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1. 发明专利

TW201724588A 強介電體記憶體及其製造方法，強介電體膜及其製造方法审中-公开
简体标题：强介电体内存及其制造方法，强介电体膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201724588A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105123767
申请日：2016-07-27
申请人：友技科股份有限公司 , YOUTEC CO., LTD.
发明人：木島健 , KIJIMA, TAKESHI , 濱田泰彰 , HAMADA, YASUAKI
IPC分类号： H01L41/16 , H01L41/314 , H01L21/8239
摘要：為提供一種具有比記憶2值還多記憶效果的強介電體記憶體。本發明的一態樣為一種強介電體記憶體，具備：半導體層(30)、形成於前述半導體層上的絕緣層(24)、形成於前述絕緣層上的反強介電體膜(21)、形成於前述反強介電體膜上的強介電體膜(22)、形成於前述強介電體膜上的第1電極(26)、形成於前述半導體層的源極區域(27)及汲極區域(28)。
简体摘要：为提供一种具有比记忆2值还多记忆效果的强介电体内存。本发明的一态样为一种强介电体内存，具备：半导体层(30)、形成于前述半导体层上的绝缘层(24)、形成于前述绝缘层上的反强介电体膜(21)、形成于前述反强介电体膜上的强介电体膜(22)、形成于前述强介电体膜上的第1电极(26)、形成于前述半导体层的源极区域(27)及汲极区域(28)。

2. 发明专利

TW201635610A 鐵電體膜的製造方法审中-公开
简体标题：铁电体膜的制造方法
公开(公告)号：TW201635610A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105104480
申请日：2016-02-16
申请人：友技科股份有限公司 , YOUTEC CO., LTD.
发明人：木島健 , KIJIMA, TAKESHI , 濱田泰彰 , HAMADA, YASUAKI , 佐藤和裕 , SATO, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L49/02 , B05D1/06
摘要：提供一種能夠縮短邊緣洗淨處理之鐵電體膜的製造方法。本發明之其中一個形態，係為一種鐵電體膜的製造方法，其特徵為，係具備有：在基板(11)上塗布鐵電體材料膜之塗布工程；和對於前述基板上之前述鐵電體材料膜進行假燒成之假燒成工程；和藉由對於前述假燒成工程後之前述鐵電體材料膜進行熱處理來在前述基板上形成作了結晶化的鐵電體膜(12)之結晶化工程；和在前述結晶化工程之後，藉由一面使前述基板旋轉一面對於前述基板之背面供給鐵電體膜溶解用水溶液，來將前述基板之背面洗淨，並且將前述基板上之前述鐵電體膜之邊緣溶解之工程。
简体摘要：提供一种能够缩短边缘洗净处理之铁电体膜的制造方法。本发明之其中一个形态，系为一种铁电体膜的制造方法，其特征为，系具备有：在基板(11)上涂布铁电体材料膜之涂布工程；和对于前述基板上之前述铁电体材料膜进行假烧成之假烧成工程；和借由对于前述假烧成工程后之前述铁电体材料膜进行热处理来在前述基板上形成作了结晶化的铁电体膜(12)之结晶化工程；和在前述结晶化工程之后，借由一面使前述基板旋转一面对于前述基板之背面供给铁电体膜溶解用水溶液，来将前述基板之背面洗净，并且将前述基板上之前述铁电体膜之边缘溶解之工程。

3. 发明专利

TW201724589A 膜構造體、致動器、馬達及膜構造體之製造方法审中-公开
简体标题：膜构造体、致动器、马达及膜构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201724589A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105134435
申请日：2016-10-25
申请人：友技科股份有限公司 , YOUTEC CO., LTD.
发明人：木島健 , KIJIMA, TAKESHI , 本多祐二 , HONDA, YUUJI , 濱田泰彰 , HAMADA, YASUAKI
IPC分类号： H01L41/187 , H01F1/053 , H01L41/314 , H01L41/08 , H02N2/00
CPC分类号： H01L41/081 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0946 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/314 , H01L41/319 , H02K1/12 , H02K1/27 , H02K1/278 , H02K11/20 , H02K11/21 , H02K11/24 , H02N2/10 , H02N2/163
摘要：提升在基板上所形成的強磁性膜的特性。本發明的其中一樣態，是一種膜構造體，具有：單晶基板(11)、以及形成並配向在前述單晶基板上之第1強磁性膜(13)。
简体摘要：提升在基板上所形成的强磁性膜的特性。本发明的其中一样态，是一种膜构造体，具有：单晶基板(11)、以及形成并配向在前述单晶基板上之第1强磁性膜(13)。

4. 发明专利

TW201639801A 加壓式燈退火裝置、強介電體膜及其製造方法审中-公开
简体标题：加压式灯退火设备、强介电体膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201639801A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104141732
申请日：2015-12-11
申请人：友技科股份有限公司 , YOUTEC CO., LTD.
发明人：木島健 , KIJIMA, TAKESHI , 濱田泰彰 , HAMADA, YASUAKI , 後山朋之 , USHIROYAMA, TOMOYUKI
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/491 , H01B3/12 , H01B17/62 , B05D1/40 , B05D3/10 , B05C9/14
CPC分类号： C01G25/00 , H01L21/26 , H01L41/187 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L41/43
摘要：本發明之課題在於提供一種以鈣鈦礦構造製作強介電體膜用之方法，其係非鉛的材料，於以往的方法中無法製作具有鈣鈦礦構造之膜者。本發明之一態樣係一種強介電體膜，其係由鈣鈦礦構造所成之ABO3膜，A係由鹼金屬、鹼土類金屬、Sc以外的3族元素、Ag及Bi之群所選出的至少1個元素，B係由Mg、Sc、4族~6族元素、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、B、Al、Ga、Si、Ge、Sn、P、As、Sb及S之群所選出的至少1個元素，前述強介電體膜係藉由溶膠凝膠法形成，藉由1MPa以上20MPa以下之壓力下的燒成而結晶化。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种以钙钛矿构造制作强介电体膜用之方法，其系非铅的材料，于以往的方法中无法制作具有钙钛矿构造之膜者。本发明之一态样系一种强介电体膜，其系由钙钛矿构造所成之ABO3膜，A系由碱金属、碱土类金属、Sc以外的3族元素、Ag及Bi之群所选出的至少1个元素，B系由Mg、Sc、4族~6族元素、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、B、Al、Ga、Si、Ge、Sn、P、As、Sb及S之群所选出的至少1个元素，前述强介电体膜系借由溶胶凝胶法形成，借由1MPa以上20MPa以下之压力下的烧成而结晶化。

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