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1. 发明专利

TWI691972B 半導體裝置、中央處理裝置及電子裝置有权
简体标题：半导体设备、中央处理设备及电子设备
公开(公告)号：TWI691972B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105103345
申请日：2016-02-02
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 佐藤圭太 , SATO, KEITA
IPC分类号： G11C8/12 , G11C8/14 , G11C8/08

2. 发明专利

TWI576844B 半導體裝置和其驅動方法有权
简体标题：半导体设备和其驱动方法
公开(公告)号：TWI576844B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104138504
申请日：2011-01-14
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 家田義紀 , IEDA, YOSHINORI , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C16/02 , G11C11/401
CPC分类号： H01L27/1214 , G11C11/403 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , H01L27/1156 , H01L27/1225

3. 发明专利

TW201608568A 半導體裝置和其驅動方法审中-公开
简体标题：半导体设备和其驱动方法
公开(公告)号：TW201608568A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104138504
申请日：2011-01-14
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 家田義紀 , IEDA, YOSHINORI , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C16/02 , G11C11/401
CPC分类号： H01L27/1214 , G11C11/403 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , H01L27/1156 , H01L27/1225
摘要：本發明提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括非揮發性記憶單元。該非揮發性記憶單元包括：使用氧化物半導體的截止狀態下的源極電極與汲極電極之間的洩漏電流(截止電流)少的寫入用電晶體；使用與該寫入用電晶體不同的半導體材料的讀出用電晶體；以及電容元件。對該記憶單元的資料的寫入及該記憶單元中的資料的重寫藉由如下步驟來進行：藉由使寫入用電晶體成為導通狀態，將電位供應到寫入用電晶體的源極電極及汲極電極中的一個、電容元件的電極中的一個、讀出用電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，然後使寫入用電晶體成為截止狀態，以使節點保持預定量的電荷。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，该半导体设备包括非挥发性记忆单元。该非挥发性记忆单元包括：使用氧化物半导体的截止状态下的源极电极与汲极电极之间的泄漏电流(截止电流)少的写入用晶体管；使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管；以及电容组件。对该记忆单元的数据的写入及该记忆单元中的数据的重写借由如下步骤来进行：借由使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源极电极及汲极电极中的一个、电容组件的电极中的一个、读出用晶体管的闸极电极彼此电连接的节点，然后使写入用晶体管成为截止状态，以使节点保持预定量的电荷。

4. 发明专利

TW201640498A 半導體裝置、中央處理裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、中央处理设备及电子设备
公开(公告)号：TW201640498A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105103345
申请日：2016-02-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彦 , ISHIZU, TAKAHIKO , 古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 佐藤圭太 , SATO, KEITA
IPC分类号： G11C8/12 , G11C8/14 , G11C8/08
CPC分类号： G11C8/08 , G11C5/063 , G11C5/14 , G11C5/148 , G11C8/12
摘要：本發明提供一種新穎的半導體裝置、功耗低的半導體裝置或能夠長期間地保持資料的半導體裝置。半導體裝置包括與多個第一記憶體電路連接的第一選擇電路、與多個第二記憶體電路連接的第二選擇電路、與多個第三記憶體電路連接的第三選擇電路，由此可以根據每個第一記憶體電路、每個第二記憶體電路或每個第三記憶體電路進行電源閘控。因此，可以維持對不進行資料的讀出或寫入的記憶體電路停止供應電力的狀態，從而可以降低半導體裝置的功耗。
简体摘要：本发明提供一种新颖的半导体设备、功耗低的半导体设备或能够长期间地保持数据的半导体设备。半导体设备包括与多个第一内存电路连接的第一选择电路、与多个第二内存电路连接的第二选择电路、与多个第三内存电路连接的第三选择电路，由此可以根据每个第一内存电路、每个第二内存电路或每个第三内存电路进行电源闸控。因此，可以维持对不进行数据的读出或写入的内存电路停止供应电力的状态，从而可以降低半导体设备的功耗。

5. 发明专利

TWI528364B 半導體記憶體裝置有权
简体标题：半导体内存设备
公开(公告)号：TWI528364B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW100132417
申请日：2011-09-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA
IPC分类号： G11C11/4193
CPC分类号： G11C16/02 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C2207/2236

6. 发明专利

TWI521512B 半導體裝置和其驅動方法有权
简体标题：半导体设备和其驱动方法
公开(公告)号：TWI521512B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100101450
申请日：2011-01-14
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 家田義紀 , IEDA, YOSHINORI , 八窪裕人 , YAKUBO, YUTO , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C16/02 , G11C11/401
CPC分类号： H01L27/1214 , G11C11/403 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , H01L27/1156 , H01L27/1225

7. 发明专利

TWI567942B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI567942B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW100116348
申请日：2011-05-10
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 關根祐輔 , SEKINE, YUSUKE , 古谷一馬 , FURUTANI, KAZUMA , 鄉戶宏充 , GODO, HIROMICHI
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/52 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/41733 , H01L29/78621

8. 发明专利

TW201208044A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201208044A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100116348
申请日：2011-05-10
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 加藤清 , 鹽野入豐 , 關根祐輔 , 古谷一馬 , 鄉戶宏充
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/41733 , H01L29/78621
摘要：本發明提供一種半導體裝置,其中包括第一電晶體、設置在第一電晶體上的第二電晶體及電容元件。第二電晶體的半導體層包括偏置區。藉由採用第二電晶體包括偏置區的結構,可以降低第二電晶體的截止電流。這樣可以提供能夠長期保持儲存資料的半導體裝置。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备,其中包括第一晶体管、设置在第一晶体管上的第二晶体管及电容组件。第二晶体管的半导体层包括偏置区。借由采用第二晶体管包括偏置区的结构,可以降低第二晶体管的截止电流。这样可以提供能够长期保持存储数据的半导体设备。

9. 发明专利

TW201232541A 半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201232541A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100132417
申请日：2011-09-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：古谷一馬 , 鹽野入豐
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/02 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C2207/2236
摘要：本發明的目的在於設置半導體記憶體裝置,其能夠在未使用外部電路之下拷貝記憶體資料。該半導體記憶體裝置包括位元線,其共同連接複數個記憶體胞格的第一端子;預充電電路,其連接到該位元線,及在資料讀取時以特定電位預充電該位元線;資料保持電路,其包含電容器,該電容器暫時保持從該記憶體胞格所讀出之資料或者寫入到該記憶體胞格之資料;以及反相資料輸出電路,其將保持在該資料保持電路中之資料的反相資料輸出到該位元線。該反相資料輸出電路包括用以控制保持在該資料保持電路中之資料的反相資料之輸出的機構。
简体摘要：本发明的目的在于设置半导体内存设备,其能够在未使用外部电路之下拷贝内存数据。该半导体内存设备包括比特线,其共同连接复数个内存胞格的第一端子;预充电电路,其连接到该比特线,及在数据读取时以特定电位预充电该比特线;数据保持电路,其包含电容器,该电容器暂时保持从该内存胞格所读出之数据或者写入到该内存胞格之数据;以及反相数据输出电路,其将保持在该数据保持电路中之数据的反相数据输出到该比特线。该反相数据输出电路包括用以控制保持在该数据保持电路中之数据的反相数据之输出的机构。

10. 外观设计

TWD132142S 天線 ANTENNA 有权
简体标题：天线 ANTENNA
公开(公告)号：TWD132142S
公开(公告)日：2009-11-21
申请号：TW097306380
申请日：2008-11-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
设计人：八窪裕人 , 古谷一馬
摘要：【物品用途】本創作的物品是天線，該天線是與IC晶片的其他半導體裝置貼合使用。【創作特點】如各圖所示，該天線是由：透明的絕緣性薄膜以及形成在該絕緣性薄膜的導電性圖形所成的天線。詳細而言，該透明的絕緣性薄膜是一呈方形狀的扁平薄片，在該絕緣性薄膜上延著方形的外周，以環繞方式形成多道的導電性圖形之設計。
简体摘要：【物品用途】本创作的物品是天线，该天线是与IC芯片的其他半导体设备贴合使用。【创作特点】如各图所示，该天线是由：透明的绝缘性薄膜以及形成在该绝缘性薄膜的导电性图形所成的天线。详细而言，该透明的绝缘性薄膜是一呈方形状的扁平薄片，在该绝缘性薄膜上延着方形的外周，以环绕方式形成多道的导电性图形之设计。

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