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1. 发明专利

TW201308689A 用於覆晶安裝之水平發光二極體之間隙工程审中-公开
简体标题：用于覆晶安装之水平发光二极管之间隙工程
公开(公告)号：TW201308689A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101117881
申请日：2012-05-18
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD , 雷莎度雷蒙德 , ROSADO, RAYMOND , 多諾福力歐馬修 , DONOFRIO, MATTHEW , 艾德蒙約翰亞當 , EDMOND, JOHN ADAM
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/52 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種水平發光二極體(LED)晶粒，其係覆晶安裝在一安裝基板上以界定延伸於該LED晶粒之緊密隔開之陽極與陰極接點之間及該基板之緊密隔開之陽極與陰極襯墊之間之一間隙。一囊封劑係設置在該發光二極體晶粒及該安裝基板上。該間隙經組態以防止會使該LED之操作降級之足夠囊封劑進入該間隙。
简体摘要：本发明揭示一种水平发光二极管(LED)晶粒，其系覆晶安装在一安装基板上以界定延伸于该LED晶粒之紧密隔开之阳极与阴极接点之间及该基板之紧密隔开之阳极与阴极衬垫之间之一间隙。一囊封剂系设置在该发光二极管晶粒及该安装基板上。该间隙经组态以防止会使该LED之操作降级之足够囊封剂进入该间隙。

2. 发明专利

TWI506811B 具電流阻斷結構之發光裝置及製造具電流阻斷結構發光裝置之方法有权
简体标题：具电流阻断结构之发光设备及制造具电流阻断结构发光设备之方法
公开(公告)号：TWI506811B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW102119636
申请日：2005-04-19
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：哈柏恩凱文 , HABERERN, KEVIN , 柏葛曼麥克約翰 , BERGMANN, MICHAEL JOHN , 米茲科斯奇凡 , MIECZKOWSKI, VAN , 艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01S5/0421 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/32341

3. 外观设计

TWD157837S 燈封裝有权
简体标题：灯封装
公开(公告)号：TWD157837S
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW101301598
申请日：2012-03-23
申请人：克立公司 , CREE, INC.
设计人：多諾福力歐馬修 , DONOFRIO, MATTHEW , 艾德蒙約翰亞當 , EDMOND, JOHN ADAM , 孔華雙 , KONG, HUA-SHUANG , 安道佐彼得S , ANDREWS, PETER S. , 艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD

4. 外观设计

TWD157836S 燈封裝有权
简体标题：灯封装
公开(公告)号：TWD157836S
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW101301597
申请日：2012-03-23
申请人：克立公司 , CREE, INC.
设计人：多諾福力歐馬修 , DONOFRIO, MATTHEW , 艾德蒙約翰亞當 , EDMOND, JOHN ADAM , 孔華雙 , KONG, HUA-SHUANG , 安道佐彼得S , ANDREWS, PETER S. , 艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD

5. 发明专利

TW201338193A 具有包含覆蓋結構的銦而以三族氮化物為主之量子井發光裝置結構审中-公开
简体标题：具有包含覆盖结构的铟而以三族氮化物为主之量子井发光设备结构
公开(公告)号：TW201338193A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102102712
申请日：2005-07-05
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：柏葛曼麥可約翰 , BERGMANN, MICHAEL JOHN , 艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06
摘要：本發明揭示一種以三族氮化物為主之發光裝置與製造以三族氮化物為主之發光裝置的方法。該等發光裝置包含：一n型三族氮化物層；一以三族氮化物為主之活性區域，其係在該n型三族氮化物層上並且包括至少一個量子井結構；一包含銦之三族氮化物層，其係在該活性區域上；一包含鋁之p型三族氮化物層，其係在包含銦之該三族氮化物層上；一第一接面，其係在該n型三族氮化物層上；與一第二接面，其係在該p型三族氮化物層上。包含銦之該三族氮化物層還可以包含鋁。
简体摘要：本发明揭示一种以三族氮化物为主之发光设备与制造以三族氮化物为主之发光设备的方法。该等发光设备包含：一n型三族氮化物层；一以三族氮化物为主之活性区域，其系在该n型三族氮化物层上并且包括至少一个量子井结构；一包含铟之三族氮化物层，其系在该活性区域上；一包含铝之p型三族氮化物层，其系在包含铟之该三族氮化物层上；一第一接面，其系在该n型三族氮化物层上；与一第二接面，其系在该p型三族氮化物层上。包含铟之该三族氮化物层还可以包含铝。

6. 发明专利

TWI474505B 具有包含覆蓋結構的銦而以三族氮化物為主之量子井發光裝置結構有权
简体标题：具有包含覆盖结构的铟而以三族氮化物为主之量子井发光设备结构
公开(公告)号：TWI474505B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW102102712
申请日：2005-07-05
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：柏葛曼麥可約翰 , BERGMANN, MICHAEL JOHN , 艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06

7. 发明专利

TW201403856A 具電流阻斷結構之發光裝置及製造具電流阻斷結構發光裝置之方法审中-公开
简体标题：具电流阻断结构之发光设备及制造具电流阻断结构发光设备之方法
公开(公告)号：TW201403856A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102119636
申请日：2005-04-19
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：哈柏恩凱文 , HABERERN, KEVIN , 柏葛曼麥克約翰 , BERGMANN, MICHAEL JOHN , 米茲科斯奇凡 , MIECZKOWSKI, VAN , 艾默森大衛托德 , EMERSON, DAVID TODD
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01S5/0421 , H01S5/2063 , H01S5/2068 , H01S5/32341
摘要：本發明提供一種發光裝置及製造在導線結合襯墊下具有一電流阻斷機構之發光裝置之方法。該電流阻斷機構可為該裝置之一作用區中之一傳導降低區域。該電流阻斷機構可為一層上之一損壞區域，該損壞區域上形成有一接點。該電流阻斷機構可為該裝置之一歐姆(ohmic)接觸與該作用區之間之一肖特基(Schottky)接觸。亦可在該歐姆接觸與該作用區之間提供一諸如PN接合之半導體接合。
简体摘要：本发明提供一种发光设备及制造在导线结合衬垫下具有一电流阻断机构之发光设备之方法。该电流阻断机构可为该设备之一作用区中之一传导降低区域。该电流阻断机构可为一层上之一损坏区域，该损坏区域上形成有一接点。该电流阻断机构可为该设备之一欧姆(ohmic)接触与该作用区之间之一肖特基(Schottky)接触。亦可在该欧姆接触与该作用区之间提供一诸如PN接合之半导体接合。

8. 外观设计

TWD139501S ＬＥＤ晶片 LED CHIP 有权
简体标题：ＬＥＤ芯片 LED CHIP
公开(公告)号：TWD139501S
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：TW098302525
申请日：2008-03-06
申请人：克立公司
设计人：艾德蒙約翰 , 艾柏森詹姆斯 , 柏葛曼麥克約翰 , 索特安柏克利斯汀 , 艾默森大衛托德 , 齊尼艾雪 , 凱勒柏恩P , 賀本恩凱文
摘要：【物品用途】
本創作係關於一種LED晶片。
【創作特點】
本創作之LED晶片包含大致上呈矩形之基板，該基板具有可導電之格子，形成三個矩形塊。一頂層覆蓋該基板及導電格子。
简体摘要：【物品用途】本创作系关于一种LED芯片。【创作特点】本创作之LED芯片包含大致上呈矩形之基板，该基板具有可导电之格子，形成三个矩形块。一顶层覆盖该基板及导电格子。

9. 外观设计

TWD136583S ＬＥＤ晶片 LED CHIP 有权
简体标题：ＬＥＤ芯片 LED CHIP
公开(公告)号：TWD136583S
公开(公告)日：2010-08-21
申请号：TW098302526
申请日：2008-03-06
申请人：克立公司
设计人：艾德蒙約翰 , 艾柏森詹姆斯 , 柏葛曼麥克約翰 , 索特安柏克利斯汀 , 艾默森大衛托德 , 齊尼艾雪 , 凱勒柏恩P , 賀本恩凱文
摘要：【物品用途】
本創作係關於一種LED晶片。
【創作特點】
本創作之LED晶片包含大致上呈矩形之基板，該基板具有可導電之格子，形成兩個矩形塊。一頂層覆蓋該基板及導電格子。
简体摘要：【物品用途】本创作系关于一种LED芯片。【创作特点】本创作之LED芯片包含大致上呈矩形之基板，该基板具有可导电之格子，形成两个矩形块。一顶层覆盖该基板及导电格子。

10. 发明专利

TW201236138A 具有直接晶粒裝配之發光二極體陣列及相關總成 LIGHT EMITTING DIODE (LED) ARRAYS INCLUDING DIRECT DIE ATTACH AND RELATED ASSEMBLIES 审中-公开
简体标题：具有直接晶粒装配之发光二极管数组及相关总成 LIGHT EMITTING DIODE (LED) ARRAYS INCLUDING DIRECT DIE ATTACH AND RELATED ASSEMBLIES
公开(公告)号：TW201236138A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW101104797
申请日：2012-02-14
申请人：克立公司
发明人：多諾福力歐馬修 , 艾德蒙約翰亞當 , 孔華雙 , 安道佐彼得S , 艾默森大衛托德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/16
摘要：本發明揭示一種電子裝置，其可包含具有一封裝基板面及該封裝基板面上之複數個導電襯墊之一封裝基板。一第一發光二極體晶粒可橋接該等導電襯墊之第一與第二者。更特定言之，該第一發光二極體晶粒可包含使用金屬結合劑來分別耦合至該等第一及第二導電襯墊之第一陽極及陰極接點。再者，該第一陽極接點與該第一襯墊之間及該第一陰極接點與該第二襯墊之間之該等金屬結合劑之寬度可為該第一發光二極體晶粒之一寬度之至少60%。一第二發光二極體晶粒可橋接該等導電襯墊之第三與第四者。該第二發光二極體晶粒可包含使用金屬結合劑來分別耦合至該等第三及第四導電襯墊之第二陽極及陰極接點。該第二陽極接點與該第三襯墊之間及該第二陰極接點與該第四襯墊之間之該等金屬結合劑之寬度可為該第一發光二極體晶粒之一寬度之至少60%。
简体摘要：本发明揭示一种电子设备，其可包含具有一封装基板面及该封装基板面上之复数个导电衬垫之一封装基板。一第一发光二极管晶粒可桥接该等导电衬垫之第一与第二者。更特定言之，该第一发光二极管晶粒可包含使用金属结合剂来分别耦合至该等第一及第二导电衬垫之第一阳极及阴极接点。再者，该第一阳极接点与该第一衬垫之间及该第一阴极接点与该第二衬垫之间之该等金属结合剂之宽度可为该第一发光二极管晶粒之一宽度之至少60%。一第二发光二极管晶粒可桥接该等导电衬垫之第三与第四者。该第二发光二极管晶粒可包含使用金属结合剂来分别耦合至该等第三及第四导电衬垫之第二阳极及阴极接点。该第二阳极接点与该第三衬垫之间及该第二阴极接点与该第四衬垫之间之该等金属结合剂之宽度可为该第一发光二极管晶粒之一宽度之至少60%。

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