专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI699842B 使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法有权
简体标题：使用用于半导体检查及度量之差分侦测技术而改善高度传感器之横向分辨率之方法
公开(公告)号：TWI699842B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105128691
申请日：2016-09-05
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/95

2. 发明专利

TW201802978A 用於使用束剖面反射法於矽穿孔結構中測量特性之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于使用束剖面反射法于硅穿孔结构中测量特性之设备及方法
公开(公告)号：TW201802978A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111443
申请日：2017-04-05
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：妮可雷德思蕾娜 , NICOLAIDES, LENA , 古德溫提摩西 , GOODWIN, TIMOTHY , 湯勞爾 , TAN, RAUL V. , 李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/768
CPC分类号： G01B11/0641 , G01B2210/56 , H01L22/12
摘要：本發明揭示用於測量一矽穿孔(TSV)結構之一性質之方法及裝置。使用一束剖面反射率(BPR)工具來移動至具有一TSV結構之一第一xy位置。然後使用該BPR工具來藉由將z位置調整至用於在該第一xy位置處獲得測量之一第一最佳z位置而在該第一xy位置處獲得一最佳聚焦。經由該BPR工具在該第一xy位置處獲得複數個入射角之反射率測量。基於該等反射率測量而判定該TSV結構之一或多個膜厚度。亦可記錄一z位置且將其用於判定此TSV結構以及一或多個毗鄰xy位置之一高度。
简体摘要：本发明揭示用于测量一硅穿孔(TSV)结构之一性质之方法及设备。使用一束剖面反射率(BPR)工具来移动至具有一TSV结构之一第一xy位置。然后使用该BPR工具来借由将z位置调整至用于在该第一xy位置处获得测量之一第一最佳z位置而在该第一xy位置处获得一最佳聚焦。经由该BPR工具在该第一xy位置处获得复数个入射角之反射率测量。基于该等反射率测量而判定该TSV结构之一或多个膜厚度。亦可记录一z位置且将其用于判定此TSV结构以及一或多个毗邻xy位置之一高度。

3. 发明专利

TWI699510B 增加用於檢測和度量之高度感測器之動態範圍有权
简体标题：增加用于检测和度量之高度传感器之动态范围
公开(公告)号：TWI699510B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105130489
申请日：2016-09-21
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： G01B11/06 , G02B21/00 , G02B27/00

4. 发明专利

TWI668436B 用於增強檢測工具之檢測靈敏度之系統及方法有权
简体标题：用于增强检测工具之检测灵敏度之系统及方法
公开(公告)号：TWI668436B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW105108129
申请日：2016-03-16
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG , 溫佑仙 , WEN, YOUXIAN , 史克威塔拉賽分 , SCHWITALLA, SVEN , 艾吉普拉香特 , AJI, PRASHANT , 妮可雷德思蕾娜 , NICOLAIDES, LENA
IPC分类号： G01N21/88 , G06T7/00

5. 发明专利

TWI636242B 使用快速光反射光譜之晶圓邊緣張力輪廓之自動線性檢測有权
简体标题：使用快速光反射光谱之晶圆边缘张力轮廓之自动线性检测
公开(公告)号：TWI636242B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW104112765
申请日：2015-04-21
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：古德溫提摩西 , GOODWIN, TIMOTHY , 妮可雷德思蕾娜 , NICOLAIDES, LENA , 馬哈迪文摩漢 , MAHADEVAN, MOHAN , 霍恩保羅 , HORN, PAUL , 李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： G01L5/00 , G01N21/95

6. 发明专利

TW201719784A 使用用於半導體檢查及度量之差分偵測技術而改善高度感測器之橫向解析度之方法审中-公开
简体标题：使用用于半导体检查及度量之差分侦测技术而改善高度传感器之横向分辨率之方法
公开(公告)号：TW201719784A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105128691
申请日：2016-09-05
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/95
CPC分类号： G01B11/0608 , G01B2210/56 , G02B1/11 , G02B5/0808 , G02B7/38 , G02B27/0025 , G02B27/09 , G02B27/0911 , G02B27/14 , G03F7/70
摘要：一種可用於半導體高度檢查及度量之系統包含一互補板，該互補板配合一光束分離器使用以產生所要像散且移除色像差。可實現橫向解析度及靈敏度之同時最佳化。該互補板可由與該光束分離器相同之材料製造且具有與該光束分離器相同之厚度。
简体摘要：一种可用于半导体高度检查及度量之系统包含一互补板，该互补板配合一光束分离器使用以产生所要像散且移除色像差。可实现横向分辨率及灵敏度之同时最优化。该互补板可由与该光束分离器相同之材料制造且具有与该光束分离器相同之厚度。

7. 发明专利

TW201546431A 使用快速光反射光譜之晶圓邊緣張力輪廓之自動線性檢測审中-公开
简体标题：使用快速光反射光谱之晶圆边缘张力轮廓之自动线性检测
公开(公告)号：TW201546431A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104112765
申请日：2015-04-21
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：古德溫提摩西 , GOODWIN, TIMOTHY , 妮可雷德思蕾娜 , NICOLAIDES, LENA , 馬哈迪文摩漢 , MAHADEVAN, MOHAN , 霍恩保羅 , HORN, PAUL , 李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： G01L5/00 , G01N21/95
CPC分类号： H01L22/24 , G01B11/16 , G01N21/8806 , G01N21/95 , G01N21/9503 , G01N2201/06113 , H01L22/12
摘要：在一生產程序中使用光反射光譜來量測一晶圓之邊緣處或附近之張力。使用該張力量測來預計缺陷且在該生產程序之稍後階段中進行預期校正。使用張力量測使各種生產步驟與缺陷相關聯以增強稍後生產程序。
简体摘要：在一生产进程中使用光反射光谱来量测一晶圆之边缘处或附近之张力。使用该张力量测来预计缺陷且在该生产进程之稍后阶段中进行预期校正。使用张力量测使各种生产步骤与缺陷相关联以增强稍后生产进程。

8. 发明专利

TW201721087A 增加用於檢測和度量之高度感測器之動態範圍审中-公开
简体标题：增加用于检测和度量之高度传感器之动态范围
公开(公告)号：TW201721087A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105130489
申请日：2016-09-21
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG
IPC分类号： G01B11/06 , G02B21/00 , G02B27/00
CPC分类号： G01B11/0608 , G01B2210/56 , G02B21/0032 , G02B21/0096 , G02B27/0025
摘要：一種系統包含一第一光束分離器、一第二光束分離器及一鏡。該第二光束分離器可產生兩行光，藉由至少一個感測器接收該兩行光。該兩行光具有晶圓上之不同焦點高度。該第二光束分離器與該鏡之間之一距離可經組態以改變該晶圓上之一焦點高度。可使用該兩行光判定該晶圓之一表面上之一經照明區域相對於該晶圓之一法向表面之一高度。
简体摘要：一种系统包含一第一光束分离器、一第二光束分离器及一镜。该第二光束分离器可产生两行光，借由至少一个传感器接收该两行光。该两行光具有晶圆上之不同焦点高度。该第二光束分离器与该镜之间之一距离可经组态以改变该晶圆上之一焦点高度。可使用该两行光判定该晶圆之一表面上之一经照明区域相对于该晶圆之一法向表面之一高度。

9. 发明专利

TW201710668A 用於量測在一半導體晶圓上之高度的方法及裝置审中-公开
简体标题：用于量测在一半导体晶圆上之高度的方法及设备
公开(公告)号：TW201710668A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105120616
申请日：2016-06-29
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG , 趙國衡 , ZHAO, GUOHENG
IPC分类号： G01N21/88 , G02B21/00 , G01N21/89
CPC分类号： G01B11/0608 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/956 , H01L22/12
摘要：本發明揭示用於判定一半導體結構之高度的裝置及方法。該系統包含：一照明模組，其用於引導一或多個源線或點朝向具有處於不同相對高度之多個表面的一樣品；及一收集模組，其用於偵測自該等表面反射之光。該收集模組含有經定位以接收自該等表面之一者反射之光的至少兩個偵測器，各偵測器前面具有一個狹縫或針孔。一第一偵測器從定位在一焦點之前之一狹縫或針孔接收反射光，且一第二偵測器從定位在該焦點之後之一狹縫或針孔接收反射光，使得除非該表面處於一最佳焦點，否則該第一偵測器及該第二偵測器接收到具有不同強度值之光。該系統包含一處理器系統，其用於基於由該等偵測器接收之來自該等表面之兩個表面的該偵測光而判定一高度。
简体摘要：本发明揭示用于判定一半导体结构之高度的设备及方法。该系统包含：一照明模块，其用于引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度之多个表面的一样品；及一收集模块，其用于侦测自该等表面反射之光。该收集模块含有经定位以接收自该等表面之一者反射之光的至少两个侦测器，各侦测器前面具有一个狭缝或针孔。一第一侦测器从定位在一焦点之前之一狭缝或针孔接收反射光，且一第二侦测器从定位在该焦点之后之一狭缝或针孔接收反射光，使得除非该表面处于一最佳焦点，否则该第一侦测器及该第二侦测器接收到具有不同强度值之光。该系统包含一处理器系统，其用于基于由该等侦测器接收之来自该等表面之两个表面的该侦测光而判定一高度。

10. 发明专利

TW201636602A 用於增強檢測工具之檢測靈敏度之系統及方法审中-公开
简体标题：用于增强检测工具之检测灵敏度之系统及方法
公开(公告)号：TW201636602A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105108129
申请日：2016-03-16
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：李緒方 , LI, SHIFANG , 溫佑仙 , WEN, YOUXIAN , 史克威塔拉賽分 , SCHWITALLA, SVEN , 艾吉普拉香特 , AJI, PRASHANT , 妮可雷德思蕾娜 , NICOLAIDES, LENA
IPC分类号： G01N21/88 , G06T7/00
CPC分类号： G06K9/6201 , G03F1/84 , G06T5/50 , G06T7/001 , G06T2207/10016 , G06T2207/10024 , G06T2207/20224 , G06T2207/30148 , H04N5/2256
摘要：本發明揭示用於增強使用一檢測工具偵測晶圓中之缺陷之檢測靈敏度之系統及方法。複數個發光二極體照明一晶圓之至少一部分且捕獲一灰階影像集合。在該灰階影像集合之各影像中判定一殘餘信號且自該灰階影像集合之各影像減去該殘餘信號。基於該經減去之灰階影像集合識別缺陷。在該等所揭示系統及方法之一些實施例中可建置及精製該檢測工具及該晶圓之模型。
简体摘要：本发明揭示用于增强使用一检测工具侦测晶圆中之缺陷之检测灵敏度之系统及方法。复数个发光二极管照明一晶圆之至少一部分且捕获一灰阶影像集合。在该灰阶影像集合之各影像中判定一残余信号且自该灰阶影像集合之各影像减去该残余信号。基于该经减去之灰阶影像集合识别缺陷。在该等所揭示系统及方法之一些实施例中可建置及精制该检测工具及该晶圆之模型。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式