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1. 发明专利

TWI529728B 包含記憶單元之半導體元件有权
简体标题：包含记忆单元之半导体组件
公开(公告)号：TWI529728B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW099139046
申请日：2010-11-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：鎌田康一郎 , KAMATA, KOICHIRO , 關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE
IPC分类号： G11C16/18 , G11C16/26 , G11C16/20
CPC分类号： G11C16/0433 , G11C16/02 , G11C16/0483 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L29/7869

2. 发明专利

TWI528502B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI528502B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW100100333
申请日：2011-01-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225

3. 发明专利

TWI567942B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI567942B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW100116348
申请日：2011-05-10
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE , 古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/52 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/41733 , H01L29/78621

4. 发明专利

TW201308895A 邏輯電路及半導體裝置审中-公开
简体标题：逻辑电路及半导体设备
公开(公告)号：TW201308895A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101115376
申请日：2012-04-30
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE
IPC分类号： H03K19/00 , H03K19/0948
CPC分类号： H03K19/0016 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H01L2924/00
摘要：邏輯電路包括一輸入端、一輸出端、一電性連接輸入端和輸出端的主邏輯電路部、及一電性連接輸入端和主邏輯電路部的開關元件。另外，開關元件之第一端係電性連接輸入端，開關元件之第二端係電性連接包括在主邏輯電路部中的至少一電晶體之閘極，且開關元件係一種具有在截止狀態下之每微米通道寬度之洩漏電流小於或等於1×10-17A的電晶體。
简体摘要：逻辑电路包括一输入端、一输出端、一电性连接输入端和输出端的主逻辑电路部、及一电性连接输入端和主逻辑电路部的开关组件。另外，开关组件之第一端系电性连接输入端，开关组件之第二端系电性连接包括在主逻辑电路部中的至少一晶体管之闸极，且开关组件系一种具有在截止状态下之每微米信道宽度之泄漏电流小于或等于1×10-17A的晶体管。

5. 发明专利

TWI568181B 邏輯電路及半導體裝置有权
简体标题：逻辑电路及半导体设备
公开(公告)号：TWI568181B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101115376
申请日：2012-04-30
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE
IPC分类号： H03K19/00 , H03K19/0948
CPC分类号： H03K19/0016 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI545587B 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法有权
简体标题：半导体设备及驱动半导体设备的方法
公开(公告)号：TWI545587B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW100127421
申请日：2011-08-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE , 加藤清 , KATO, KIYOSHI
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22
CPC分类号： G11C11/40 , G11C5/063 , G11C5/147 , G11C7/00 , G11C11/405 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2211/4016 , G11C2213/79

7. 发明专利

TW201140600A 包含記憶單元之半導體元件 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MEMORY CELL 审中-公开
简体标题：包含记忆单元之半导体组件 SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MEMORY CELL
公开(公告)号：TW201140600A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099139046
申请日：2010-11-12
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：鎌田康一郎 , 關根祐輔
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0433 , G11C16/02 , G11C16/0483 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：非揮發性記憶體裝置包括一包括第一電晶體及第二電晶體之記憶單元。第一電晶體包括第一通道、第一閘極電極、第一源極電極、及第一汲極電極。第二電晶體包括以氧化物半導體材料製成之第二通道、第二閘極電極、第二源極電極、及第二汲極電極。第二源極電極及第二汲極電極之一電連接至第一閘極電極。藉由升高在第二源極電極及第二汲極電極之一與第一閘極電極之間的節點之電位來進行記憶單元中之資料寫入。藉由以紫外線光照射第二通道並降低節點之電位來進行記憶單元中之資料抹除。
简体摘要：非挥发性内存设备包括一包括第一晶体管及第二晶体管之记忆单元。第一晶体管包括第一信道、第一闸极电极、第一源极电极、及第一汲极电极。第二晶体管包括以氧化物半导体材料制成之第二信道、第二闸极电极、第二源极电极、及第二汲极电极。第二源极电极及第二汲极电极之一电连接至第一闸极电极。借由升高在第二源极电极及第二汲极电极之一与第一闸极电极之间的节点之电位来进行记忆单元中之数据写入。借由以紫外线光照射第二信道并降低节点之电位来进行记忆单元中之数据抹除。

8. 发明专利

TW201230061A 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备及驱动半导体设备的方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201230061A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100127421
申请日：2011-08-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：關根祐輔 , 加藤清
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/40 , G11C5/063 , G11C5/147 , G11C7/00 , G11C11/405 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2211/4016 , G11C2213/79
摘要：提供一具有創新結構的半導體裝置,其中,藉由降低寫入後記憶格之臨限電壓之變動,可降低操作電壓或增加儲存容量。該半導體裝置包括複數個記憶格,每一個記憶格包括一個包括氧化物半導體的電晶體,及一個包括除了氧化物半導體以外之材料的電晶體,用來驅動複數個記憶格的驅動電路,以及用來產生供應給驅動電路之複數個電位的電位產生電路。驅動電路包括資料緩衝器、將複數個電位其中一電位做為資料寫入複數個記憶格之每一記憶格的寫入電路,讀取被寫入該等記憶格之資料的讀取電路,以及驗證所讀取之資料是否與保存在資料緩衝器中之資料相符的驗證電路。
简体摘要：提供一具有创新结构的半导体设备,其中,借由降低写入后记忆格之临限电压之变动,可降低操作电压或增加存储容量。该半导体设备包括复数个记忆格,每一个记忆格包括一个包括氧化物半导体的晶体管,及一个包括除了氧化物半导体以外之材料的晶体管,用来驱动复数个记忆格的驱动电路,以及用来产生供应给驱动电路之复数个电位的电位产生电路。驱动电路包括数据缓冲器、将复数个电位其中一电位做为数据写入复数个记忆格之每一记忆格的写入电路,读取被写入该等记忆格之数据的读取电路,以及验证所读取之数据是否与保存在数据缓冲器中之数据相符的验证电路。

9. 发明专利

TW201208044A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201208044A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100116348
申请日：2011-05-10
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 加藤清 , 鹽野入豐 , 關根祐輔 , 古谷一馬 , 鄉戶宏充
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/41733 , H01L29/78621
摘要：本發明提供一種半導體裝置,其中包括第一電晶體、設置在第一電晶體上的第二電晶體及電容元件。第二電晶體的半導體層包括偏置區。藉由採用第二電晶體包括偏置區的結構,可以降低第二電晶體的截止電流。這樣可以提供能夠長期保持儲存資料的半導體裝置。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备,其中包括第一晶体管、设置在第一晶体管上的第二晶体管及电容组件。第二晶体管的半导体层包括偏置区。借由采用第二晶体管包括偏置区的结构,可以降低第二晶体管的截止电流。这样可以提供能够长期保持存储数据的半导体设备。

10. 发明专利

TW201203464A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201203464A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100100333
申请日：2011-01-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：關根祐輔 , 鹽野入豐 , 加藤清 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225
摘要：提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括非揮發性記憶體單元。該非揮發性記憶體單元包括：使用氧化物半導體的截止狀態下的源極與汲極之間的漏電流(截止電流)少的寫入電晶體；使用與該寫入電晶體不同的半導體材料的讀取電晶體；以及電容器。對該記憶體單元的資訊的寫入藉由將電位供應到寫入電晶體的源極電極及汲極電極的其中之一者、電容器的電極中的其中一者、讀取電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，使節點中保持預定量的電荷來進行。在進行1×10 9 次的寫入前後，該記憶體單元的儲存視窗寬度的變化量為2%或更小。
简体摘要：提供一种半导体设备，该半导体设备包括非挥发性内存单元。该非挥发性内存单元包括：使用氧化物半导体的截止状态下的源极与汲极之间的漏电流(截止电流)少的写入晶体管；使用与该写入晶体管不同的半导体材料的读取晶体管；以及电容器。对该内存单元的信息的写入借由将电位供应到写入晶体管的源极电极及汲极电极的其中之一者、电容器的电极中的其中一者、读取晶体管的闸极电极彼此电连接的节点，使节点中保持预定量的电荷来进行。在进行1×10 9 次的写入前后，该内存单元的存储窗口宽度的变化量为2%或更小。

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