会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明专利
    • 玻璃基板上的非揮發性記憶體
    • 玻璃基板上的非挥发性内存
    • TW202030867A
    • 2020-08-16
    • TW108145107
    • 2019-12-10
    • 力旺電子股份有限公司EMEMORY TECHNOLOGY INC.
    • 李允翔LEE, YUN-HSIANG柳星舟LIU, HSIN-CHOU
    • H01L27/112H01L23/15
    • 一種非揮發性記憶體,包括:一玻璃基板;一第一多晶矽層,位於該玻璃基板上,其中該第一多晶矽層包括一第一源/汲極、一通道區域與一第二源/汲極,且該通道區域位於該第一源/汲極與該第二源/汲極之間;一第二多晶矽層,位於該玻璃基板上該通道區域的側邊,並作為一浮動閘極;一介電層,覆蓋該第一多晶矽層與該第二多晶矽層;一耦合閘極,形成於該第二多晶矽層上方的該介電層上;以及一選擇閘極,形成於該通道區域上方的該介電層上;其中,該第一源/汲極連接至一源極線、該第二源/汲極連接至一位元線、該耦合閘極連接至一控制線、該選擇閘極連接至一字元線。
    • 一种非挥发性内存,包括:一玻璃基板;一第一多晶硅层,位于该玻璃基板上,其中该第一多晶硅层包括一第一源/汲极、一信道区域与一第二源/汲极,且该信道区域位于该第一源/汲极与该第二源/汲极之间;一第二多晶硅层,位于该玻璃基板上该信道区域的侧边,并作为一浮动闸极;一介电层,覆盖该第一多晶硅层与该第二多晶硅层;一耦合闸极,形成于该第二多晶硅层上方的该介电层上;以及一选择闸极,形成于该信道区域上方的该介电层上;其中,该第一源/汲极连接至一源极线、该第二源/汲极连接至一比特线、该耦合闸极连接至一控制线、该选择闸极连接至一字符线。