻璃製程之摻質濃度的穩定度之方法失效
简体标题：改善掺氟硅玻璃制程之掺质浓度的稳定度之方法
公开(公告)号：TW455928B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW089122344
申请日：2000-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：游明華 , 鄭義榮 , 吳斯安 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種改善摻氟矽玻璃製程之摻質濃度的穩定度之方法,其包括:於進行摻氟矽玻璃製程前，於反應室壁形成保護膜/摻氟矽玻璃膜或者保護膜/摻氟矽玻璃膜/保護膜，可使晶片上所沈積之摻氟矽玻璃膜的濃度較容易控制。此外，於反應室壁形成保護膜/摻氟矽玻璃膜/保護膜，在進行摻氟矽玻璃製程時，還可以降低粒子掉落至晶片的可能，以降低粒子對晶片造成的污染或損傷。
简体摘要：本发明提供一种改善掺氟硅玻璃制程之掺质浓度的稳定度之方法,其包括:于进行掺氟硅玻璃制程前，于反应室壁形成保护膜/掺氟硅玻璃膜或者保护膜/掺氟硅玻璃膜/保护膜，可使芯片上所沉积之掺氟硅玻璃膜的浓度较容易控制。此外，于反应室壁形成保护膜/掺氟硅玻璃膜/保护膜，在进行掺氟硅玻璃制程时，还可以降低粒子掉落至芯片的可能，以降低粒子对芯片造成的污染或损伤。

10. 发明专利

TWI319225B 半導體散熱結構及其製作方法 HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体散热结构及其制作方法 HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI319225B
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW093131131
申请日：2004-10-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳學忠 , 鄭義榮 , 陳憲偉 , 鄭心圃
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L23/3677 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種半導體散熱結構及其製作方法，以對具有複數條電源線之一半導體裝置進行散熱，半導體結構包含有一半導體基材以及複數個連線結構位於半導體基材上，並與半導體基材相接觸，且係延伸至半導體裝置，這些連線結構可將熱量散發至半導體基材，其中各連線結構包含有至少一導孔柱。 A semiconductor heat dissipation structure and method thereof for dissipating heat away from a semiconductor device having a plurality of power lines is provided. The semiconductor heat dissipation structure includes a semiconductor substrate and a plurality of interconnect structures disposed on the substrate and in contact therewith and extending through the semiconductor device, the interconnect structures for dissipating heat to the substrate. Each of the plurality of interconnect structures comprises at least one via stack. 【創作特點】本發明係關於一種可對具有複數條電源線之半導體裝置進行散熱之半導體結構，根據本發明之一實施例，半導體結構包含有一半導體基材以及複數個連線結構設置於半導體基材上，並與半導體基材相接觸，且延伸至半導體裝置頂層，這些連線結構係用來將熱量散發至半導體基材，各連線結構具有至少一導孔柱(via stack)，在一實施例中，連線結構係接近於一條電源線，在另一實施例中，連線結構係位於一電源線中間，複數個連線結構大抵為一介電層所包覆。
依照本發明之方法，首先先提供一半導體基材，並於半導體基材上製作複數個連線結構，使各連線結構與半導體基材接觸，並延伸至半導體裝置頂層，且連線結構可經由半導體基材來進行散熱。
為使本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
简体摘要：本发明系提供一种半导体散热结构及其制作方法，以对具有复数条电源线之一半导体设备进行散热，半导体结构包含有一半导体基材以及复数个连接结构位于半导体基材上，并与半导体基材相接触，且系延伸至半导体设备，这些连接结构可将热量散发至半导体基材，其中各连接结构包含有至少一导孔柱。 A semiconductor heat dissipation structure and method thereof for dissipating heat away from a semiconductor device having a plurality of power lines is provided. The semiconductor heat dissipation structure includes a semiconductor substrate and a plurality of interconnect structures disposed on the substrate and in contact therewith and extending through the semiconductor device, the interconnect structures for dissipating heat to the substrate. Each of the plurality of interconnect structures comprises at least one via stack. 【创作特点】本发明系关于一种可对具有复数条电源线之半导体设备进行散热之半导体结构，根据本发明之一实施例，半导体结构包含有一半导体基材以及复数个连接结构设置于半导体基材上，并与半导体基材相接触，且延伸至半导体设备顶层，这些连接结构系用来将热量散发至半导体基材，各连接结构具有至少一导孔柱(via stack)，在一实施例中，连接结构系接近于一条电源线，在另一实施例中，连接结构系位于一电源线中间，复数个连接结构大抵为一介电层所包覆。依照本发明之方法，首先先提供一半导体基材，并于半导体基材上制作复数个连接结构，使各连接结构与半导体基材接触，并延伸至半导体设备顶层，且连接结构可经由半导体基材来进行散热。为使本发明之上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

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