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1. 发明专利

TWI450376B 具有對準標記的結構及堆疊裝置的製造方法有权
简体标题：具有对准标记的结构及堆栈设备的制造方法
公开(公告)号：TWI450376B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW099140503
申请日：2010-11-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡承祐 , TSAI, CHEN YU , 王勢輝 , WANG, SHIH HUI , 邱建明 , CHIU, CHIEN MING , 陳嘉和 , CHEN, CHIA HO , 蔡方文 , TSAI, FANG WEN , 吳文進 , WU, WENG JIN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/544 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54426 , H01L2224/13

2. 发明专利

TWI487059B 用於置中晶圓的裝置有权
简体标题：用于置中晶圆的设备
公开(公告)号：TWI487059B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100112588
申请日：2011-04-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：章鑫 , CHANG, HSIN , 陳新瑜 , CHEN, HSIN YU , 蔡方文 , TSAI, FANG WEN , 林俊成 , LIN, JING CHENG , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6875 , B65G47/90 , H01L21/68707 , Y10T74/20305

3. 发明专利

TWI392030B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI392030B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW098131017
申请日：2009-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：葉明熙 , YEH, MATT , 蔡方文 , TSAI, FANG WEN , 陳啟群 , CHEN, CHI CHUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/32139 , H01L29/517 , H01L29/66545

4. 发明专利

TW201201344A 具有對準標記的結構及堆疊裝置的製造方法 STRUCTURE HAVING ALIGNMENT MARK AND METHOD FOR FORMING STACKED DEVICE 审中-公开
简体标题：具有对准标记的结构及堆栈设备的制造方法 STRUCTURE HAVING ALIGNMENT MARK AND METHOD FOR FORMING STACKED DEVICE
公开(公告)号：TW201201344A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW099140503
申请日：2010-11-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：蔡承祐 , 王勢輝 , 邱建明 , 陳嘉和 , 蔡方文 , 吳文進 , 林俊成 , 邱文智 , 鄭心圃 , 余振華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54426 , H01L2224/13
摘要：本發明揭示一種具有對準標記的結構,包括:一基底,具有一第一區及一第二區。一基底通孔電極(through substrate via,TSV),位於基底內且穿過基底的第一區。一隔離層,位於基底的第二區,隔離層具有一凹口。一導電材料,位於隔離層上並順應凹口內的隔離層,隔離層設置於導電材料與基底之間。
简体摘要：本发明揭示一种具有对准标记的结构,包括:一基底,具有一第一区及一第二区。一基底通孔电极(through substrate via,TSV),位于基底内且穿过基底的第一区。一隔离层,位于基底的第二区,隔离层具有一凹口。一导电材料,位于隔离层上并顺应凹口内的隔离层,隔离层设置于导电材料与基底之间。

5. 发明专利

TW201222712A 用於置中晶圓的裝置 APPARATUS FOR CENTERING WAFERS 审中-公开
简体标题：用于置中晶圆的设备 APPARATUS FOR CENTERING WAFERS
公开(公告)号：TW201222712A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100112588
申请日：2011-04-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：章鑫 , 陳新瑜 , 蔡方文 , 林俊成 , 邱文智 , 鄭心圃 , 余振華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6875 , B65G47/90 , H01L21/68707 , Y10T74/20305
摘要：本發明揭示一種用於置中晶圓的裝置，包括：一機械手臂以及組裝於機械手臂上的複數個導針，其中每一導針包括位於不同層位的複數個晶圓支撐體，而每一個晶圓支撐體用以支撐及置中一晶圓，而對應的晶圓的尺寸不同於對應在其他晶圓支撐體上被支撐及被置中的晶圓的尺寸。
简体摘要：本发明揭示一种用于置中晶圆的设备，包括：一机械手臂以及组装于机械手臂上的复数个导针，其中每一导针包括位于不同层位的复数个晶圆支撑体，而每一个晶圆支撑体用以支撑及置中一晶圆，而对应的晶圆的尺寸不同于对应在其他晶圆支撑体上被支撑及被置中的晶圆的尺寸。

6. 发明专利

TW201017776A 半導體裝置的製造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法 METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201017776A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098131017
申请日：2009-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：葉明熙 , 蔡方文 , 陳啟群
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/32139 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製造方法，包括：提供一半導體基底，其具有第一閘極堆疊於第一區、第二閘極堆疊於第二區，其各自包含一虛置閘極；從第一閘極堆疊與第二閘極堆疊中去除虛置閘極，以形成一溝槽；形成一金屬層填入部分溝槽；形成一氧化層於金屬層上，且填滿溝槽之其餘部分；對氧化層進行第一處理；形成一圖案化光阻層於第一區上之氧化層；對第二區上之氧化層進行第二處理；蝕刻第二區上之氧化層；蝕刻第二區上之金屬層；去除圖案化光阻層；以及，去除第一區上之氧化層。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一闸极堆栈于第一区、第二闸极堆栈于第二区，其各自包含一虚置闸极；从第一闸极堆栈与第二闸极堆栈中去除虚置闸极，以形成一沟槽；形成一金属层填入部分沟槽；形成一氧化层于金属层上，且填满沟槽之其余部分；对氧化层进行第一处理；形成一图案化光阻层于第一区上之氧化层；对第二区上之氧化层进行第二处理；蚀刻第二区上之氧化层；蚀刻第二区上之金属层；去除图案化光阻层；以及，去除第一区上之氧化层。

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